公开(公告)号：KR100537729B1

公开(公告)日：2005-12-19

申请号：KR1020020084935

申请日：2002-12-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  박기찬

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 소스/드레인 어닐링 공정 시 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 접합부에 발생하는 결정결함을 방지하는 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 어닐링 시, 레이저광을 비스듬하게 기울여서 조사하는 OI-ELA(Oblique Incidence Excimer Laser Annealing) 방법을 제시함으로써 소스/드레인 접합부에도 레이저 에너지를 충분히 전달하여 접합부 결정 결함이 없는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제작이 가능하다. 따라서, 박막트랜지스터의 ON/OFF 스위칭 특성이 우수하며, 장시간 구동에 대해서도 추가의 트랩 상태 생성이 적기 때문에 특성이 안정적으로 나타나는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100520430B1

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：KR1020030085035

申请日：2003-11-27

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  최연익 ,  오재근 ,  이승철

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 전극이 칩 전면에 위치하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다.
본 발명의 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터는 소스 영역 내에 트렌치를 형성하여 소스 영역이 부분적으로 중단되도록 함으로써 소스 영역을 감싸고 있는 베이스 영역의 저항을 부분적으로 낮추어 주어 기생 사이리스트의 래치-업을 낮추도록 한다. 또한, 게이트 전극을 트렌치 내에 연장되도록 형성함으로써 유효 채널 폭을 증가시켜 순방향 전압 강하의 증가 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제 할 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR1020050058583A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090513

申请日：2003-12-12

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이재훈 ,  이민철 ,  한상면

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 게이트 절연막으로 사용되는 산화막의 특성을 향상시키기 위한 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 위에 다결정 실리콘 박막을 형성하는 과정과; 상기 다결정 실리콘 박막 위에 저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막을 형성하는 과정과; 엑시머 레이저 어닐링 공정을 통해 상기 게이트 산화막을 열처리하는 과정을 포함하며, 상기 게이트 산화막 열처리 과정은 상기 다결정 실리콘 박막이 녹지 않는 온도 범위 내에서 이루어짐을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101142996B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020040117735

申请日：2004-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 유봉현 ,  한민구

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0823 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043

Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 그리고 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터를 포함한다. 이때, 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 동일한 제어 전압 또는 서로 다른 극성의 제어 전압이 인가되며, 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 하부에 배치되어 있으며, 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 상부에 배치되어 있다. 본 발명에 의하면, 2개의 구동 트랜지스터를 형성하면서도 이들이 화소에서 차지하는 면적을 줄일 수 있으며, 또한 서로 다른 극성의 제어 전압을 각 구동 트랜지스터에 인가함으로써 구동 트랜지스터의 열화를 방지할 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 소자, 박막 트랜지스터, 축전기, 열화

Abstract translation: 显示装置包括发光二极管，以及连接在驱动电压和发光二极管之间以将驱动电流提供给发光二极管的第一和第二驱动晶体管。 彼此极性不同的控制电压或控制电压被施加到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的控制端子。 第一驱动晶体管具有位于发光二极管的半导体层下方的控制电极，而第二驱动晶体管具有位于半导体层上方的控制电极。 两个驱动晶体管形成在每个像素处，并且其在像素内占据的面积减小。 对各个驱动晶体管施加彼此极性不同的控制电压，基本上防止了驱动晶体管的劣化。

公开(公告)号：KR101112556B1

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020050027978

申请日：2005-04-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 유봉현 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043

Abstract: 본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 구동 전압과 발광 소자 사이에 연결되어 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터, 데이터 전압을 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 전달하는 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터, 그리고 데이터 전압을 받아 데이터 전압의 극성과 반대인 반전 전압을 생성하여 제1 및 제2 구동 트랜지스터에 각각 인가하는 제1 및 제2 반전부를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 두 개의 반전부 및 두 개의 구동 트랜지스터를 구비함으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 천이를 방지할 수 있으며, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 수명을 증가시킬 수 있다.
표시 장치, 유기 발광 다이오드, 박막 트랜지스터, 축전기, 데이터 전압, 반전부, 역바이어스

公开(公告)号：KR1020090128888A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：KR1020080054863

申请日：2008-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  이우철 ,  권장연 ,  박현상 ,  한상면 ,  류명관 ,  김태상 ,  박경배 ,  유병욱 ,  손경석 ,  한민구

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/2037 ,  G09G3/2081 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3244 ,  H01L2027/11879 ,  H01L2227/323

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a driving method thereof are provided to display the images with various colors by the gray scale of various steps by inserting at least one additional bit signal for an additional sub frame. CONSTITUTION: A driving transistor(T2) switches the current supply to an OLED by an image signal. A current controller includes a plurality of current control transistors(T3,T4) controlling an amount of currents to the OLED. A driving transistor operates in a linear region. Current control transistors operate at a saturation region. A storage capacitor stores an image signal. A switching transistor stores the image signal in a storage capacitor.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其驱动方法，通过插入附加子帧的至少一个附加位信号，通过各种步骤的灰度显示各种颜色的图像。 构成：驱动晶体管（T2）通过图像信号将电流源切换到OLED。 电流控制器包括控制到OLED的电流量的多个电流控制晶体管（T3，T4）。 驱动晶体管在线性区域中工作。 电流控制晶体管在饱和区域工作。 存储电容器存储图像信号。 开关晶体管将图像信号存储在存储电容器中。

公开(公告)号：KR1020090060757A

公开(公告)日：2009-06-15

申请号：KR1020070127686

申请日：2007-12-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  박중현 ,  한상면

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205

Abstract: A manufacturing method of a thin film transistor, a thin film transistor, and a flat panel display device including the same are provided to prevent growth of a native oxide film and pollution due to an air exposure by in-situ manufacturing a silicon layer and a gate insulation layer inside the same vacuum chamber. A substrate is prepared(S1). A buffer layer is formed on the substrate(S2). A silicon layer is formed on the buffer layer(S3). A gate insulation layer is formed on the silicon layer(S4). A gate metal layer is formed on the gate insulation layer(S5). A gate electrode is formed by patterning the gate metal layer(S6). A source, a drain, and a channel are defined by successively patterning the gate insulation layer and the silicon layer(S8). An interlayer insulation layer is formed on the gate electrode and the silicon layer(S9). A source electrode and a drain electrode connected to the source and the drain are formed by forming a contact hole on the interlayer insulation layer(S10).

Abstract translation: 提供薄膜晶体管，薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法以防止自然氧化物膜的生长和由于通过原位制造硅层和空气曝光引起的污染 门绝缘层在同一真空室内。 制备底物（S1）。 在基板（S2）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成硅层（S3）。 在硅层上形成栅极绝缘层（S4）。 在栅极绝缘层上形成栅极金属层（S5）。 通过对栅极金属层进行构图来形成栅电极（S6）。 源极，漏极和沟道通过连续构图栅极绝缘层和硅层来限定（S8）。 在栅电极和硅层上形成层间绝缘层（S9）。 通过在层间绝缘层上形成接触孔，形成与源极和漏极连接的源电极和漏电极（S10）。

公开(公告)号：KR1020080076292A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070016033

申请日：2007-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정지심 ,  류명관 ,  권장연 ,  박경배 ,  한민구 ,  이상윤 ,  박중현 ,  한상면 ,  김선재

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863 ,  H01L29/78675

Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to change doping level for respective semiconductor layer regions by adjusting thickness and location of first, second, and third insulation layers. A thin film transistor comprises a lower structure(11), a semiconductor layer(12), first and second insulation layers(14a,14b), and a third insulation layer(16), and a gate electrode layer(17). The semiconductor layer includes a plurality of doped regions(12b,12c,12d) on the lower structure. The first and second insulation layers are formed on the semiconductor layer, separated from each other. The third insulation layer is formed on the first and second insulation layers. The gate electrode layer is formed on the third insulation layer between the first and second insulation layers. The width of the third insulation layer is longer than that between the first and second insulation layers and shorter than that between the left part of the first insulation layer and the right part of the second insulation layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，通过调整第一，第二和第三绝缘层的厚度和位置来改变各半导体层区域的掺杂水平。 薄膜晶体管包括下部结构（11），半导体层（12），第一和第二绝缘层（14a，14b）以及第三绝缘层（16）和栅电极层（17）。 半导体层包括在下部结构上的多个掺杂区域（12b，12c，12d）。 第一绝缘层和第二绝缘层形成在半导体层上，彼此分离。 第三绝缘层形成在第一和第二绝缘层上。 栅电极层形成在第一和第二绝缘层之间的第三绝缘层上。 第三绝缘层的宽度比第一绝缘层和第二绝缘层之间的宽度长，并且比第一绝缘层的左部分和第二绝缘层的右部分之间的宽度短。

公开(公告)号：KR1020080042616A

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：KR1020060111296

申请日：2006-11-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  신희선

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08

CPC classification number: Y02B20/343 ,  G09G3/3258 ,  H05B33/0896

Abstract: A pixel circuit of an OELD(Organic Electro-Luminescence Display) device is provided to rapidly execute the operation of circuit by rapidly charging a value applied the threshold voltage of a transistor in a storage component. An OELD(Organic Electro-Luminescence Display) device includes a first source voltage line(VDD), a first signal input unit(CLK), first and second transistors(T1,T2), and a first storage component(C1). The first source voltage line supplies a first source voltage. The first signal input unit supplies a clock signal. The first and second transistors are connected to the first source voltage line and the first signal input unit, respectively. The first storage component, electrically connected between a control electrode of the first transistor and a first electrode, stores data voltages. The second transistor is connected between the control electrode of the first transistor and a second electrode.

Abstract translation: 提供了一种OELD（有机电致发光显示器）器件的像素电路，通过快速地对施加存储部件中的晶体管的阈值电压的值进行快速充电来快速地执行电路的动作。 一种OELD（有机电致发光显示器）装置包括第一源极电压线（VDD），第一信号输入单元（CLK），第一和第二晶体管（T1，T2）和第一存储部件（C1）。 第一个源极电压线提供第一个源极电压。 第一信号输入单元提供时钟信号。 第一和第二晶体管分别连接到第一源电压线和第一信号输入单元。 电连接在第一晶体管的控制电极和第一电极之间的第一存储部件存储数据电压。 第二晶体管连接在第一晶体管的控制电极和第二电极之间。

公开(公告)号：KR1020080022696A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：KR1020060086208

申请日：2006-09-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  박현상

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0214

Abstract: A pixel structure for an active matrix display device is provided to suppress an image degradation such as brightness variation, stripe patterns, and crosstalk, by compensating for a leakage current in a switching TFT(Thin Film Transistor). A first switching transistor(MSW1) selects a unit pixel which is defined by data and scan lines. A driving TFT(MDRV) receives a data voltage from the first switching transistor at a gate terminal and supplies a corresponding current to an OLED(Organic Light Emitting Diode). A capacitor stores the data voltage which is applied to the gate of the driving TFT. A second switching transistor(MSW2) is controlled by a scan signal and cascoded to a drain-source region of the first switching transistor. A shield capacitor is connected between a junction between the first and second switching transistors and a voltage supply and supplies the charges leaked by a leakage current of the first and second switching transistors.

Abstract translation: 通过补偿开关TFT（薄膜晶体管）中的漏电流，提供有源矩阵显示装置的像素结构，以抑制诸如亮度变化，条纹图案和串扰的图像劣化。 第一开关晶体管（MSW1）选择由数据和扫描线定义的单位像素。 驱动TFT（MDRV）在栅极端子处接收来自第一开关晶体管的数据电压，并将相应的电流提供给OLED（有机发光二极管）。 电容器存储施加到驱动TFT的栅极的数据电压。 第二开关晶体管（MSW2）由扫描信号控制并级联到第一开关晶体管的漏 - 源区。 屏蔽电容器连接在第一和第二开关晶体管之间的接点与电源之间，并提供由第一和第二开关晶体管的漏电流泄露的电荷。