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公开(公告)号：WO2021052635A2
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/EP2020/058547
申请日：2020-03-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF, Andreas , ILLEK, Stefan , FEIX, Felix , KLEMP, Christoph , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
IPC: H01L33/60 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L21/18 , H01L25/075 , H01L21/182 , H01L33/0066 , H01L33/0095 , H01L33/145
Abstract: Eine HalbleiterStruktur umfasst eine n-dotierte erste Schicht, eine mit einem ersten Dotierstoff dotierte p-dotierte zweite Schicht, und eine aktive Schicht, die zwischen der n-dotierten ersten Schicht und der p-dotierten zweiten Schicht angeordnet ist und mindestens einen Quantenwell aufweist. Die die aktive Schicht der Halbleiterstruktur teilt sich in eine Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen, mindestens einen zweiten Bereich und mindestens einen dritten Bereich auf. Dabei sind die mehreren ersten optisch aktiven Bereiche in einem hexagonalen Muster zueinander beabstandet angeordnet sind. Der mindestens eine Quantenwell im aktiven Bereich weist im mindestens einen zweiten Bereich eine größere Bandlücke auf als in der Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen und dem mindestens einen dritten Bereich, wobei die Bandlücke insbesondere durch ein Quantenwellintermixing modifiziert ist. Der mindestens eine zweite Bereich umschließt die Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen umschließt.
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公开(公告)号：WO2020157149A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/052191
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten , BEHRINGER, Martin , BIEBERSDORF, Andreas , BOSS, Ruth , BRANDL, Michael , BRICK, Peter , DROLET, Jean-Jaques , HALBRITTER, Hubert , KREINER, Laura , LANG, Erwin , LEBER, Andreas , MEYER, Tobias , PFEUFFER, Alexander , PHILIPPENS, Marc , RICHTER, Jens , SCHWARZ, Thomas , TA, Paul , VARGHESE, Tansen , WANG, Xue , WITTMANN, Sebastian , WUENSCHE, Julia , DIEKMANN, Karsten , ENGL, Karl , HERRMANN, Siegfried , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , JENTZSCH, Bruno , PERZLMAIER, Korbinian , PIETZONKA, Ines , RAUSCH, Andreas , REGAU, Kilian , RUEGHEIMER, Tilman , SCHWALENBERG, Simon , SOELL, Christopher , STAUSS, Peter , SUNDGREN, Petrus , VU, Hoa , WIESMANN, Christopher , BOGNER, Georg , HOERNER, Patrick , KLEMP, Christoph , MUELLER, Jens , NEVELING, Kerstin , PARK, Jong , RAFAEL, Christine , SINGER, Frank , CHAND, Kanishk , FEIX, Felix , MUELLER, Christian , RUMMEL, Eva-Maria , HEITZER, Nicole , ASSMANN, Marie , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2021063819A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：PCT/EP2020/076869
申请日：2020-09-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： FEIX, Felix , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) und umfasst: A) Wachsen einer AlInGaAsP-Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2) entlang einer Wachstumsrichtung (G), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine aktive Zone (33) zur Strahlungserzeugung umfasst und die aktive Zone (33) aus mehreren, sich einander abwechselnden Quantentopfschichten (61) und Barriereschichten (62) zusammengesetzt ist, B) Erzeugen einer strukturierten Maskierungsschicht (5, 34), C) Bereichsweises Durchmischen der Quantentopfschichten (61) und der Barriereschichten (62) mittels Applizieren eines Durchmischungshilfsstoffs (55) durch Öffnungen (50) der Maskierungsschicht (5, 34) hindurch in die aktive Zone (33) in mindestens einem Durchmischungsgebiet (51), und D) Vereinzeln der Halbleiterschichtenfolge (3) in Teilgebiete (39) für die Halbleiterchips (1), wobei die Barriereschichten (62) im Schritt A) aus [(AlxGa1-x)yln1-y]ZP1-Z gewachsen werden mit x ≥ 0,5.
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