公开(公告)号：KR1020130129937A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020137012435

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  티안차이종 ,  사사키마사루 ,  미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  모야마가즈키 ,  요시카와준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 마련되는 처리 용기, 상기 처리 용기 내로 제1 가스를 공급하도록 구성되는 제1 가스 공급 유닛, 상기 제1 가스의 적어도 일부를 제1 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제1 플라즈마 생성 유닛, 상기 처리 용기 내로 제2 가스를 공급하도록 구성되는 제2 가스 공급 유닛, 및 상기 제2 가스의 적어도 일부를 제2 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제2 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 탑재대로부터 제2 가스의 유입구의 높이는, 탑재대로부터 제1 가스의 유입구의 높이보다 낮다.

公开(公告)号：KR101148442B1

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마 공간을 제공하기 위해 제 1 가스를 수신하도록 구성된 제 1 챔버 공간 및 기판을 처리하기 위한 공정 화학을 가진 프로세스 공간을 제공하기 위해 제 2 가스를 수신하도록 구성된 제 2 챔버 부분을 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 기판 홀더는 프로세싱 챔버의 제 2 챔버 부분에 결합되어 프로세스 공간에 인접한 기판을 지지하도록 구성되고, 플라즈마 소스는 프로세싱 챔버의 제 1 챔버 부분에 결합되어 플라즈마 공간에서 플라즈마를 형성하도록 구성된다. 그리드는 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에 배치되어, 프로세스 가스로부터 공정 화학을 형성하기 위해, 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에서 플라즈마 확산을 허용하도록 구성된다.
기판 처리, 플라즈마 프로세싱 시스템, 플라즈마 공간, 프로세스 공간, 공정 화학, 가스 주입 그리드, 공간 균일성

公开(公告)号：KR100874782B1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：KR1020077007865

申请日：2005-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: A microwave plasma processing apparatus which easily ensures uniformity and stability of plasma in response to changes of process conditions and the like. The microwave plasma processing apparatus generates plasma of a process gas in a chamber by microwave and performs plasma processing to a work to be processed by using the plasma. On a plate composed of a conductor covering the outer circumference of a microwave transmitting board, two or more holes for propagating microwave from an edge part of the microwave transmitting board to an inner part of the plate are formed. Volume adjusting mechanisms and adjust the volume of the holes to adjust impedance of each unit when the microwave transmitting board is divided into individual units to which each of the holes belongs, and electric field distribution of the microwave transmitting board is controlled.

Abstract translation: 一种微波等离子体处理设备，其容易确保等离子体响应于工艺条件等的变化的均匀性和稳定性。 微波等离子体处理装置通过微波在腔室内产生处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对要处理的工件执行等离子体处理。 在由覆盖微波透过板的外周的导体构成的板上，形成有用于使微波从微波透过板的端部向板内部传播的两个以上的孔。 当微波发射板被分成每个孔所属的单个单元时，调节音量调节机构和调节孔的体积以调节每个单元的阻抗，并控制微波发射板的电场分布。

公开(公告)号：KR100872260B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体， 有。

公开(公告)号：KR1020080094808A

公开(公告)日：2008-10-24

申请号：KR1020087021314

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/85978

Abstract: A processing device which, when the device is used with the degree of valve opening set to a practical region, can discharge the atmosphere in a processing space to the periphery of a placement table in a uniformly dispersed manner. The processing device is of a single-wafer processing type and processes an object under a predetermined processing pressure. The processing device has a processing container (42) having a gas discharge opening (50) at its bottom and adapted so that vacuum can be drawn from the container, a placement table (44) provided in the processing container to place an object (W) on it, a pressure control valve (88) connected to the gas discharge opening and where the area of the opening of a valve opening (98) can be changed by a slide-type valve body (94), and a gas discharge system (90) connected to the pressure control valve. The pressure control valve is eccentrically positioned relative to the center axis of the placement table so that the placement table is positioned in the opening region formed by a practical region of the degree of opening of the pressure control valve.

Abstract translation: 一种加工装置，其中当所述装置以阀开度设定在实用区域时，可以以均匀分散的方式将处理空间中的气氛排放到放置台的周边。 处理装置具有单晶片加工型，并且在预定的处理压力下处理物体。 处理装置具有在其底部具有气体排出口（50）的处理容器（42），并适于使得能够从容器抽出真空;设置在处理容器中的放置台（44）以放置物体（W ），连接到气体排出口的压力控制阀（88），其中通过滑动式阀体（94）可以改变阀开口（98）的开口面积，并且气体排出系统 （90）连接到压力控制阀。 压力控制阀相对于放置台的中心轴偏心定位，使得放置台位于由压力控制阀的开度的实际区域形成的开口区域中。

公开(公告)号：KR100856159B1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：KR1020067024792

申请日：2005-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치의 클리닝 효율을 향상시키는 것을 과제로 하고 있다. 이 때문에, 내부에 피처리 기판을 유지하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 처리를 위한 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내에 설치되어, 상기 피처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리 용기 내의 공간을 제 1 공간과 제 2 공간으로 분리하는 실드판을 갖는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 공간을 배기하는 제 1 배기 경로와, 상기 제 2 공간을 배기하는 제 2 배기 경로를 갖는 기판 처리 장치를 이용하였다.

公开(公告)号：KR1020080075928A

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：KR1020087018772

申请日：2003-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: A plasma processing device comprises a chamber (1) for performing plasma processing in the inside of the chamber, a top plate (15) for closing the upper side of the chamber (1) and is formed from a dielectric, and an antenna section (3) as high frequency wave supplying means for supplying high frequency waves into the chamber (1) through the top plate (15). The top plate (15) is provided in its inside with reflection members (23a, 23b). Side walls of the reflection members (23a, 23b) act as wave reflection means for reflecting high frequency waves propagated in the top plate (15) in its radial direction. Alternatively, side walls of a concave portion in the top plate (15) can be used as the wave reflection means without using the reflection members.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括用于在室内进行等离子体处理的室（1），用于封闭室（1）的上侧并由电介质形成的顶板（15）和天线部分 3）作为用于通过顶板（15）将高频波提供到腔室（1）中的高频波供给装置。 顶板（15）的内部设置有反射构件（23a，23b）。 反射构件（23a，23b）的侧壁用作用于反射在顶板（15）中沿其径向传播的高频波的波反射装置。 或者，顶板（15）中的凹部的侧壁可以用作波反射装置，而不使用反射构件。

公开(公告)号：KR100832385B1

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020050127847

申请日：2005-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  이노우에마사지

IPC: C23C14/24 ,  G01B11/06

CPC classification number: C23C14/547 ,  C23C14/12

Abstract: 본 발명은 증착막을 형성하는 경우, 형성되는 증착막의 막 두께 제어성이 양호해지는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
내부에 피처리 기판을 유지하는 처리 용기와, 상기 피처리 기판에 증착하는 증착 재료를 유지하는 증착원을 갖는 증착 장치로서, 상기 처리 용기 내에 퇴적된 증착막의 막 두께를 측정하는 측정 수단을 포함하며, 상기 측정 수단은 상기 증착막에 광을 조사함으로써 상기 막 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.

公开(公告)号：KR100822076B1

公开(公告)日：2008-04-14

申请号：KR1020057016691

申请日：2004-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  고타니고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 온도 조절 대상을 순환하는 제1 냉각수(15)로 냉각하는 제1 유로(16)와 제1 유로와 별도의 제2 유로(19)를 설치하고, 제2 유로(19)를 흐르는 제2 냉각수(18)와 제1 냉각수(15)로 열교환을 한다. 제1 냉각수(15)를 일정 용량의 탱크내에 저장할 필요가 없고, 칠러 상당 부분의 제1 유로(16)를 흐르는 제1 냉각수(15)가 대략 전체적으로 제2 냉각수(18)로부터 열이 흡수된다. 온도 조절 대상의 부하 변동에 대하여 응답이 빨라져서 온도 제어의 정밀도를 향상시키면서 에너지의 낭비를 적게 할 수 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020070088589A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020077007865

申请日：2005-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: A microwave plasma processing apparatus which easily ensures uniformity and stability of plasma in response to changes of process conditions and the like. The microwave plasma processing apparatus (100) generates plasma of a process gas in a chamber by microwave and performs plasma processing to a work to be processed by using the plasma. On a plate (27) composed of a conductor covering the outer circumference of a microwave transmitting board (28), two or more holes (42) for propagating microwave from an edge part to an inner part of the microwave transmitting board (28) are formed. Volume adjusting mechanisms (43, 45) adjust the volume of the holes to adjust impedance of each unit when the microwave transmitting board (28) is divided by unit to which each of the holes (42) belongs, and electric field distribution of the microwave transmitting board (28) is controlled.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置，其能够根据工艺条件等的变化容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。 微波等离子体处理装置（100）通过微波产生室内的处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对待处理的工件进行等离子体处理。 在由覆盖微波发射板（28）的外周的导体构成的板（27）上，用于从微波发射板（28）的边缘部分向内部传播微波的两个或多个孔（42） 形成。 当微波发射板（28）被每个孔（42）所属的单位划分，并且微波的电场分布时，音量调节机构（43,45）调节孔的体积以调节每个单元的阻抗 传输板（28）被控制。