公开(公告)号：DE102013209513A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209513

申请日：2013-05-22

Applicant: IBM ,  KING ABDULAZIZ CITY SCI & TECH

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K ,  ALHOMOUDI IBRAHIM ,  LI NING

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren zum Abtrennen lokaler Gebiete eines Basissubstrats unter Verwendung von wenigstens einem Teilbereich einer Stressorschicht, der sich auf einem Teilbereich einer obersten Oberfläche eines Basissubstrats befindet, jedoch nicht auf der gesamten. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Basissubstrats mit einer gleichmäßigen Dicke und einer planaren obersten Oberfläche, die sich über eine Gesamtheit des Basissubstrats hinweg erstreckt. Wenigstens ein Teilbereich der Stressorschicht, der eine Form aufweist, wird auf wenigstens einem Teilbereich der obersten Oberfläche des Basissubstrats gebildet, jedoch nicht auf der gesamten. Es wird ein Abtrennen durchgeführt, das einen Teilbereich einer Materialschicht von dem Basissubstrat entfernt und einen verbleibenden Teilbereich des Basissubstrats bereitstellt. Der Teilbereich der Materialschicht weist die Form des wenigstens einen Teilbereichs der Stressorschicht auf, während der verbleibende Teilbereich des Basissubstrats wenigstens eine darin befindliche Öffnung aufweist, die mit der Form der wenigstens einen Stressorschicht korreliert.

公开(公告)号：DE112012000962T5

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：DE112012000962

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： KHAKIFIROOZ ALI ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Epitaxieverfahren umfasst das Bereitstellen (402) einer frei liegenden kristallinen Zone eines Substratmaterials. Silicium wird in einem Niedertemperaturverfahren epitaxial auf dem Substratmaterial abgeschieden (404), wobei eine Abscheidungstemperatur weniger als 500°C beträgt. Ein Quellengas wird mit einem Verdünnungsgas mit einem Gasverhältnis des Verdünnungsgases zum Quellengas von weniger als 1.000 verdünnt (408).

公开(公告)号：DE102013207490A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：DE102013207490

申请日：2013-04-25

Applicant: IBM

Inventor： CHEN TZE-CHIANG ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/50 ,  H01L31/036

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit umfasst das Bereitstellen eines Substrats. Eine Schicht wird abgeschieden, um eine oder mehrere Schichten eines Photovoltaikstapels auf dem Substrat zu bilden. Das Abscheiden der amorphen Schicht umfasst das Durchführen einer Blitzabscheidung mit hoher Leistung zum Abscheiden eines ersten Teils der Schicht. Es wird eine Abscheidung mit niedriger Leistung durchgeführt, um einen zweiten Teil der Schicht abzuscheiden.

公开(公告)号：DE102012213849A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213849

申请日：2012-08-06

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  CHU JACK O ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687

Abstract: Eine Einheit und ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten beinhalten das Bereitstellen eines Trägersubstrats, das ein einkristallines Gruppe-III/V-Material enthält. Das Trägersubstrat bildet eine Gruppe-III/V-Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten. Auf dem Gruppe-III/V-Material wird eine Germaniumschicht mit passenden Gitterkonstanten epitaxial abgeschieden, um eine fertige Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten zu bilden. Die Germaniumschicht wird mit einem Fremdsubstrat verbunden.

公开(公告)号：DE10003014B4

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：DE10003014

申请日：2000-01-25

Applicant: IBM

Inventor： LEOBANDUNG EFFENDI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SCHEPIS DOMINIC J ,  SHAHIDI GHAVAM

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: A planar silicon-on-insulator (SOI) structure and a process for fabricating the structure. The SOI structure has a silicon wafer, an oxide layer, and a silicon layer. Trenches are formed, extending from the top surface of the structure to the silicon wafer, and are filled with a semiconductor. The trenches have a top, a bottom, and side walls. The side walls have side-wall silicon portions. The side-wall silicon portions of the trench side walls are covered by trench side-wall oxide layers. A protective side wall extends over the trench side walls and trench side-wall oxide layers from the trench top to the trench bottom.

公开(公告)号：DE102012025774B3

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：DE102012025774

申请日：2012-07-12

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Erzeugen einer dotierten Gruppe-III/V-Substratschicht;Bilden einer intrinsischen hydrierten epitaxialen Halbleiterschicht auf der Substratschicht, die SixGe1-xumfasst, wobei x zwischen 0 und 1 liegt, durch plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung bei einer Temperatur von weniger als 400 °C;Bilden einer intrinsischen amorphen Halbleiterschicht, die Six'Ge1-x':H umfasst, wobei x' zwischen 0 und 1 liegt, auf der intrinsischen epitaxialen Halbleiterschicht, undBilden einer Emitterschicht auf der intrinsischen amorphen Halbleiterschicht.

公开(公告)号：DE102016204362B4

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Einheit, das aufweist:Bereitstellen einer Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) (5), die sich auf einem lichtdurchlässigen Substrat (10) befindet;Bilden einer metallhaltigen Schicht (15) auf einer Oberfläche des lichtdurchlässigen Substrats;Tempern der metallhaltigen Schicht, um eine Mehrzahl von Metallpartikeln (P1, 20) bereitzustellen;Ätzen freiliegender Teile des lichtdurchlässigen Substrats unter Verwendung der Mehrzahl von Metallpartikeln als Ätzmaske, um eine strukturierte Oberfläche mit einer Mehrzahl von Merkmalen (30) zu bilden, die in der Abmessung vergleichbar sind mit einer Wellenlänge von Licht, das von der LED-Struktur erzeugt wird; undEntfernen der Mehrzahl von Metallpartikeln,wobei die LED-Struktur ein lichtemittierendes aktives Element einer organischen lichtemittierenden Diode (OLED) aufweist,wobei das lichtemittierende aktive Element der OLED aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Polyacetylenen (PA), Polyanilinen (PANI), Polypyrrolen (PPy), Polythiophenen (PT), Poly-para-phenylenen (PPP), Poly-para-phenylen-vinylenen (PPV), Oligoacenen, Oligothiophenen, Triarylaminen, Oligo-para-phenylenen, N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin (C44H32N2) (NPB), 2-TNATA,4,4',4"-Tris-(N-naphthylen-2-yl)-N-phenylamin)triphenylamin (C66H48N4) (TNATA), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (C54H36N4) (TCTA), 1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]-benzen (TDAPB), TDATA, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Al(C9H6NO)3), (Alq3), Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium (C32H25AlN2O3) (Balq), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (C36H24N2) (CBP) und Kombinationen davon besteht, undwobei die metallhaltige Schicht Sn, Pb, Sb, Bi oder Kombinationen davon aufweist.

公开(公告)号：DE112012001058B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE112012001058

申请日：2012-01-26

Applicant: IBM

Inventor： GUNAWAN OKI ,  KIM JEEHWAN ,  MITZI DAVID B ,  SADANA DEVENDRA K ,  DOROV TEODOR K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Tandem-Photovoltaikeinheit, aufweisend:Bilden einer unteren Zelle (104) auf einem Substrat (122), wobei die untere Zelle (104) eine n-leitende Schicht (114), eine p-leitende Schicht (120) und dazwischen eine untere eigenleitende Schicht (116) aufweist, wobei die p-leitende Schicht (120) derart bereitgestellt wird, dass sie als eine Molybdän-Schicht ausgebildet ist und wobei die Dicke dieser Molybdän-Schicht größer als die Dicke der n-leitenden Schicht (114) ist,Anwenden von Wasserstoffplasma auf der n-leitenden Schicht (114) zur Erhöhung der Kristallinität einer auf der n-leitenden Schicht (114) anwachsenden p-leitenden Schicht (112) einer oberen Zelle (102),Bilden einer oberen Zelle (102) über der unteren Zelle (104), um eine Tandemzelle (100) zu bilden, wobei die obere Zelle (102) eine n-leitende Schicht (106), eine p-leitende Schicht (112) und dazwischen eine obere eigenleitende Schicht (110) aufweist, undBilden einer transparenten Elektrode (108) auf der n-leitenden Schicht (106) der oberen Zelle (102),wobei die untere eigenleitende Schicht (116) eine Cu-Zn-Sn-haltige Chalkogenidverbindung aufweist mit einer Kesteritstruktur der Formel CuZnSn(SSe), wobei 0 ≤ x ≤ 1; 0 ≤ y ≤ 1; 0 ≤ z ≤ 1; -1 ≤ q ≤ 1, wobei z so gesteuert wird, dass eine Bandlücke der unteren Zelle (104) so eingestellt wird, dass sie kleiner als eine Bandlücke der oberen Zelle (102) ist und wobei die Dicke der eigenleitenden Schicht (116) zwischen 0,2 und 4,0 µm liegt.

公开(公告)号：DE102012210875B4

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：DE102012210875

申请日：2012-06-26

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit, das umfasst:Bilden (204) einer Mehrzahl von Säulenstrukturen (104) in einem Substrat (102);Bilden (206) einer ersten Elektrodenschicht (106) auf den Säulenstrukturen (104);Bilden (208) eines durchgehenden Photovoltaikstapels (108) einschließlich einer n-leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer intrinsischen Schicht auf der ersten Elektrodenschicht (106);Abscheiden (212) einer zweiten Elektrodenschicht (110) über dem Photovoltaikstapel (108), so dass in der zweiten Elektrodenschicht (110) zwischen den Säulenstrukturen (104) Lücken oder Spalten (112) auftreten; undNassätzen (216) der zweiten Elektrodenschicht (110) um die Lücken oder Spalten (112) zu öffnen und die zweite Elektrodenschicht (110) zu reduzieren, um eine dreidimensionale Elektrode mit gleichmäßiger Dicke über dem Photovoltaikstapel (108) zu bilden.

公开(公告)号：DE102012209708B4

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18

Abstract: Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat mit einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche und Seitenwandrändern, wobei die Zugspannungsschicht einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Basissubstrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil aufweist, der vertikal an den Seitenwandrändern des Basissubstrats anliegt; Aufbringen eines Abspalthemmers oberhalb des Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht; Trennen des selbsthaftenden Zugspannungsschichtteils der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil; Abspalten eines Teils des Basissubstrats unterhalb des Zugspannungsschichtteils, wobei das Abspalten das Verschieben des Abspalthemmers über die Oberseite des Zugspannungsschichtteils beinhaltet; und Entfernen des Zugspannungsschichtteils von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats.