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公开(公告)号：KR101049801B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020090018927
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 서진욱 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 안지수 , 김영대 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 리사첸코,막심
IPC: H01L21/205 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C14/04 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。
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公开(公告)号：KR101041147B1
公开(公告)日：2011-06-13
申请号：KR1020100031962
申请日：2010-04-07
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor including a multi crystal semiconductor layer, a method for manufacturing an active layer of the thin film transistor and a display device are provided to prevent the deterioration of a semiconductor property due to the concentration difference of metal catalyst by forming first and second multi crystal semiconductor layers with a third width by using the diffusion of the metal catalyst. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(111). A first polycrystalline semiconductor layer(136) is formed on the buffer layer. A metal catalyst(125) is adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer. A second polycrystalline semiconductor layer(137) is formed on the first polycrystalline semiconductor layer. The first and second polycrystalline semiconductor layers are crystallized through metal catalyst.
Abstract translation: 目的：提供一种包括多晶半导体层的薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的有源层的方法和显示装置，以防止由于金属催化剂的浓度差而导致的半导体特性劣化 以及通过使用金属催化剂的扩散而具有第三宽度的第二多晶半导体层。 构成：在衬底（111）上形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成第一多晶半导体层（136）。 金属催化剂（125）与第一多晶半导体层相邻。 在第一多晶半导体层上形成第二多晶半导体层（137）。 第一和第二多晶半导体层通过金属催化剂结晶。
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公开(公告)号：KR101041143B1
公开(公告)日：2011-06-13
申请号：KR1020090033235
申请日：2009-04-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 소병수 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 마이단축이반 , 백원봉 , 정재완
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단-
54.发明公开다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터, 그를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법 有权聚硅氧烷，薄膜晶体管的制造方法，其制造方法，包含其的有机发光二极管显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110056084A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090112770
申请日：2009-11-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/0206 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/477 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: PURPOSE: A fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same are provided to improve the property of a semiconductor layer by minimizing the amount of metal silicide and metallic catalyst within an amorphous silicon layer. CONSTITUTION: In a fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same, a buffer layer(110) is formed on a substrate(100). A metal catalytic layer(115) is formed on the buffer layer. The metallic catalyst of the metal catalytic layer is expanded to the buffer layer. The metal catalytic layer is removed. The amorphous silicon layer is formed on the buffer layer. An amorphous silicon layer is hardened to be polycrystalline silicon layer by thermal-processing the substrate.
Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法，薄膜晶体管，其制造方法，其制造方法及其制造方法及其制造方法，以通过使金属的量最小化来提高半导体层的性能 非晶硅层内的硅化物和金属催化剂。 构成：在多晶硅的制造方法中，薄膜晶体管及其制造方法，包括该多晶硅的有机发光二极管显示装置及其制造方法，在基板（100）上形成缓冲层（110） 。 在缓冲层上形成金属催化剂层（115）。 金属催化剂层的金属催化剂扩展到缓冲层。 去除金属催化剂层。 在缓冲层上形成非晶硅层。 通过热处理衬底，非晶硅层被硬化为多晶硅层。
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公开(公告)号：KR1020110019965A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077605
申请日：2009-08-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정윤모 , 양태훈 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 최보경 , 정재완 , 소병수 , 백원봉 , 마이단축이반
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B01D8/00 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , Y02C20/30
Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.
Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100100186A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018927
申请日：2009-03-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 정윤모 , 이기용 , 정민재 , 서진욱 , 홍종원 , 나흥열 , 강유진 , 장석락 , 양태훈 , 안지수 , 김영대 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 윤상연 , 박종력 , 최보경 , 리사첸코,막심
IPC: H01L21/205 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C14/04 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。
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公开(公告)号：KR1020100099917A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090018490
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 정민재 , 홍종원 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 서진욱 , 안지수 , 양태훈 , 김영대 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 윤상현
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/042 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.
Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。
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公开(公告)号：KR1020100099616A
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020090018199
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to improve the electrical property by regulating the concentration of metal catalyst in a crystallized semiconductor layer. CONSTITUTION: A silicon film(105) is formed on a substrate(100). A diffusion layer(115) is formed on the upper side of the silicon film. A semiconductor layer, which is crystallized using metal catalyst, is formed on the diffusion layer. A gate electrode(150) is located to correspond to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(140) is located between the gate electrode and the semiconductor layer in order to insulate the gate electrode and the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过调节结晶半导体层中金属催化剂的浓度来改善电性能。 构成：在衬底（100）上形成硅膜（105）。 扩散层（115）形成在硅膜的上侧。 在扩散层上形成使用金属催化剂结晶化的半导体层。 栅电极（150）被定位成对应于半导体层的沟道区。 为了使栅电极和半导体层绝缘，栅极绝缘膜（140）位于栅电极和半导体层之间。
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59.发明公开
公开(公告)号：KR1020100078863A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080137242
申请日：2008-12-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L29/66757 , H01L29/78696 , H01L21/2022
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of poly-crystal silicon, a thin layer transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electronic light emitting display device are provided to improve the electrical characteristic of the thin layer transistor with controlling of the leakage current by controlling the concentration of the remaining metal catalyst on a semiconductor layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate(100). A first semiconductor layer is formed on the buffer layer. A second semiconductor layer(170) is formed on the first semiconductor layer. A gate electrode(185) is insulated from the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A gate insulating layer(180) insulates the first semiconductor layer and the second semiconductor layer from the gate electrode. Source/drain electrodes(200a,200b) is connected to one part of the second semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供一种多晶硅制造方法，薄膜晶体管，其制造方法和有机电子发光显示装置，通过控制漏电流来改善薄膜晶体管的电气特性 余下的金属催化剂在半导体层上的浓度。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成第一半导体层。 在第一半导体层上形成第二半导体层（170）。 栅电极（185）与第一半导体层和第二半导体层绝缘。 栅极绝缘层（180）使第一半导体层和第二半导体层与栅电极绝缘。 源极/漏极（200a，200b）连接到第二半导体的一部分。
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公开(公告)号：KR100965260B1
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020080008159
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/458 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66765
Abstract: 본 발명은 게터링 사이트로써, 소스/드레인 전극 물질층을 이용하여 반도체층에 잔존하는 결정화를 위한 금속 촉매의 양을 감소시켜 누설 전류 특성 및 박막트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 바텀 방식의 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하고, 금속 촉매를 이용하여 결정화된 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하고, 소스/드레인 영역에 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소스/드레인 전극 하부의 상기 반도체층 영역 내에는 상기 반도체층의 표면으로부터 일정 깊이까지 금속 촉매와 다른 금속 또는 상기 다른 금속의 금속실리사이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터를 제공한다.
박막트랜지스터, 게터링, 바텀 게이트, 소스/드레인 전극Abstract translation: 本发明吸除部位作为源/漏极材料层通过使用用于残留在半导体层的泄漏电流特性结晶的金属催化剂以及薄膜底部的系统，可以提高晶体管的电特性的薄膜的减少量的 晶体管及其制造方法，以及具有该晶体管的有机发光显示器。
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