中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

12 records (took 0.029 seconds)

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2011085895A1

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：PCT/EP2010/069776

    申请日：2010-12-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20 % voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.

    Abstract translation: 在半导体层中的序列（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括具有有源层（3）。 此外，半导体芯片（1）包括光提取层（4），其被施加至少间接地在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）。 光提取层（4）的材料是半导体层序列（2）和光提取层（4）和所述半导体层序列（2）相差超过20％彼此的材料的折射率不同的材料制成。 由（4）面（40）形成在所述光提取层的凹部（44），其特征在于，所述凹部（44）不完全穿透所述光提取层（4）。 此外，小面（40）具有其是辐射穿透面（20）的表面积的至少25％的总面积。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT DIELEKTRISCHER SPIEGELSCHICHT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT DIELEKTRISCHER SPIEGELSCHICHT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020064947A1

    公开(公告)日：2020-04-02

    申请号：PCT/EP2019/076077

    申请日：2019-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEBER, Andreas ,  HERRMANN, Siegfried ,  RAFAEL, Christine

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/14

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) weist eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (120, 130), eine dielektrische Spiegelschicht (115) sowie eine Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) auf. Die erste Halbleiterschicht (140) und die zweite Halbleiterschicht (150) sind übereinandergestapelt. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der zweiten Halbleiterschicht (150) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (120) und die zweite Stromverteilungsschicht (130) sind auf einer von der zweiten Halbleiterschicht (150) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (140) angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht (115) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (140) und der ersten Stromverteilungsschicht (120) angeordnet. Die Vielzahl erster elektrischer Verbindungselemente (125) erstrecken sich durch die dielektrische Spiegelschicht (115) und sind geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (130) ist mit der zweiten Halbleiterschicht elektrisch verbunden.

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2010045907A1

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：PCT/DE2009/001322

    申请日：2009-09-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  PETER, Matthias ,  ZEHNDER, Ulrich ,  TAKI, Tetsuya ,  LEBER, Andreas ,  BUTENDEICH, Rainer ,  BAUER, Thomas

    Inventor： STRASSBURG, Martin ,  HÖPPEL, Lutz ,  PETER, Matthias ,  ZEHNDER, Ulrich ,  TAKI, Tetsuya ,  LEBER, Andreas ,  BUTENDEICH, Rainer ,  BAUER, Thomas

    IPC: H01L33/40

    CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.

    Abstract translation: 它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列（3），其包括n型掺杂区域（4），p掺杂区（8）和n掺杂区域（4）之间和p掺杂 包含布置区域（5）（8）所示的活性区域。 p掺杂区（8）包含（7）制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层，其中0 = X = 1，0 = Y = 1且x + y = 1，p型接触层（7）相邻的 连接层（9），在界面处由金属，金属合金或，p接触层（7）上的透明导电氧化物与连接层（9）第一结构域（1）（用Ga面取向区域和第二区域 2）用N面取向。

    BAUELEMENT MIT VERBESSERTER ANSCHLUSSSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS
    5.
    发明申请
    BAUELEMENT MIT VERBESSERTER ANSCHLUSSSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022053236A1

    公开(公告)日：2022-03-17

    申请号：PCT/EP2021/072058

    申请日：2021-08-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEBER, Andreas ,  RAFAEL, Christine

    IPC: H01L33/62

    Abstract: Es wird ein Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer Isolierungsstruktur (3) und einer Anschlussstruktur (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper (2) eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist. Die Anschlussstruktur (4) weist eine Anschlussschicht (42) auf, die im direkten elektrischen Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht (22) steht. Die Isolierungsstruktur (3) grenzt sowohl an die zweite Halbleiterschicht (22) als auch an die Anschlussschicht (42) an, wobei die Isolierungsstruktur (3) die Anschlussschicht (42) lateral umschließt und diese in Draufsicht teilweise bedeckt. Die Anschlussstruktur (4) weist Durchkontakte (420) auf, die im elektrischen Kontakt mit der Anschlussschicht (42) stehen und sich entlang vertikaler Richtung durch die Isolierungsstruktur (3) hindurch erstrecken. Das Bauelement (10) weist eine Rückseite (12) als Montagefläche auf, die strukturiert ausgeführt ist und zumindest bereichsweise durch Oberfläche der Anschlussstruktur (4) gebildet ist. Die Durchkontakte (420) sind als einzelne, einstückig ausgeführte Kontaktsäulen oder als integrale Bestandteile einer zusammenhängenden Kontaktschicht (40) ausgeführt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung insbesondere eines solchen Bauelements (10) angegeben.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
    方法用于生产至少一个光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2012119950A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：PCT/EP2012/053650

    申请日：2012-03-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAHN, Berthold ,  LEBER, Andreas

    Inventor： HAHN, Berthold ,  LEBER, Andreas

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42

    CPC classification number: H01L33/64 ,  H01L33/005 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), welcher eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist; b) Anordnen von zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mit zumindest einem n-seitigen Bereich (21) und zumindest einem p-seitigen Bereich (24) gebildet ist, und mit dem n-seitigen Bereich (21) oder dem p-seitigen Bereich (24) auf der ersten Oberfläche (11) aufgebracht ist; c) Anordnen einer elektrisch isolierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen der Außenflächen (23) des Halbleiterchips (2) und der ersten Oberfläche (11) des Trägers ( 1 ); d) teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Umhüllung (3), wobei nach dem Entfernen zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Hauptfläche (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) zumindest stellenweise frei von der elektrisch isolierenden Umhüllung (3) ist.

    Abstract translation: 它是用于制造由下列步骤所指示的至少一个光电子半导体器件的方法：a）提供一个支撑件（1），包括11）和所述第一表面中的一个具有第一表面（）相对的第二表面（12）（11; b）将至少一个光电子半导体芯片（所述载体（1）中，所述第一表面（11）在2个），其中所述光电子半导体芯片（2）（具有至少一个n侧区域（21）和至少一个p侧区域24 ）被形成并且被施加（与n侧区域21）或所述第一表面上的p侧区域（24）（11）; C）设置在所述载体（1）的半导体芯片（2）和所述第一表面（11）的外表面（23）的露出点的电绝缘套（3）; D）部分地去除所述电绝缘护套（3），其中，移除至少一个支撑后（1）的面向至少远离光电子半导体芯片（2）的主表面（22）在空闲位置（电绝缘护套3）的。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    8.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2010072187A3

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：PCT/DE2009/001550

    申请日：2009-11-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    IPC: H01L33/22

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) Auskoppelstrukturen (4) auf, die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht sind. Ein Material der Auskoppelstrukturen (4) ist hierbei von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden. Die Brechungsindices der Materialien der Auskoppelstrukturen (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) weichen um höchstens 30 % voneinander ab. Des Weiteren weisen Facetten (40) der Auskoppelstrukturen (4) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 30 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) beträgt.

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    10.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 有权
    光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片

    公开(公告)号：EP2368278A2

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：EP09796292.2

    申请日：2009-11-02

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

    IPC: H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/22

    Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip comprises a semiconductor layer sequence (2) having at least one active layer (3), which is equipped to generate electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises decoupling structures (4), which are applied at least indirectly onto a radiation penetration surface (20) of the semiconductor layer sequence (2). A material of the decoupling structures (4) differs from a material of the semiconductor layer sequence (2). The refractive indices of the materials of the decoupling structures (4) and of the semiconductor layer sequence (2) deviate from each other by no more than 30%. In addition, facets (40) of the decoupling structures (4) comprise an overall surface, which carries at least 30% of the surface area of the radiation penetration surface (20).

Patent Agency Ranking