公开(公告)号：KR1020060058744A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097470

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정진우 ,  김대용

IPC: H01J37/26

Abstract: 마이크로 컬럼 정렬 및 접합용 장치를 제공한다. 본 발명은 현미경 스테이지 상에 놓여지면서, 상부 표면에는 유리 절연층에 의하여 분리된 상단 및 하단 마이크로 컬럼 구성품이 놓여지는 지지부와, 상기 지지부 양단에 위치하여 상기 지지부에 고정되는 숫나사 및 그에 따른 암나사를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 지지부와 이격되어 상기 지지부 상부를 가로 질러서 위치하고, 상기 숫나사는 양단의 제1 관통홀을 통과하고 상기 암나사는 상기 제1 관통홀 상부에 위치하여 고정되는 석영 막대와, 상기 석영 막대의 중앙부에 설치된 제2 관통홀을 통하여 상기 마이크로 컬럼 구성품을 위에서 아래로 압력을 인가하여 상기 마이크로 컬럼 구성품을 고정할 수 있는 스프링 전극을 포함하여 이루어진다. 이에 따라, 본 발명의 마이크로 컬럼 정렬 및 접합용 장치는 많은 주의와 시간이 소모되지 않고 보다 용이하고 정밀하게 마이크로 컬럼을 정렬 및 접합할 수 있다.

公开(公告)号：KR100520305B1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：KR1020030021406

申请日：2003-04-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 곽창수 ,  임을균 ,  김대용

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F9/703 ,  G01B11/14 ,  G03F9/7038

Abstract: 간격 측정 장치 및 그 방법을 제공한다. 본 발명은 일정 간격 떨어져 있는 마스크와 기판 상부에 위치하고, 상기 마스크와 기판 상에서 수평이동하면서 레이저빔을 발사하고 상기 마스크와 기판에서 각각 반사되어 돌아오는 레이저빔의 수광위치를 근거로 측정한 거리값의 변화로 상기 마스크와 기판 사이의 간격을 측정하는 레이저 변위 센서를 포함한다. 이상과 같이 본 발명은 마스크와 기판 사이의 간격을 레이저 변위 센서를 이용하여 원하는 위치에서 간단하게 마스크와 기판 사이의 간격을 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100506480B1

公开(公告)日：2005-08-08

申请号：KR1020000082357

申请日：2000-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 여순일 ,  엄낙웅 ,  김대용

IPC: H04N5/44 ,  H04N5/64

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 화면 확대용 렌즈 제어 장치 및 그 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, TV 수상기나 모니터 등의 디스플레이 장치에 직접 렌즈를 부착하여 렌즈와 대상 확대 화면 사이에 발생하는 오차를 보정함으로써, 대상 화면이 선명하게 확대되도록 제어하기 위한 화면 확대용 렌즈 제어 장치 및 그 방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 외부로부터 전달되는 원래신호와 감시신호를 픽셀 형태로 만들어 입력하기 위한 신호 입력수단; 상기 신호 입력수단을 통해 전달되는 픽셀 형태의 신호를 디지털 신호로 만들 수 있도록 원래신호와 감시신호를 픽셀화하여 저장하고, 원래신호와 감시신호와의 오차를 보상하기 위한 자료를 미리 계산하여 저장하기 위한 저장수단; 상기 신호 입력수단을 통해 전달되는 원래신호 및 감시신호를 비교 분석한 결과에 따른 오차를 상기 저장수단에 저장된 오차와 대비하여 선명도를 조절하기 위한 선명도 조절수단; 상기 선명도 조절수단을 통해 오차가 보상된 각각의 신호들을 서로 합성하기 위한 신호합성수단; 상기 신호합성수단을 통해 선명도가 확보된 신호를 전달받아 렌즈 제어수단이 받아들일 수 있는 신호로 만들어 출력하기 위한 신호출력수단; 상기 신호출력수단을 통해 전달되는 영사용 렌즈와 감시용 렌즈에 대한 제반 제어를 수행하기 위한 상기 렌즈 제어수단; 및 상기 렌즈 제어수단을 통해 출력되는 신호에 따라 화면을 확대시키기 위한 화면 확대수단을 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 화면 확대 장치 등에 이용됨.

公开(公告)号：KR100497839B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020020062753

申请日：2002-10-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신용우 ,  최상국 ,  김대용 ,  강동열

IPC: G02B7/02

Abstract: 본 발명은 마이크로 컬럼 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 컬럼 제작 시 마이크로 렌즈 구성 소자들과 절연 스페이서들을 먼저 교호로 부착한 후 포커스드 이온빔(Focused Ion Beam; FIB)을 이용하여 마이크로 렌즈 구성 소자들에 개구를 형성함으로써, 마이크로 렌즈 구성 소자들과 절연 스페이서 부착 시 발생될 수 있는 개구의 정렬 오차 발생을 방지하고 오염 발생을 방지하면서 개구를 정렬시킬 수 있는 마이크로 컬럼 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1020040052062A

公开(公告)日：2004-06-19

申请号：KR1020020079787

申请日：2002-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김대용 ,  곽창수 ,  임을균 ,  신용우 ,  강동열 ,  최상국

IPC: H01J1/30 ,  C01B31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: An electron beam source module and a method are provided to allow for ease of gap adjustment and alignment between a field emission tip and an extractor electrode. CONSTITUTION: An electron beam source module comprises a semiconductor substrate(31); a first insulating film(32) formed on the semiconductor substrate, and which has a cavity(36) for exposing the surface of the semiconductor substrate; a single crystal silicon thin film(33) formed on the first insulating film, and which has an opening(35) smaller than the cavity of the first insulating film; a barrier metal(38) and a metal catalyst(39) stacked on the center of the center of the exposed surface of the semiconductor substrate in the cavity; and a carbon nanotube field emission tip formed on the metal catalyst in the direction vertical to the semiconductor substrate and self-aligned in the opening.

Abstract translation: 目的：提供电子束源模块和方法，以便容易地进行场发射尖端和提取器电极之间的间隙调整和对准。 构成：电子束源模块包括半导体衬底（31）; 形成在所述半导体基板上的第一绝缘膜，具有用于使所述半导体基板的表面露出的空腔; 形成在第一绝缘膜上的单晶硅薄膜（33），其具有比第一绝缘膜的空腔小的开口（35）; 阻挡金属（38）和金属催化剂（39），其堆叠在所述空腔中的半导体衬底的暴露表面的中心的中心; 以及在垂直于半导体衬底的方向上在金属催化剂上形成并在开口中自对准的碳纳米管场发射尖端。

公开(公告)号：KR100432784B1

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1020020034282

申请日：2002-06-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 곽창수 ,  임을균 ,  김대용 ,  손영수

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A mask align apparatus of vertical exposure equipment is provided to more easily transfer a substrate due to a decrease of weight and volume of a substrate transfer apparatus by aligning a mask in directions of X, Y, Z, theta X, theta Y and theta Z. CONSTITUTION: A Z-direction guide rail(101) is installed in a horizontal base. A Z-direction transfer unit is coupled to the Z-direction guide rail, capable of gliding. A Y-direction align unit(200) is installed in the Z-direction transfer unit. A frame box(300) is composed of an upper plate, a lower plate and both sidewalls, mounted on the Y-direction align unit. Each tilt direction align unit(500) is installed in the upper and lower portions of a main frame(301) connected between the upper and lower plates of the frame box. Each X-direction straight line operating unit(402) is installed in the upper and lower plates of the frame box. A frame hanger(503b) is installed in the upper end of an align frame(302) connected between the X-direction straight line operating units. The upper and lower portions of the rear surface of a mask mounting frame(303) hung on the frame hanger come in contact with the tilt direction align unit protruding through the align frame. A mask frame(304) supports the mask(100), fixed to the front surface of the mask mounting frame.

Abstract translation: 目的：提供垂直曝光设备的掩模对准装置，以通过沿X，Y，Z，θX，θY和θ方向对准掩模，由于基板传送装置的重量和体积的减小而更容易地转移基板 θZ.构成：Z方向导轨（101）安装在水平底座上。 Z方向传送单元联接到Z方向导轨，能够滑动。 Y方向对齐单元（200）安装在Z方向传送单元中。 框架箱（300）由安装在Y方向对准单元上的上板，下板和两个侧壁组成。 每个倾斜方向对齐单元（500）安装在连接在框架箱的上板和下板之间的主框架（301）的上部和下部。 每个X方向直线操作单元（402）安装在框架箱的上下板中。 框架吊架（503b）安装在连接在X方向直线操作单元之间的对齐框架（302）的上端。 悬挂在框架悬挂器上的掩模安装框架（303）的后表面的上部和下部与穿过对齐框架突出的倾斜方向对齐单元接触。 面罩框架（304）支撑固定到面罩安装框架的前表面的面罩（100）。

公开(公告)号：KR100398046B1

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020010047622

申请日：2001-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  권성구 ,  유성욱 ,  박건식 ,  김보우 ,  김대용

IPC: H01L21/768

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a metal interconnection of a semiconductor device is provided to prevent a fine pillar-type metal pattern, by making metal layers connected by a pillar-type metal pattern, by forming the metal pattern after a process for patterning a metal layer for forming a lower metal interconnection, by having the lower metal interconnection and the metal pad made of a metal layer, and by making the lower portion of the metal pattern broader than the upper portion. CONSTITUTION: An interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate(301) and patterned to form a contact hole so that a predetermined portion of the substrate is exposed. A metal layer and an anti-reflective coating(ARC) are sequentially formed on the interlayer dielectric to fill the contact hole. The ARC is patterned. The metal layer in the exposed portion is etched to form a lower metal interconnection. After a photoresist layer is formed, a predetermined photoresist layer pattern is formed on the ARC. The photoresist layer is patterned to make the photoresist layer left between the lower metal interconnections. After the ARC is patterned, the metal layer in the exposed portion is etched to form the metal pattern. After a spacer(306) is formed on the sidewall of the metal pattern and the lower metal interconnection, the metal layer in the exposed portion is etched. The second interlayer dielectric(313) is formed and planarized until the surface of the metal pattern is exposed. A metal interconnection is formed on the second interlayer dielectric.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的金属互连的方法，以通过在用于图案化金属图案的工艺之后形成金属图案来制造通过柱型金属图案连接的金属层来防止细柱型金属图案 通过使下金属互连和由金属层制成的金属焊盘以及通过使金属图案的下部比上部宽而形成下金属互连。 构成：在半导体衬底（301）上形成层间电介质并将其图案化以形成接触孔，使得衬底的预定部分被暴露。 在层间电介质上顺序形成金属层和抗反射涂层（ARC）以填充接触孔。 ARC是图案化的。 暴露部分中的金属层被蚀刻以形成下金属互连。 在形成光致抗蚀剂层之后，在ARC上形成预定的光致抗蚀剂层图案。 将光致抗蚀剂层图案化以使光致抗蚀剂层留在下金属互连之间。 在ARC被图案化之后，暴露部分中的金属层被蚀刻以形成金属图案。 在金属图案的侧壁和下金属互连上形成间隔件（306）之后，蚀刻暴露部分中的金属层。 形成并平坦化第二层间电介质（313），直到金属图案的表面暴露。 在第二层间电介质上形成金属互连。

公开(公告)号：KR100348902B1

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：KR1019990053887

申请日：1999-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  이진희 ,  김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  김대용

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/42316

Abstract: 본발명은저잡음고속정보통신용 GaAs 소자인 HEMTs(high electron mobility transistors) 의감마게이트용레지스트패턴의제조방법을개시한다. 본발명에따른감마게이트제조방법은, GaAs 기판상에제 1 레지스트를도포하고, 노광및 현상한후, 경화시켜서제 1 레지스트패턴을형성하는단계, 및상기 GaAs 기판및 제 1 레지스트패턴상에제 2 레지스트를도포하고, 노광및 현상한후, 경화시켜서제 2 레지스트패턴을형성하는단계를구비하며, 상기제 1 및제 2 레지스트패턴으로덮이지않은상기 GaAs 기판의부분을상기감마게이트의발이형성되는영역으로정의하고, 상기제 1 레지스트패턴으로덮여있지만상기제 2 레지스트패턴으로는덮이지않은상기 GaAs 기판의부분을상기감마게이트의머리가형성되는영역으로정의한다.

公开(公告)号：KR1020020036471A

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020000066649

申请日：2000-11-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임태영 ,  엄낙웅 ,  이천희 ,  김대용

IPC: G06F17/50

Abstract: PURPOSE: A method for generating a VHDL(Very High-speed integrated circuit Description Language) code by using the waveform transformation of an IP(Internet Protocol) interface is provided to be usefully applied to the designing of an asynchronous circuit excluding a main clock. CONSTITUTION: The method comprises steps of tabulating a truth table by enlarging a rising edge section in an optional sequential circuit waveform and dividing the waveform of input and output signals into many motion sections in a specific sequence(S1), classifying the input signals into a level signal and a pulse signal based on the output signals on the truth table(S2), simplifying the truth table and settling the remaining motion sequence(S3), drawing a flow chart of the remaining motion sequence depending on respective output signals(S4), writing a VHDL source code by referring to the flow chart(S5), and synthesizing an asynchronous electronic circuit with the VHDL source code by using a CAD(Computer-Aided Design) tool(S6).

Abstract translation: 目的：提供通过使用IP（因特网协议）接口的波形变换来生成VHDL（超高速集成电路描述语言）代码的方法，以有效地应用于不包括主时钟的异步电路的设计。 构成：该方法包括通过以可选的顺序电路波形放大上升沿部分并以特定顺序将输入和输出信号的波形划分成许多运动部分（S1），将输入信号分类为 基于真值表（S2）上的输出信号的脉冲信号和脉冲信号，简化真值表并确定剩余运动序列（S3），根据各个输出信号绘制剩余运动序列的流程图（S4） ，通过参考流程图（S5）来编写VHDL源代码，并通过使用CAD（计算机辅助设计）工具（S6）合成具有VHDL源代码的异步电子电路。

公开(公告)号：KR100306744B1

公开(公告)日：2001-12-17

申请号：KR1019980049309

申请日：1998-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남기수 ,  노태문 ,  김상기 ,  김종대 ,  이대우 ,  구진근 ,  김대용

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 스텝모터, 자동차, 평판 디스플레이 구동 집적회로 등에 사용되는 고 전압 전력소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 실리콘 기판 위에 웰을 형성하고, 드레인 영역과 소오스 영역을 형성하는 공정과; 트렌치 구조를 형성하는 공정과; 산화막을 성장한 후, 트렌치 측벽에 실리콘 질화막을 형성하는 공정과; 드리프트 영역의 상기 실리콘 질화막 측벽을 제거 한 후 제 1필드 산화막을 성장하고, 채널 영역의 상기 실리콘 질화막을 제거한 다음 상기 제 1필드 산화막 보다는 얇은 두께의 게이트 산화막을 성장하는 공정과; 불순물이 도핑된 다결정실리콘 박막을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 공정과; 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 트렌치 게이트 전력소자 제조방법을 제공한다. 또, 본 발명은 먼저 트렌치 구조를 형성한 후, 웰, 소오스, 드레인 영역을 형성하고, 트렌치 게이트를 형성하는 순서로 트렌치 게이트 전력소자를 제조할 수 있다. 이와 같은 본 발명은, 수직채널 구조를 제공하고, 소자가 차지하는 면적을 줄임과 동시에 높은 항복 전압과 낮은 ON-저항값을 갖는 전력소자를 제조할 수 있고, 얇은 게이트 단일 산화막을 사용한 전력소자보다 전류 이득의 감소 없이 항복 전압 특성을 향상시킬 수 있는 전력소자 제조방법을 제공한다.