公开(公告)号：KR1020150074770A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：KR1020130162855

申请日：2013-12-24

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박덕수 ,  박문희 ,  최영수 ,  박경호

IPC: G01N1/28 ,  H01J37/317

CPC classification number: G01N1/32 ,  G01N2001/2893 ,  H01J37/26

Abstract: 본발명은, 시편의양 단차면에단차보상이온빔을조사하여상기단차면의격차를메우는단차보상막을코팅하는단차보상막형성단계; 및상기시편과상기단차보상막의표면전체에보호막이온빔을조사하여보호막을코팅하는보호막형성단계를포함하는것을특징으로하는투과전자현미경용시편제작방법을제공한다. 본발명에의하면, 시편의양 단차면에단차보상막을미리형성함으로써단차근처의공간에의해투과전자현미경영상이왜곡되는것을막는효과가있다.

Abstract translation: 本发明提供一种透射型电子显微镜用试样的制造方法，其特征在于，包括：阶梯式补偿膜形成工序，在步进式补偿膜的两台阶面上照射阶梯式补偿离子束， 标本; 以及保护膜形成步骤，通过在样品和阶梯式补偿膜的整个表面上照射保护膜离子束来涂覆保护膜。 根据本发明，通过预先在试样的两台阶表面上形成阶梯式补偿膜，透射电子显微镜的图像不会与台阶部分相邻的空间变形。

公开(公告)号：KR101477038B1

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020130159283

申请日：2013-12-19

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  허은진 ,  김신근 ,  신현범 ,  성호근 ,  박경호 ,  강호관 ,  김희중

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: B82B3/0095 ,  B82Y40/00

Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.

Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构，更具体地说，涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法，其包括：第一步骤， 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的，因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺（诸如压印法，水热合成法，光分解反应等）来制造。

公开(公告)号：KR101327308B1

公开(公告)日：2013-11-11

申请号：KR1020120000362

申请日：2012-01-03

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박경호 ,  안재성

IPC: G01J3/02

Abstract: 본 발명은 집광거울에 전자빔 가이드라인 및 광섬유 가이드라인을 형성하여 음극선발광(Cathodoluminescence; CL)과 광발광(Photoluminescence; PL)을 동시에 측정할 수 있도록 하는 음극선발광 및 광발광의 동시 측정을 위한 집광거울에 관한 것으로, 내부에 공간이 형성되고, 전자빔이 내부로 입사되도록 일 측면의 상부에 제 1 전자빔 가이드라인이 형성되며, 광원이 내부로 입사되도록 제 1 전자빔 가이드라인의 일 측에 제 1 광섬유 가이드라인이 형성된 제 1 집광거울 및 제 1 집광거울과 결합하고, 제 1 전자빔 가이드라인 및 제 1 광섬유 가이드라인과 대응되는 제 2 전자빔 가이드라인 및 제 2 광섬유 가이드라인이 형성된 제 2 집광거울을 포함한다.
나아가, 본 발명에 따른 음극선발광 및 광발광의 동시 측정을 위한 집광거울은 제 1 광섬유 가이드라인 및 제 2 광섬유 가이드라인에 광섬유를 고정하며, 제 1 집광거울과 제 2 집광거울을 결합하기 위한 나사 홈을 포함한다.

公开(公告)号：KR102060966B1

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：KR1020170182535

申请日：2017-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  고유민 ,  조주영 ,  박경호 ,  최재혁 ,  이근우 ,  정상현 ,  김창완 ,  최영수 ,  박범두 ,  이동근

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/18 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR101936060B1

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：KR1020160184219

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 조주영 ,  박경호 ,  박형호 ,  고유민 ,  박원규

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L29/775

公开(公告)号：KR1020180079601A

公开(公告)日：2018-07-11

申请号：KR1020160184219

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 조주영 ,  박경호 ,  박형호 ,  고유민 ,  박원규

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L33/00 ,  H01L31/00 ,  H01L29/775

Abstract: 본발명은반도체소자제작용레이저리프트오프방법에관한것으로서, 레이저에의해제1대상체로부터제2대상체를분리시키는레이저리프트오프방법에있어서, 제1대상체및 제2대상체사이에희생분리층을형성하되, 상기희생분리층은상기제1대상체및 제2대상체의밴드갭보다상대적으로작은밴드갭을가지는것을특징으로하는반도체소자제작용레이저리프트오프방법및 그에의해제조된반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해종래의지지기판으로부터질화물계반도체층을분리하는공정을개선하여, 분리를원하는영역에희생분리층을도입하여분리하고자하는대상의제한이없도록한 것이다.

公开(公告)号：KR101857647B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020160095040

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  정해용 ,  조주영 ,  최재원 ,  정상현 ,  최영수 ,  강성민 ,  최원명 ,  조영대 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/033

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.

公开(公告)号：KR101846236B1

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR1020150185323

申请日：2015-12-23

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  정상현 ,  박경호 ,  박원규

IPC: B05D7/24 ,  B05D7/04 ,  B05D1/26 ,  B05D3/00 ,  B05C5/02

Abstract: 본발명은양면패턴의제조방법및 그에의해제조된양면패턴을이용한전사테이프에관한것으로서, 고분자기판상에미세구조체패턴이형성된제1스탬프를위치시켜열간성형하여상기고분자기판에상기제1스탬프의미세구조체패턴과역상인제1패턴을각인시키는제1단계와, 상기제1패턴이각인된고분자기판에서상기제1스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에제1패턴을성형하는제2단계와, 상기제1패턴이형성된고분자기판상에유동성재료를도포하여, 상기제1패턴과역상인하측패턴을상기유동성재료하측면에형성하는제3단계와, 상기도포된유동성재료상에미세구조체패턴이형성된제2스탬프를위치시켜가압하고, 경화공정을수행하여상기유동성재료상측면에상기제2스탬프의미세구조체패턴과역상인상측패턴을각인시키는제4단계및 상기상측패턴이각인된유동성재료에서상기제2스탬프를분리하여, 상기고분자기판상에유동성재료로이루어진양면패턴을성형하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면패턴의제조방법및 이에의해제조된양면패턴을이용한전사테이프를그 기술적요지로한다. 이에의해본 발명은간단한공정에의해양면패턴을동시에성형할수 있으며, 이후이종의기판또는박막에용이하게전사할수 있어다양한분야에의활용이가능한효과가있다.

公开(公告)号：KR101808683B1

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：KR1020160133590

申请日：2016-10-14

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 고유민 ,  박경호 ,  박형호 ,  조주영

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/333 ,  H01L29/778 ,  H01L21/66

Abstract: 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서는, 순차적으로적층되는오믹전극패턴, 베리어층과채널층을포함하는센싱구조물; 센싱구조물아래에서센싱구조물에전기적으로접속되는입출력회로구조물; 및센싱구조물상에서채널층의전면을덮어외부의유체(=가스또는액체)와반응하는감지막을포함하고, 센싱구조물은감지막과함께고 전자이동도트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 구조를이루고, 채널층과감지막은채널층의질소(N)-면(face)을통해서로접촉하는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른감지막의면적증대를통한고감도센서의제조방법도계속하여개시된다.

Abstract translation: 根据本发明的高灵敏度传感器包括：感测结构，包括顺序堆叠的欧姆电极图案，阻挡层和沟道层; 输入/输出电路结构，电性连接于感测结构下方的感测结构; 并且感测膜覆盖感测结构上的沟道层的整个表面并与外部流体（=气体或液体）反应，并且感测结构与感测膜一起形成高电子迁移率晶体管（HEMT）结构 并且沟道层和传感膜通过沟道层的氮（N）表面相互接触。 此外，还公开了通过增加根据本发明的传感膜的面积来制造高灵敏度传感器的方法。

公开(公告)号：KR1020170079438A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150190010

申请日：2015-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 신찬수 ,  조영대 ,  박경호 ,  박원규

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/311

Abstract: 본발명은실리콘(001) 기판상에반도체소자를형성하는방법에관한것으로서, 실리콘(001) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 실리콘(001) 기판상에전면또는광역시드층을형성하는제1단계와, 상기전면또는광역시드층영역상에패터닝공정을통해상기전면또는광역시드층이노출되도록절연막에의한 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을형성하는제2단계와, 상기전면또는광역시드층에연속하여상기 ART패턴영역상측으로반도체층을성장시키는제3단계를포함하여이루어진것을특징으로하는전면또는광역시드층을이용한실리콘(001) 기판상에반도체에피층을성장하는방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 실리콘(001) 기판상에전면또는광역시드층을형성하고, 전면또는광역시드층상에 ART패턴을형성하여, 실리콘과반도체층간의계면에서발생하는관통전위를트랩시켜결함이없는(defect free) 대면적의반도체소자를제공할수 있으며, 전면또는광역시드층의형성을통해 ART패턴영역내부로반도체층이고르게채워지면서성장하게되어고품위의화합물반도체에피층을제공하는이점이있다.

Abstract translation: 本发明形成硅（001）一种用于在衬底上的半导体生长皮质的方法，所述前部或大都市deucheung在硅（001）衬底涉及一种硅（001）衬底上形成半导体器件的方法 所述一个ART（深宽比捕捉），使得整个表面或城域deucheung在步骤1中，前或大都市deucheung区通过图案化工艺暴露形成图案，整个表面或绝缘膜的大都会deucheung的第二步骤 连续成为在硅（001）基板与所述前或大都市deucheung区域生长在半导体的技术图案皮质的方法，其特征在于，在步骤3用于半导体层生长到技术基体的上侧进行 。 完成的本发明是，在硅（001）形成于前或大都市deucheung在基板上，于前或大都市DE层形成图案ART捕获穿透位错在硅和无缺陷的半导体层表面存在的 作为均匀地填充到半导体层图案区域技术中的高品质的化合物半导体的皮质设置有点（无缺陷的），并且可以提供具有大面积的半导体器件，通过前或大都市deucheung的形成生长。