公开(公告)号：CN103098207A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043590.0

申请日：2011-09-21

Applicant: ATI科技无限责任公司 ,  超威半导体公司

Inventor： 贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克 ,  迈克尔·Z·苏

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0652 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/141 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/09072 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10416 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1056

Abstract: 提供一种包括将热管理设备（75）与半导体芯片设备（10）的第一半导体芯片（35）热接触放置的制造方法。所述半导体芯片设备包括耦接到所述第一半导体芯片的第一基板（60）。所述第一基板具有第一孔径（70）。所述第一半导体芯片和所述热管理设备中至少一个至少部分位于所述第一孔径中。

公开(公告)号：CN103098190A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043341.1

申请日：2011-09-09

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 迈克尔·Z·苏 ,  傅雷 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81

Abstract: 提供一种制造方法，其包括将可移除罩盖(195、195'、195'')放置在基板(120)的表面(215)上。所述基板包括定位在所述表面上的第一半导体芯片(110)。所述第一半导体芯片包括第一侧壁(170)。所述可移除罩盖包括定位成与所述第一侧壁相对的第二侧壁(200)。第一底部填料(155)放置在所述第一半导体芯片与所述表面之间，其中所述第二侧壁针对所述第一底部填料的流动提供障壁。还公开了多种设备。

公开(公告)号：CN103119702A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180043113.4

申请日：2011-09-09

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种制造方法，其包括提供具有绝缘层（185）的半导体芯片（105）。所述绝缘层包括沟槽（190）。第二半导体芯片（110）堆叠在所述第一半导体芯片上以留出间隙。聚合物填料（187）放置于所述间隙中，其中所述聚合物填料的一部分被牵引到所述沟槽中。

公开(公告)号：CN103098204A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043340.7

申请日：2011-09-09

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 布莱恩·布莱克 ,  迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  乔·西格尔 ,  塞思·普雷让

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片（15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端（127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所述第一多个导电通孔的所述第一末端（127）欧姆接触。

公开(公告)号：CN103109368B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180044970.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/60 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造方法包括将第一硅穿孔（100f）的第一末端（131）连接到紧邻第一半导体芯片（15）的第一侧的第一芯片密封件（125）。将所述第一硅穿孔的第二末端（133）连接到紧邻所述第一半导体芯片第一侧对面的第二侧的第二芯片密封件（115）。

公开(公告)号：CN103098204B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201180043340.7

申请日：2011-09-09

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 布莱恩·布莱克 ,  迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  乔·西格尔 ,  塞思·普雷让

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所述第一多个导电通孔的所述第一末端（127）欧姆接触。

公开(公告)号：CN103109368A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044970.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

Inventor： 迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/60 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造方法包括将第一硅穿孔（100f）的第一末端（131）连接到紧邻第一半导体芯片（15）的第一侧的第一芯片密封件（125）。将所述第一硅穿孔的第二末端（133）连接到紧邻所述第一半导体芯片第一侧对面的第二侧的第二芯片密封件（115）。

公开(公告)号：CN101715657A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880018441.7

申请日：2008-04-09

Applicant: ATI科技无限责任公司

Inventor： 贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  哈立德·歇尔特米 ,  尼玛·奥斯基托德

IPC: H05K7/20 ,  G06F1/20 ,  F04D25/08

CPC classification number: F04D25/08 ,  F04D25/082 ,  G06F1/206 ,  H05K7/20727

Abstract: 一种用于电子设备的可配置多入口热管理设备，如空气增流器或被动散热片。该热管理设备布置在计算设备或计算设备的部件等上，如扩展模块等，从而进入的气流降低该发热部件的温度。为了提供可能的最佳气流，该空气增流器包括叶片，其设计为当该叶片被马达驱动时增压来自该空气增流器部件至少一侧的气流。该空气增流器包括可移除盖子，用于提供来自所需方向的进入气体所需要的开口，以及用于提供风扇生成的气流。根据应用，这些开口可以永久地打开或关闭。然后将该进入气流以风扇生成气流的形式引导朝向发热元件。