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公开(公告)号：KR101105130B1
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020090003552
申请日：2009-01-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/45542
Abstract: 성막 방법은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 동시에, 제2 처리 가스를 공급할 때에 여기하기 위한 여기 기구에 연통하는 처리 영역 내에서 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클을 복수회 반복하여 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 이 방법은 실리콘 질화막의 막질 요소에 대한 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클의 사이클 혼합 형태의 관계를 나타내는 관계식 또는 관계표를 구하는 공정과, 막질 요소의 목표값으로부터 관계식 또는 관계표를 참조하여 사이클 혼합 형태의 구체적 형태를 결정하는 공정과, 구체적 형태에 따라서 성막 처리를 어레인지하는 공정을 구비한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 보온통, 승강 기구, 가스 여기부Abstract translation: 成膜方法是选择性地向等离子体处理室供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体的方法， 循环和非等离子体循环被重复多次以在待处理的衬底上形成氮化硅膜。 等离子体循环的方法，和非一步骤，以获得关系表达式或一个关系表，其示出了等离子体循环的混合物的循环关系，请参见对氮化硅膜的膜质量因子从膜质量元件的目标值来循环混合形式的关系或关系表 确定特定形状的步骤，以及根据特定形式布置成膜处理的步骤。
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公开(公告)号：KR101010072B1
公开(公告)日：2011-01-24
申请号：KR1020050052786
申请日：2005-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45523 , Y10T117/1024
Abstract: 반도체 처리용의 성막 장치는, 피처리 기판 상에 박막을 퇴적하기 위한 원료 가스를 처리 용기 내에 공급하는 원료 가스 공급계와, 박막 중에 불순물을 도입하기 위한 도핑 가스와 도핑 가스를 희석하기 위한 희석 가스와의 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하는 혼합 가스 공급계를 포함한다. 혼합 가스 공급계는 도핑 가스 및 희석 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하기 위해 처리 용기 외에 배치된 가스 혼합 탱크와, 상기 혼합 탱크로부터 처리 용기 내에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크에 도핑 가스를 공급하는 도핑 가스 공급계와, 가스 혼합 탱크에 희석 가스를 공급하는 희석 가스 공급계를 포함한다.
배기 노즐, 처리 용기, 성막 장치, 압력 제어 밸브, 진공 펌프, 배기계-
公开(公告)号：KR100935039B1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：KR1020080090861
申请日：2008-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2807 , H01L21/324 , H01L29/4966
Abstract: In a film-formation method for a semiconductor process, a silicon germanium film is formed on a target substrate by CVD in a process field within a reaction container. Then, a silicon coating film is formed to cover the silicon germanium film by CVD in the process field, while increasing temperature of the process field from the first temperature to a second temperature. Then, a silicon film is formed on the coating film by CVD in the process field.
Abstract translation: 在用于半导体工艺的成膜方法中，在反应容器内的处理区域中通过CVD在目标衬底上形成硅锗膜。 然后，在处理区域中通过CVD覆盖硅锗膜，同时将处理场的温度从第一温度升高到第二温度，从而形成硅涂膜。 然后，在工艺现场通过CVD在涂膜上形成硅膜。
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公开(公告)号：KR1020090110786A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：KR1020090032026
申请日：2009-04-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/02145 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/28282 , H01L21/31612 , H01L29/792
Abstract: PURPOSE: A film forming method for a semiconductor process is provided to control metal concentration in forming a metal doped insulation film including silicon. CONSTITUTION: While supply of a metal source gas is blocked, a first insulation film is formed by chemically reacting to a silicon source gas(S1). While supply of the silicon source gas is blocked, a first metal film is formed by chemically reacting to the metal source gas(S2). While supply of the metal source gas is blocked, a second insulation film is formed by chemically reacting to the silicon source gas(S3). The first insulation film, the first metal film, and the second insulation film are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体工艺的成膜方法，以在形成包括硅的金属掺杂绝缘膜的过程中控制金属浓度。 构成：当金属源气体的供给被阻塞时，通过与硅源气体（S1）发生化学反应形成第一绝缘膜。 当硅源气体的供给被阻塞时，通过与金属源气体化学反应形成第一金属膜（S2）。 当金属源气体的供给被阻挡时，通过与硅源气体化学反应形成第二绝缘膜（S3）。 第一绝缘膜，第一金属膜和第二绝缘膜依次层叠。
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公开(公告)号：KR100921259B1
公开(公告)日：2009-10-09
申请号：KR1020050119270
申请日：2005-12-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4408
Abstract: 예를 들어 질화실리콘막을 형성할 때, 성막 처리 후에 상기 성막 처리에 대응한 퍼지 레시피에 의해 반응 용기 내의 퍼지 처리를 행하여 반응 용기 내에 부착된 가스나 파티클의 원인이 되는 막의 표층부를 제거하여 가스나 파티클의 발생을 저감시키는 것이다.
다수매의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(25)에 보유 지지시켜 반응 용기(2) 내에 반입하고, 예를 들어 Si
2 Cl
2 가스와 NH
3 가스를 성막 가스로서 이용한 성막 레시피(1)의 성막 처리를 행한다. 계속해서 이 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피(1)를 자동적으로 선택하고, 상기 퍼지 레시피(1)에 따라서 반응 용기(2)의 퍼지 처리를 행한다. 성막 처리의 종별마다 퍼지 레시피를 준비하여 각 성막 처리에 대응하는 퍼지 레시피를 자동적으로 선택하여 퍼지 처리를 행함으로써 불필요한 퍼지 시간의 발생을 억제한 상태에서 각 성막 처리에 대응한 적절한 퍼지 처리를 행할 수 있다.
성막 레시피, 퍼지 레시피, 반응 용기, 웨이퍼 보트, 플랜지, 인젝터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100891392B1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：KR1020040083357
申请日：2004-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/2807 , H01L21/324 , H01L29/4966
Abstract: 본 발명의 과제는 도펀트의 활성화율이 높은 실리콘 게르마늄막을 성막하는 데 있어서, 실리콘 게르마늄막의 마이그레이션을 억제하는 것이다.
실리콘 게르마늄막을 제1 온도로 성막한 후, 제2 온도까지 승온하여 예를 들어 폴리실리콘으로 이루어지는 캡층을 성막하는 경우, 처리 분위기의 온도를 제1 온도로부터 제2 온도를 향해 승온하는 과정에 있어서, 실리콘 게르마늄막의 움직임을 억제하기 위해 실란계의 가스를 반응 용기 내에 공급하여 상기 실리콘 게르마늄막의 표면을 실리콘으로 이루어지는 코팅층으로 덮는다. 또한 실리콘 게르마늄막을 성막 후에 반응 용기 내를 진공화하여 웨이퍼를 반출하는 공정을 행하는 경우에는, 반응 용기 내를 성막 온도로부터 강온시키면서 수소 가스에 의해 실리콘 게르마늄막을 어닐링하여 진공 배기시의 마이그레이션을 억제한다.
반응 용기, 제어부, 개구부, 배기구, 진공 펌프, 압력 조정부-
公开(公告)号：KR100888312B1
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020040067672
申请日：2004-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
CPC classification number: C23C8/16 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662
Abstract: 본 발명의 과제는 매우 막 두께가 얇은 산화막을, 촉매 등을 이용하는 일 없이 막 두께 제어성이 좋은 상태에서 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에 수소와 산소를 도입하여 양 가스를 연소시킴으로써 수증기를 발생시키고, 상기 수증기에 의해 피처리체의 표면을 산화 처리하도록 한 산화 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내의 프로세스 압력을 2000 Pa(15 Torr) 이상이 되도록 설정한다. 이에 의해, 산화에 기여하는 산화종을 수소나 산소의 활성종으로부터 수증기로 이행시켜 두께가 매우 얇은, 예를 들어 2 ㎚ 정도의 박막을 형성하는 경우라도 그 막 두께의 제어성을 향상시킨다.
열처리 장치, 처리 용기, 가열 히터, 피처리체, 수소 도입 노즐, 산소 도입 노즐-
公开(公告)号：KR100870608B1
公开(公告)日：2008-11-25
申请号：KR1020040067671
申请日：2004-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4401 , C23C16/46
Abstract: 본 발명의 과제는 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입한다. 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입하면 반응관(2) 내를 반도체 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼 보트(11)의 치핑이 반응관(2) 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응관(2) 밖으로 배출 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온한다.
열처리 장치, 웨이퍼 보트, 반응관, 반도체 웨이퍼Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够抑制粒子附着于被处理物的热处理方法及热处理装置。
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公开(公告)号：KR100861817B1
公开(公告)日：2008-10-07
申请号：KR1020047000022
申请日：2002-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44
CPC classification number: B08B7/0035 , B08B7/00 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C16/4404 , Y10S438/905 , Y10S438/906
Abstract: After semiconductor wafers are loaded into a reaction vessel, and ruthenium (Ru) film or ruthenium oxide film is formed, the interior of the reaction vessel is efficiently cleaned without contaminating the wafers. The interior of the reaction vessel is heated to a temperature of above 850°C while the pressure inside the reaction vessel is reduced to, e.g., 133 pa (1 Torr) - 13.3 Kpa (100 Torr), and oxygen gas is fed into the reaction vessel at a flow rate of, e.g., above 1.5 Lm, whereby the ruthenium film or the ruthenium oxide film formed inside the reaction vessel is cleaned off. In place of oxygen gas, active oxygen, such as O3, O* and OH*, etc. may be used.
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公开(公告)号：KR100848993B1
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：KR1020040094867
申请日：2004-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662
Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.
피처리체, 처리 용기, 분사 노즐, 유량 제어기, 웨이퍼 보트, 가스 분사구
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