公开(公告)号：WO2018138081A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：PCT/EP2018/051572

申请日：2018-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WANG, Xue ,  BROELL, Markus

IPC: H01L33/30

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4) einen n-Typ Halbleiterbereich (2), und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (2) angeordnete aktive Schicht (3) enthält. Weiterhin umfass der optoelektronische Halbleiterchip eine an den p-Typ Halbleiterbereich (4) angrenzende Stromaufweitungsschicht (8), die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist, und eine metallische p- Anschlussschicht (12), die zumindest bereichsweise an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Der p-Typ Halbleiterbereich (4) weist eine p-Kontaktschicht (7) auf, die an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Die p- Kontaktschicht (7) weist mit C dotiertes GaP auf, wobei die C-Dotierstoffkonzentration mindestens 5 * 10 19 cm -3 beträgt, und wobei die p-Kontaktschicht (7) weniger als 100 nm dick ist.

公开(公告)号：WO2018162409A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055340

申请日：2018-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WANG, Xue ,  BRÖLL, Markus ,  NIRSCHL, Anna

IPC: H01L33/14

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen n- leitenden Bereich (21) und einen p-leitenden Bereich (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen dem n-leitenden Bereich und dem p-leitenden Bereich angeordnet ist; -der p-leitende Bereich eine Stromaufweitungsschicht(3), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, aufweist; und -die Stromaufweitungsschichtmit einem ersten Dotierstoff dotiert ist, der an Phosphor-Gitterplätzen eingebaut ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：EP3745474A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177109.6

申请日：2019-05-28

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER, Martin ,  LORENZO, Zini ,  WANG, Xue

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/44

Abstract: An optoelectronic device (10) comprises a carrier layer (11) and a p-n diode layer (12) arranged over the carrier layer (11) and provided in a mesa structure, wherein the p-n diode layer (12) comprises a main surface (16) and side walls (18, 19) with the main surface (16) facing the carrier layer (11), and wherein at least a portion of at least one of the side walls (18, 19) of the p-n diode layer (12) forms an angle with the main surface (16) in the range from 88° to 92°.