公开(公告)号：DE102018106967B3

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018106967

申请日：2018-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (500) weist einen SiC Halbleiterkörper (100) auf. In dem SiC Halbleiterkörper (100) sind eine Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein Halbleitergebiet (120, 140) ausgebildet. Barrierestrukturen (180), die sich von dem Halbleitergebiet (120, 140) in die Driftzone (131) erstrecken, unterscheiden sich von den Gatestrukturen (150).

公开(公告)号：DE102018123596A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018123596

申请日：2018-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  RUPP ROLAND ,  ZIPPELIUS BERND ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  SCHÖRNER REINHOLD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: In Abschlussgebieten eines Siliziumcarbidsubstrats werden Feldzonen mittels Ionenimplantation ausgebildet, wobei durch laterales Modulieren einer Verteilung von Dotierstoffen, die über die Ionenimplantation in das Siliziumcarbidsubstrat eindringen, eine horizontale Netto-Dotierstoffverteilung in den Feldzonen so eingerichtet wird, dass sie von einer maximalen Netto-Dotierstoffkonzentration Nmax innerhalb von zumindest 200 nm auf Nmax/e zu fallen, wobei e die Eulersche Zahl repräsentiert. Die Feldzonen bilden erste pn-Übergänge mit einer Driftschicht.

公开(公告)号：DE102012103180B4

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102012103180

申请日：2012-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine vertikale Leistungshalbleitervorrichtung (100), umfassend:einen SiC-Halbleiterkörper (102), wobei wenigstens ein Teil des SiC-Halbleiterkörpers (102) eine Driftzone ausbildet;einen ersten Kontakt (108) an einer ersten Seite (110) des SiC-Halbleiterkörpers (102);einen zweiten Kontakt (112) an einer zweiten Seite (114) des SiC-Halbleiterkörpers (102), wobei die erste Seite (110) der zweiten Seite (114) gegenüberliegt; undeinen Strompfad (116) zwischen dem ersten Kontakt (108) und dem zweiten Kontakt (112), wobei der Strompfad (116) wenigstens eine Graphenschicht umfasst; und wobeider Strompfad (116) entlang der Driftzone zwischen dem ersten Kontakt (108) und dem zweiten Kontakt (112) die wenigstens eine Graphenschicht umfasst und, in Parallelschaltung hierzu, einen Teil des SiC-Halbleiterkörpers (102).

公开(公告)号：DE102016111998A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016111998

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Durch Richten eines Ionenstrahls (690) mit einer Strahldivergenz (θ) auf eine Prozessoberfläche (101a) eines Halbleitersubstrats (500a) werden parallele Elektrodengräben (150a) im Halbleitersubstrat (500a) ausgebildet. Eine Mittelachse des gerichteten Ionenstrahls (690) ist zu einer Normalen (105) zur Prozessoberfläche (101a) unter einem Neigungswinkel (α) geneigt, wobei der Neigungswinkel (α) und/oder die Strahldivergenz (θ) ungleich Null sind/ist. Das Halbleitersubstrat (500a) wird entlang einer Richtung parallel zur Prozessoberfläche (101a) während einer Ausbildung der Elektrodengräben (150a) bewegt. Eine leitfähige Elektrode (155) wird in den Elektrodengräben (150a) ausgebildet, wobei erste Seitenwände (151) der Elektrodengräben (150a) zur Normalen (105) unter einem ersten Böschungswinkel (φ1) mit φ1 = (α + θ/2) geneigt sind und zweite Seitenwände (152) zur Normalen (105) unter einem zweiten Böschungswinkel (φ2) mit φ2 = (α– θ/2) geneigt sind.

公开(公告)号：DE102015103067B3

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE102015103067

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Trenchgatestrukturen (150) in einem Halbleiterkörper (100) mit hexagonalem Kristallgitter. Eine mittlere Oberflächenebene (101x) der ersten Oberfläche (101) ist zu einer -Kristallrichtung um einen Versetzungsachswinkel (α) geneigt, wobei ein Absolutwert des Versetzungsachswinkels (α) in einem Bereich von 2 Grad bis 12 Grad ist. Die Trenchgatestrukturen (150) erstrecken sich ausgerichtet längs der -Kristallrichtung. Teile des Halbleiterkörpers (100) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150) bilden Transistormesas (170). Seitenwände der Transistormesas (170) weichen von einer Normalen zu der mittleren Oberflächenebene (101x) um nicht mehr als 5 Grad ab.

公开(公告)号：DE102015120547A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102015120547

申请日：2015-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRANK THOMAS ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KONRATH JENS PETER ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/43

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement (100) Folgendes enthalten: einen Schichtenstapel, der auf einer Oberfläche des Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist, wobei der Schichtenstapel aufweist: eine Metallisierungsschicht (106), die ein erstes Metall oder eine erste Metalllegierung enthält; eine Schutzschicht (108), die die Metallisierungsschicht (106) abdeckt, wobei die Schutzschicht (108) ein zweites Metall oder eine zweite Metalllegierung enthält, das weniger edel als das erste Metall oder die erste Metalllegierung ist.

公开(公告)号：DE102015109192A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109192

申请日：2015-06-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HECHT CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/30 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Repräsentative Implementierungen von Vorrichtungen und Techniken stellen eine optimierte Schicht für ein Halbleiterbauelement bereit. In einem Beispiel kann ein dotierter Bereich eines Wafers, der eine Substratsschicht (102) bildet, von dem Wafer zu einem Akzeptor oder Handhabungswafer übertragen werden. Eine Bauelementschicht (104) kann auf die Substratsschicht (102) aufgebracht werden. Der Akzeptorwafer (106) wird von der Substratsschicht (102) getrennt. In manchen Beispielen kann eine weitere Bearbeitung mit Bezug auf die Substrat- und/oder Bauelementschicht (104) durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102014107172A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107172

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  PFIRSCH FRANK DIETER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WERNER WOLFGANG

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338

Abstract: Es ist eine Feldeffekt-Halbleitervorrichtung vorgesehen, die einen Halbleiterkörper (40) mit einer Hauptfläche (101) aufweist. Der Halbleiterkörper (40) umfasst, in einem vertikalen Querschnitt im Wesentlichen orthogonal zur Hauptfläche (101), eine Driftschicht (1a) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Halbleitermesa (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an die Driftschicht (1a) angrenzt, sich im Wesentlichen zur Hauptfläche (101) erstreckt und zwei Seitenwände aufweist, und zwei zweite Halbleitergebiete (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die benachbart zu der Halbleitermesa (1b) angeordnet sind. Jedes der beiden zweiten Halbleitergebiete (2) bildet einen pn-Übergang wenigstens mit der Driftschicht (1a). Ein Gleichrichterübergang (18) ist wenigstens an einer der beiden Seitenwände der Mesa gebildet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung einer Heteroübergangs-Halbleitervorrichtung vorgesehen.

公开(公告)号：FR2987168A1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1300612

申请日：2013-03-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, caractérisé en ce qu'on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.

公开(公告)号：FR2979033A1

公开(公告)日：2013-02-15

申请号：FR1202206

申请日：2012-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.