公开(公告)号：CN108604538A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680081684.X

申请日：2016-12-14

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： A.沃尔科瓦 ,  V.伊万索夫 ,  A.塞尔金 ,  B.哈斯克尔 ,  H.埃尔-古劳里

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/15 ,  H01L33/24

CPC classification number: H01J1/308 ,  C30B29/406 ,  C30B29/62 ,  C30B29/66 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/20 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544

Abstract: 公开了一种用于在衬底上生长强烈对准的均匀横截面半导体复合纳米柱的方法。该方法包含：（a）在衬底表面上形成刻面锥体凹陷；（b）在凹陷的刻面上发起成核；以及（c）促进核朝向凹陷的中心的生长，在凹陷的中心处，核利用孪晶聚结并随后一起生长作为复合纳米柱。能够在纳米柱的侧壁上生长多量子阱、芯-壳纳米柱异质结构。此外，能够通过纳米柱的过度生长形成连续的半导体外延层，以便于制造高质量的平面器件结构或以用于发光结构。

公开(公告)号：CN108461384A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810193893.4

申请日：2014-12-16

Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司

Inventor： 仙田刚士 ,  泉妻宏治

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/02 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。

公开(公告)号：CN105684169B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201480059521.2

申请日：2014-09-30

Applicant: 艾利迪公司

Inventor： 克里斯多夫·布维尔 ,  埃尔文·多内尔

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0676 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及光电器件(5)，包括：支撑件(10)，其具有第一表面(12)；第一发光二极管(DEL)的第一组件(A)，其包括每个位于第一接触柱(14)的第二表面(15)上的第一线形、圆锥形或截头圆锥形的半导体元件(20)，每个第一接触柱此外还包括与所述第二表面相对的第三表面(17)；以及第一导电层(18；56)，其连接第一接触柱并且至少在每个第一接触柱的所述第二表面或所述第三表面的一部分上延伸，所述第一导电层和/或所述第一接触柱位于所述支撑物上。

公开(公告)号：CN108400205A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810104283.2

申请日：2018-02-01

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 山下智也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04

CPC classification number: H01L33/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2056 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种能够抑制正向电压Vf的上升且提高亮度的氮化物半导体发光元件的制造方法。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其包括在使发光层生长之前先使具有InGaN层和GaN层的n侧超晶格层生长的n侧超晶格层生长工序，n侧超晶格层生长工序包括：将包含使1个InGaN层生长的InGaN层生长工序和使1个GaN层生长的GaN层生长工序的工序反复进行n个循环，在n侧超晶格层生长工序中，使用包含N2气体且不含H2气体的载气进行第1个循环～第m个循环中的GaN层生长工序，并使用包含H2气体的气体作为载气来进行第(m+1)个循环～第n个循环中的GaN层生长工序。

公开(公告)号：CN108365062A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810076542.5

申请日：2018-01-26

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 潘永中 ,  蔡长祐 ,  胡庆忠 ,  陈明宝 ,  沈圻 ,  连伟杰

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76846 ,  H01L29/205 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。

公开(公告)号：CN104952983B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410115532.X

申请日：2014-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明涉及一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN106025026B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201610557325.9

申请日：2016-07-15

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  张永 ,  卓祥景 ,  姜伟 ,  汪洋 ,  童吉楚 ,  方天足

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN106206891B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510309192.9

申请日：2015-06-08

Applicant: 嘉晶电子股份有限公司

Inventor： 胡智威 ,  戴进吉 ,  宣融

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括基板、被覆层、成核层、过渡层以及复合缓冲结构。被覆层位于基板上。成核层位于基板与被覆层之间。过渡层位于成核层与被覆层之间，其中过渡层为AlxGaN层。复合缓冲结构位于过渡层与被覆层之间。复合缓冲结构包括第一复合缓冲层，其中第一复合缓冲层包括相互交叠的多个第一AlyGaN层以及多个第一GaN层，且x等于y。因此可避免由于氮化铝的长时间磊晶而造成产能降低的问题，并减缓顶GaN层(即氮化物半导体层)与基板之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。

公开(公告)号：CN104541359B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380025249.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

Inventor： 佐藤宪 ,  后藤博一 ,  鹿内洋志 ,  土屋庆太郎 ,  篠宫胜 ,  萩本和徳

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。

公开(公告)号：CN107910243A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710969740.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘志强 ,  伍绍腾 ,  伊晓燕 ,  黄洋 ,  程成 ,  王蕴玉 ,  綦成林

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02603

Abstract: 本发明提供一种在衬底上制备GaN纳米线的方法，包括以下步骤：步骤1：清洗衬底；步骤2：在衬底上镀一层Ni和Au金属；步骤3：将镀有Ni和Au金属的衬底放入HVPE外延设备的反应室中，将反应室升温；步骤4：向反应室中通入反应气体，在衬底上生长GaN纳米线；步骤5：关闭通入的反应气体，将衬底降温，完成制备。本发明处理工艺简单，大大的降低了生长成本；生长的温度为高温，大大提高晶体质量；纳米线方向具有一定的可控性，有利于后续器件制备。