中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

48 records (took 0.025 seconds)

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    41.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102010045784A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：DE102010045784

    申请日：2010-09-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ENGL KARL DR ,  WEIMAR ANDREAS DR ,  MAUTE MARKUS DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  RODE PATRICK ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  MALM NORWIN VON DR

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) und ein Trägersubstrat (10) aufweist, wobei eine erste (7) und eine zweite elektrische Kontaktschicht (8) zumindest bereichsweise zwischen dem Trägersubstrat (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet und durch eine elektrisch isolierende Schicht (9) voneinander elektrisch voneinander isoliert sind, und mit einer Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat angeordnet (10) ist. Die Spiegelschicht (6) grenzt an Teilbereiche der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) und an Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9) an, wobei die Teilbereiche (19) der elektrisch isolierenden Schicht (9), die an die Spiegelschicht (6) angrenzen, derart von der zweiten elektrischen Kontaktschicht (Umgebungsmedium des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angrenzen. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Ausnehmung (17) auf, in der die erste elektrische Kontaktschicht (8) zur Ausbildung eines Anschlusskontakts (14) freigelegt ist.

    Beleuchtungsvorrichtung
    43.
    发明专利
    Beleuchtungsvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102010018260A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：DE102010018260

    申请日：2010-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  VON MALM NORWIN DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  BARCHMANN BERND ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L25/075 ,  F21V29/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

    Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), eine rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
    44.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode 未知

    公开(公告)号：DE102009036843A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：DE102009036843

    申请日：2009-08-10

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STAUS PETER ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägersubstrats (10), das eine Silizium-Oberfläche (10a) aufweist, - epitaktisches Abscheiden einer aluminiumhaltigen Nitrid-Schichtenfolge (20) auf der Silizium-Oberfläche (10a) des Trägersubstrats (10) zur Bildung eines Leuchtdiodenträgers (100), - Bereitstellen einer Leuchtdioden-Struktur (300) auf einem Aufwachsträger (200), - Verbinden der dem Aufwachsträger (200) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) mit der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche des Leuchtdiodenträgers (100), - Ablösen des Aufwachsträgers (200), - Herstellen zumindest eines p-Kontaktes (62) und eines n-Kontaktes (61) zum Kontaktieren der Leuchtdioden-Struktur (300) von der dem Trägersubstrat (10) abgewandten Oberfläche der Leuchtdioden-Struktur (300) her.

    48.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007019775A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：DE102007019775

    申请日：2007-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  HEINDL ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  EISSLER DIETER

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01S5/02

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component comprising a semiconductor body (2) which has a series of semiconductor layers with an active region (4) that is suitable for generating radiation, a reflective layer (72) situated on the semiconductor body and two electric contacts (7,8). A first contact (7) of said contacts on the side of the active region that faces the reflective layer is connected in an electrically conductive manner to the semiconductor body, the second contact (8) of said contacts on the side of the active region that faces away from the reflective layer is connected in an electrically conductive manner to the semiconductor body and the reflective layer lies between a sub-region of the second contact and the semiconductor body.

Patent Agency Ranking