公开(公告)号：WO2022258800A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065806

申请日：2022-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUDAEV, Sergey ,  RICHTER, Jens ,  FLOCK, Klaus

IPC: A61B5/00

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen mit einem Gehäuse mit einer transparenten Auflagefläche. In einem ersten Bereich des Gehäuses ist eine Emittervorrichtung vorgesehen, die zur Erzeugung und Abgabe von Licht in Richtung auf die Auflagefläche ausgeführt ist. Eine Detektorvorrichtung ist in einern zweiten Bereich des Gehäuses angeordnet. Zwischen der Detektorvorrichtung und der Auflagefläche befindet sich erstes optisches Lichtleiterelement, das ausgestaltet ist, Licht, welches mit einem Winkel kleiner als ein vorgegebener Winkel zu einer Senkrechten auf die Auflagefläche trifft auf die Detektorvorrichtung zu führen, wobei der vorgegebene Winkel zumindest von einem Unterschied der Brechungsindices an einer Grenzfläche zwischen dem optischen Lichtleiterelement und einem das optische Lichtleiterelement umgebenden Materials abhängt.

公开(公告)号：WO2021053083A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：PCT/EP2020/076004

申请日：2020-09-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Jens ,  SÖLL, Christopher

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/34 ,  H05B45/12 ,  H01L31/12

Abstract: Es wird eine Anordnung (1) zum Betreiben eines Diodenarrays (10) angegeben, umfassend eine Mehrzahl LEDs (D). Jeder LED (D) ist jeweils ein Sensorelement (F) zugeordnet, welches zur Erfassung eines für einen Lichtstrom der jeweiligen LED (D) repräsentativen Kennwerts eingerichtet. Die Anordnung umfasst jeweils einen Versorgungseingang (E) zur Bereitstellung eines Stroms zum lichtemittierenden Betreiben der jeweiligen LED (D) und jeweils eine Steuereinheit (S), die eingangsseitig mit dem jeweiligen Versorgungseingang (E) und dem jeweiligen Sensorelement (F) sowie ausgangsseitig mit der jeweiligen LED (D) gekoppelt und eingerichtet ist, den Strom zum lichtemittierenden Betreiben der jeweiligen LED (D) abhängig von dem entsprechenden Kennwert zu steuern. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Betreiben eines Diodenarrays (10) angegeben.

公开(公告)号：WO2020099102A1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：PCT/EP2019/079202

申请日：2019-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Jens ,  KOESLER, Markus ,  SOELL, Christopher

IPC: H05B45/325 ,  H05B45/33

Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung umfasst mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente (11, 12, 13), die jeweils zum Erzeugen von Licht einer bestimmten Farbe ausgelegt sind, und eine Steuereinheit (15) zum Steuern des Stromflusses durch die optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11, 12, 13), wobei die Steuereinheit (15) zum Erzeugen einer gewünschten optischen Ausgangsleistung eines der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (11, 12, 13) einen Strom durch das optoelektronische Halbleiterbauelement (11, 12, 13) erzeugt, welcher dem Quotienten aus der gewünschten optischen Ausgangsleistung und der über dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (11, 12, 13) abfallenden Spannung multipliziert mit einem vorgegebenen Faktor 1/η und addiert mit einem vorgegebenen Stromwert I Offset entspricht, und wobei die Werte für η und I Offset von der Farbe des von dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (11, 12, 13) erzeugten Lichts abhängen.

公开(公告)号：WO2021139967A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/EP2020/086001

申请日：2020-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  RICHTER, Jens ,  REGAU, Kilian ,  HÖRNER, Patrick

IPC: G09G3/3258 ,  G09G2300/0828 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0259

Abstract: Es werden ein Bildelement (1) für eine Anzeigevorrichtung (100) und eine Anzeigevorrichtung (100) angegeben. Das Bildelement (1) umfasst ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement (B), eine Vergleichseinheit mit einem ersten und zweiten Eingang (3E1, 3E2) sowie einem Ausgang (3A), einen Versorgungsschalter (A), einen Auswahleingang (4) und einen Dateneingang (5), ein Speicherelement und einen Steuerschalter, wobei der Versorgungsschalter (A) eingerichtet ist, einen Stromfluss über das lichtemittierende Halbleiterbauelement (B) abhängig von der am Ausgang (3A) der Vergleichseinheit anliegenden Spannung zu steuern, der Steuerschalter eingerichtet ist, ein über den Dateneingang (5) bereitgestelltes Datensignal (data) abhängig von einem am Auswahleingang (4) anliegenden Auswahlsignal (scan) dem ersten Eingang (3E1) der Vergleichseinheit zuzuführen und im Speicherelement vorzuhalten, und der zweite Eingang (3E2) der Vergleichseinheit zur Aufnahme eines Rampensignals (Vpwm) vorgesehen ist, so dass abhängig von dem Datensignal (data) ein Stromfluss durch das lichtemittierende Halbleiterbauelement (B) einstellbar ist.

公开(公告)号：WO2020233993A1

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：PCT/EP2020/062679

申请日：2020-05-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RICHTER, Jens ,  SÖLL, Christopher

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Es werden ein Halbleiterbauelement, ein System umfassend einen Träger zur Kontaktierung des Halbleiterbauelements und ein Verfahren zur Überprüfung einer Lötstelle zwischen dem Träger und dem Halbleiterbauelement angegeben. Der Träger (20) weist eine Kontaktfläche (21) auf, die lateral unterbrochen ausgebildet und zur elektrischen Überbrückung zumindest stellenweise von einem Lotmaterial (3) bedeckt ist. Das Halbleiterbauelement (10) weist einen Anschlussbereich (11) auf, der durch das Lotmaterial (3) mit der Kontaktfläche (21) verbunden ist. Bei dem Verfahren wird ein magnetisches Primärwechselfeld (H1) schräg zu der Kontaktfläche (21) zur Induktion eines elektrischen Wirbelstroms (I w ) in der Kontaktfläche (21) und dem Lotmaterial (3) erzeugt, und abhängig von einem durch den elektrischen Wirbelstrom (I w ) induzierten Sekundärwechselfeld (H2) überprüft, ob die Kontaktfläche (21) durch das Lotmaterial (3) elektrisch überbrückt ist.

公开(公告)号：WO2020157152A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052195

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  DROLET, Jean-Jacques ,  HALBRITTER, Hubert ,  RICHTER, Jens ,  TA, Paul ,  REGAU, Kilian ,  SOELL, Christopher ,  VU, Hoa ,  HOERNER, Patrick ,  PARK, Jong ,  CHAND, Kanishk

IPC: G09G3/3233

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Treiberschaltungen, Ansteuerungen und Anordnungen für eine Versorgung von Verbrauchern, insbesondere Leuchtdioden, Anzeigen oder auch Video Walls.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2020115042A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/EP2019/083493

申请日：2019-12-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  RICHTER, Jens

IPC: G09G3/32

Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (11), das ausgebildet ist, Licht zu erzeugen, eine Stromquelle (12), die ausgebildet ist, einen Strom zu erzeugen, und einen mit einem pulsweitenmodulierten Signal angesteuerten PWM-Transistor (13), der in Abhängigkeit von dem pulsweitenmodulierten Signal einen ersten Zustand oder einen zweiten Zustand annimmt und der ausgebildet ist, das optoelektronische Halbleiterbauelement (11) im ersten Zustand mit dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu versorgen und im zweiten Zustand von dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu entkoppeln, wobei die Stromquelle (12) mittels einer ersten Technologie hergestellt ist und der PWM-Transistor (13) mittels einer zweiten Technologie hergestellt ist.

公开(公告)号：WO2020169742A1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：PCT/EP2020/054501

申请日：2020-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SÖLL, Christopher ,  RICHTER, Jens ,  KÖSLER, Markus

IPC: H05B45/10 ,  H05B45/397 ,  H05B45/46 ,  G09G3/3241

Abstract: Es werden ein Diodenarray (3a) mit wenigstens zwei Bildelementen (5a, 5b), eine Anordnung mit wenigstens zwei aufeinanderfolgenden Diodenarrays (3a, 3b) sowie ein weiteres Diodenarray (3c) und ein System angegeben. Das Diodenarray (3a) weist einen Verteiler-Transistor (T D ) auf sowie eine Zuleitung (7) zur Aufnahme eines Referenzstroms und einen ersten Versorgungsanschluss (9), die zur Versorgung des Verteiler-Transistors (T D ) mit diesem gekoppelt sind. Je Bildelement (5a, 5b) sind eine Diode (D) sowie ein Eingangs- Transistor (T I ) vorgesehen, der jeweils zur Versorgung der Diode (D) mit dieser gekoppelt ist. Der Verteiler-Transistor (T D ) bildet mit dem jeweiligen Eingangs-Transistor (T I ) wenigstens zweier Bildelemente (5a, 5b) einen Verteiler- Stromspiegel (S D ).

公开(公告)号：WO2019081668A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：PCT/EP2018/079335

申请日：2018-10-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  HÖPPEL, Lutz ,  BAUMHEINRICH, Thorsten Frank ,  RICHTER, Jens

IPC: H01L21/78 ,  H01L25/16

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterchips (100) umfasst einen Schritt A), in dem ein Halbleitersubstrat (1) mit mehreren integrierten elektronischen Schaltungen (2) auf einer Oberseite (10) des Halbleitersubstrats bereitgestellt wird. In einem Schritt B) wird eine Opferschicht (3) auf eine Seite der Halbleitersubstrats aufgebracht. In einem Schritt C) werden Löcher (30) in die Opferschicht eingebracht, so dass über jeder elektronischen Schaltung zumindest ein Loch entsteht. In einem Schritt D) wird das Halbleitersubstrat mit der Opferschicht voran auf einen Träger (5) aufgeklebt, wobei eine Klebeschicht (4) zwischen der Opferschicht und dem Träger verwendet wird und wobei die Klebeschicht die Löcher auffüllt, sodass in den Löchern Halteelemente (40) aus der Klebeschicht entstehen. In einem Schritt E) wird das Halbleitersubstrat gedünnt. In einem Schritt F) werden Trenngräben (6) zwischen den elektronischen Schaltungen eingebracht, die sich von einer dem Träger abgewandten Seite der elektronischen Schaltungen bis zur Opferschicht erstrecken und das gedünnte Halbleitersubstrat durchdringen. In einem Schritt G) wird die Opferschicht im Bereich zwischen den elektronischen Schaltungen und dem Träger entfernt.