公开(公告)号：CN103021775A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210098146.5

申请日：2012-04-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃至鸿 ,  张钧琳 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了束监控器件、方法和系统。一种示例性束监控器件包括一维(1D)轮廓仪。该1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第件。该束监控器件进一步包括二维(2D)轮廓仪。该2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第件。该束监控器件进一步包括控制臂。该控制臂可操作地便于在纵向方向上移动束监控器件，以及便于绕轴旋转束监控器件。

公开(公告)号：CN102576639A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080030014.8

申请日：2010-07-01

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 安迪·雷

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子注入系统(100)，该离子注入系统包括被构造成朝向端站引导离子束(170)的束线和扫描系统，该端站被构造成保持或支撑工件。所述扫描系统被构造成以二维方式使端站扫描通过离子束，该二维方式包括沿第一方向的第一扫描轴线(“快扫描”，142)和沿不同于第一方向的第二方向的第二扫描轴线(“慢扫描”144)。所述系统还包括补充扫描部件，所述补充扫描部件可操作地与所述扫描系统相关联，并且所述补充扫描部件被构造成执行离子束相对于端站沿具有第三方向的第三扫描轴线的扫描，所述第三方向不同于第一方向。

公开(公告)号：CN102301453A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

公开(公告)号：CN101484967B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780023921.8

申请日：2007-06-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 阿塔尔·古普塔 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛桔·A·洛里斯

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G01J1/04 ,  G01J1/0437 ,  G01J1/0448 ,  G01J1/4257 ,  G01J2001/4261 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。

公开(公告)号：CN102208320A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110072190.4

申请日：2011-03-17

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 万志民 ,  约翰·D·波拉克 ,  唐·贝瑞安 ,  任克川

IPC: H01J37/317

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: 一种具有可变孔隙的孔隙调整装置，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。

公开(公告)号：CN101681781A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880013320.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： A·V·海斯 ,  R·叶夫图霍夫 ,  V·卡纳罗夫 ,  B·L·德吕

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/24542

Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。

公开(公告)号：CN101076875A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580033847.9

申请日：2005-10-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 张升吾 ,  安东尼勒·可雀帝 ,  约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  葛列格里·R·吉本雷洛 ,  罗扎里欧·马雷卡 ,  葛桔·A·洛里斯 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  马黎耶·J·威尔旭

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。

公开(公告)号：CN1816892A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018569.5

申请日：2004-04-29

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·班威尼斯特

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明可通过在整个离子射束(例如一条带射束的较宽部分)的各种位置处监视射束电流均匀度及入射角，以简化半导体装置制造。在一离子注入系统(例如单晶片式系统及/或多晶片式系统)中可以运用一个或多个均匀度检测器，该均匀度检测器包含多个元件。各元件包含：一孔洞，其可从一入射离子射束选择性地获得一小射束；以及一对传感器，其可测量射束电流，并作为离子射束的进入角度的函数。可通过多对传感器，至少部分地从所测得的射束电流来决定在特定元件处的入射角。因此，可依指示来调整离子射束产生以改善均匀度，并且能够以改良的均匀度以及在更紧密的处理程序的情况下执行离子注入。

公开(公告)号：CN1700402A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072685.1

申请日：2005-05-16

Applicant: 日新意旺机械股份公司

Inventor： 前野修一 ,  内藤胜男 ,  安东靖典 ,  希尔顿·F·格拉维什

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/1502 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658

Abstract: 一种离子注入装置，其包括：离子源，其产生具有所希望的离子种类且比衬底(82)的短边宽度宽的片状离子束(20)；质量分离磁铁(36)，其使离子束(20)向与其片状面(20s)正交的方向弯曲，筛选导出所希望的离子种类；分离缝隙(72)，其和质量分离磁铁(36)协动，筛选所希望的离子种类并使其通过；衬底驱动装置(86)，其在通过分离缝隙(72)的离子束(20)的照射区域内在实质上与离子束(20)的片状面(20s)正交的方向反复驱动衬底(82)。

公开(公告)号：CN103367088B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310106485.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 狩谷宏行 ,  石川雅基 ,  院田佳昭 ,  黑濑猛 ,  八木田贵典 ,  弓山敏男

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/147 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24521 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213

Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。