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公开(公告)号：KR101674000B1
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020137027936
申请日：2012-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 기판처리장치는, 유기금속화합물을포함하는원료가스를이용하여기판처리를행하는처리실과유기금속화합물을회수하는회수장치를포함한다. 회수장치는, 처리실로부터배출된가스가통류하는통류부, 통류부로유입된가스에포함되는미반응의유기금속화합물을통류부내에서석출시키도록상기통류부를냉각하는냉각부, 통류부의상류측과하류측을연통하는바이패스로, 통류부의상류측에설치되고, 처리실로부터배출된가스의통류부에의유입을허가또는저지하는제 1 개폐부, 통류부의상류측에설치되고, 처리실로부터배출된가스의바이패스로에의유입을허가또는저지하는바이패스로개폐부, 및통류부의하류측에설치된배출관을포함한다.
Abstract translation: 该基板处理装置包括：处理室，其中使用含有有机金属化合物的原料气体处理基板; 以及还原有机金属化合物的回收装置。 回收装置包括：循环单元，其中从处理室排出的气体循环; 冷却单元，其冷却循环单元，使得已经流入循环单元的气体中包含的未反应的有机金属化合物在循环单元内沉淀; 旁通通道，其在所述循环单元的上游侧和下游侧连通; 第一打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止从处理室排出的气体流入循环单元; 旁通通道打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止已经从处理室排出的气体流入旁通通道; 以及设置在循环单元的下游的排出管。
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公开(公告)号：KR101659469B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020147001078
申请日：2012-06-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76823 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76862 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 매립전극이형성되는신뢰성이높은반도체장치를저비용으로얻기위하여, 기판표면에절연막이형성되어있고, 상기절연막에형성된개구부의내부에금속산화물로이루어지는제 1 막을성막하는제 1 성막공정과, 상기제 1 막에원자형상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기수소라디칼처리공정후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는제 2 막을성막하는제 2 성막공정과, 상기제 2 막을성막한후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는전극을형성하는전극형성공정을가지는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101657859B1
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020147023484
申请日：2013-01-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/16 , H01L21/285 , H01L21/3105 , H01L23/532 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/0272 , C23C16/16 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/28556 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76843 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: SiCOH막으로이루어지는층간절연막에형성된매립용의오목부에구리재를매립하여도전로를형성함에있어, 도전로의저항을낮게하는것이다. SiCOH막(1)에플라즈마에의해오목부를형성할때에막으로부터 C가이탈하여손상층이형성되지만, 이것을불화수소산등으로제거하면표면이소수성으로된다. 이 SiCOH막(1)에대해서붕소화합물가스, 실리콘화합물가스혹은트리메틸알루미늄을포함하는가스를공급함으로써, B, Si 혹은 Al을 SiCOH막(1)상에흡착시킨다. 이들원자가 Ru와결합하므로 SiCOH막상으로의 Ru막(4)의형성이용이하게된다. 그다음에, 예를들면, Ru(CO)가스와 CO 가스를이용하여 CVD에의해 Ru막(4)을성막하고, 그후 구리(5)를매립하고, CMP 처리를행하여상층측의배선구조를형성한다.
Abstract translation: 通过将铜材料嵌入由SiCOH膜制成的层间绝缘膜中形成的用于嵌入的凹槽中，导电路径的电阻在形成导电路径时降低。 当通过等离子体在SiCOH膜1中形成凹陷时，C从膜释放以形成损伤层，如果通过氢氟酸等除去，则表面变得疏水。 通过将含有硼化合物气体，硅化合物气体或三甲基铝的气体供给至SiCOH膜1，B，Si或Al被吸附在SiCOH膜1上。 由于这些原子与Ru结合，因此在SiCOH膜上形成Ru膜4。 接着，使用例如Ru（CO）气体和CO气体通过CVD形成Ru膜4，然后掩埋铜5，并且执行CMP工艺以形成上布线结构 的。
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公开(公告)号：KR1020140029412A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020137027936
申请日：2012-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/18 , C23C16/4408 , H01L21/31
Abstract: 기판 처리 장치는, 유기 금속 화합물을 포함하는 원료 가스를 이용하여 기판 처리를 행하는 처리실과 유기 금속 화합물을 회수하는 회수 장치를 포함한다. 회수 장치는, 처리실로부터 배출된 가스가 통류하는 통류부, 통류부로 유입된 가스에 포함되는 미반응의 유기 금속 화합물을 통류부 내에서 석출시키도록 상기 통류부를 냉각하는 냉각부, 통류부의 상류측과 하류측을 연통하는 바이패스로, 통류부의 상류측에 설치되고, 처리실로부터 배출된 가스의 통류부에의 유입을 허가 또는 저지하는 제 1 개폐부, 통류부의 상류측에 설치되고, 처리실로부터 배출된 가스의 바이패스로에의 유입을 허가 또는 저지하는 바이패스로 개폐부, 및 통류부의 하류측에 설치된 배출관을 포함한다.
Abstract translation: 该基板处理装置包括：处理室，其中使用含有有机金属化合物的原料气体处理基板; 以及回收有机金属化合物的回收装置。 回收装置包括：循环单元，其中从处理室排出的气体循环; 冷却单元，其冷却循环单元，使得已经流入循环单元的气体中包含的未反应的有机金属化合物在循环单元内沉淀; 旁通通道，其在所述循环单元的上游侧和下游侧连通; 第一打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止从处理室排出的气体流入循环单元; 旁通通道打开/关闭单元，设置在循环单元的上游，并允许或防止已经从处理室排出的气体流入旁通通道; 以及设置在循环单元的下游的排出管。
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公开(公告)号：KR101347430B1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020127006748
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130035924A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120107787
申请日：2012-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering system and a method thereof are provided to uniformly form high density plasma by linearly arranging magnets formed in the outermost part. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target. A magnet arrangement body(5) arranges a magnet group(52) in a basic body. A rotation tool rotates the arrangement body around a substrate. A magnet positioned in the outermost part of the magnet group is linearly arranged. The distance between the substrate and the target is 30 mm or less.
Abstract translation: 目的：提供磁控溅射系统及其方法，通过直线排列形成在最外部的磁体来均匀地形成高密度等离子体。 构成：电源单元向目标电压施加电压。 磁体排列体（5）将磁体组（52）布置在基体内。 旋转工具使布置体围绕衬底旋转。 位于磁体组的最外部的磁体线性排列。 基板与靶之间的距离为30mm以下。
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公开(公告)号：KR1020120135913A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020127027053
申请日：2011-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/76829 , C23C14/025 , C23C14/18 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/56 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/42 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 표면에 오목부를 갖는 피처리체의 표면에 오목부를 매립하도록 박막을 형성하는 박막의 형성 방법으로서, 상기 오목부를 포함하는 상기 피처리체의 표면에 매립용의 금속막을 형성해서 상기 오목부를 매립하는 공정과, 상기 금속막을 덮도록 해서 상기 피처리체의 표면의 전면(全面)에 확산 방지용의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 확산 방지용의 금속막이 형성된 상기 피처리체를 어닐하는 공정을 포함하는 박막의 형성 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120040749A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR1020127006748
申请日：2010-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 500℃이상의 온도의 처리를 수반하는 후공정이 실시되는 Cu배선의 형성 방법은 표면에 트렌치 및/또는 홀을 갖는 기판상의 적어도 트렌치 및/또는 홀의 저면과 측면에, Cu의 격자면 간격과의 차가 10%이내의 격자면 간격을 갖는 금속으로 이루어지는 밀착막을 형성하는 공정과, 밀착막의 위에 상기 트렌치 및/또는 홀을 메우도록 Cu막을 형성하는 공정과, Cu막 형성 후의 기판에 350℃이상의 아닐 처리를 실행하는 공정과, Cu막을 연마하여 Cu막의 트렌치와 홀 중에 적어도 하나에 대응하는 부분만을 잔존시키는 공정과, 연마 후의 Cu막에 캡을 형성하여 Cu배선으로 하는 공정을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110117700A
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020117020855
申请日：2010-03-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도 이상의 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110027693A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020107028339
申请日：2009-08-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , B01D53/14 , B01D53/72 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 본 발명은, 특정한 냉매에 대하여 분해되지 않고 안정된 특성을 갖는 유기 금속 화합물의 원료를 기화시켜 얻어진 원료 가스를 이용하여 피처리체의 표면에 금속의 박막을 형성하도록 한 처리 용기로부터 배출되는 배기 가스중으로부터, 상기 원료를 회수하는 원료 회수 방법에 있어서, 상기 배기 가스를 상기 냉매와 접촉시켜 냉각함으로써, 미반응의 원료 가스를 응고시키고, 상기 원료를 재석출시키는 응고 공정과, 상기 응고 공정에서 재석출된 상기 원료를, 상기 냉매로부터 분리하여 회수하는 회수 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 원료 회수 방법이다.
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