公开(公告)号：GB2508748A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201403424

申请日：2012-08-29

Applicant: IBM

Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42

Abstract: Hemispheres (18) and spheres (28) are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres (18) are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface (12). The upper surface includes peaks of pillars (10) which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures (18) that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.

公开(公告)号：GB2506315A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：GB201400139

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  TULEVSKI GEORGE

IPC: H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075

Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer (112), a P-doped layer (108) and an intrinsic layer (1 10). A transparent electrode (104) is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer (105) and a high work function metal layer (107). The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.

公开(公告)号：DE112012002461T5

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE112012002461

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： KIM JEEHWAN ,  SHIU KUEN-TING ,  DIMITRAKO-POULOS CHRISTOS ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthält ein Aufbringen (206) einer Diblockcopolymerschicht auf ein Substrat und Entfernen eines ersten Polymermaterials aus der Diblockcopolymerschicht, um eine Vielzahl verteilter Poren zu bilden. Eine strukturbildende Schicht wird auf der verbleibenden Oberfläche der Diblockcopolymerschicht und in den Poren in Kontakt mit dem Substrat abgeschieden (212). Die Diblockcopolymerschicht wird abgehoben (214) und Teile der strukturbildenden Schicht werden in Kontakt mit dem Substrat belassen. Das Substrat wird unter Verwendung der strukturbildenden Schicht zum Schützen von Teilen des Substrats geätzt (216), um Säulen in dem Substrat zu bilden, so dass die Säulen eine strahlenabsorbierende Struktur in der Photovoltaikeinheit bereitstellen.

公开(公告)号：DE102013208429A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013208429

申请日：2013-05-08

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K ,  LI NING ,  SAENGER KATHERINE L ,  SHAHRJERDI DAVOOD ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: Die Erzeugung von Oberflächenstrukturen oder die Reproduktion von Oberflächenstrukturen wird in der vorliegenden Offenbarung ohne die Notwendigkeit erreicht, einen Ätzprozess einzusetzen. Stattdessen wird in der vorliegenden Offenbarung eine besondere, als Abtrennen (spalling) bezeichnete Bruchmethode verwendet, um Oberflächenstrukturen zu erzeugen oder zu reproduzieren. Im Fall einer Oberflächenstrukturerzeugung wird eine Oberflächenstruktur in einer Stressorschicht bereitgestellt, und dann wird das Abtrennen durchgeführt. Im Fall einer Oberflächenstrukturreproduktion wird eine Oberflächenstruktur innerhalb oder auf einer Oberfläche eines Basissubstrats gebildet, und dann wird eine Stressorschicht angebracht. Nach dem Anbringen der Stressorschicht wird das Abtrennen durchgeführt. Die Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen unter Verwendung von Abtrennen stellt ein kostengünstiges Mittel zur Erzeugung oder Reproduktion von Oberflächenstrukturen bereit.

公开(公告)号：DE102012221294A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102012221294

申请日：2012-11-21

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/02

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung beinhaltet das Entfernen einer ursprünglich auf ein Basissubstrat aufgewachsenen Schicht eines anorganischen LED-Materials von diesem; und das Verbinden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array.

公开(公告)号：GB2499318A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

Abstract: Techniques for fabricating self-aligned contacts in III-V FET devices are provided. A method for fabricating a self-aligned contact to III-V materials includes the steps of depositing at least one metal on a surface of a III-V material 102, the metal is reacted with an upper portion of the III-V material to form a metal III-V alloy layer 106 which is the self-aligned contact, an etch is used to remove any unreacted portions of the metal, at least one impurity is implanted into the metal III-V alloy layer, the impurity implanted into the metal III-V alloy layer is diffused to an interface between the metal III-V alloy layer and the III-V material to reduce the contact resistance of the self-aligned contact. The reaction may involve an annealing step.

公开(公告)号：DE102013200547A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102013200547

申请日：2013-01-16

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOARTABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06

Abstract: Es werden verbesserte Halbleitersubstrate bereitgestellt, die ein Material mit breiter Bandlücke zwischen dem Kanal und dem Isolator verwenden. Ein Halbleitersubstrat weist eine Kanalschicht, die ein III-V-Material aufweist; eine Isolatorschicht; und ein Material mit breiter Bandlücke zwischen der Kanalschicht und der Isolatorschicht auf, wobei ein Leitungsbandoffset (&Dgr;Ec) zwischen der Kanalschicht und dem breiten Bandlückenmaterial zwischen 0,05 eV und 0,8 eV liegt. Die Kanalschicht kann zum Beispiel In1-xGaxAs oder In1-xGaxSb aufweisen, wobei x von 0 bis 1 variiert. Das Material mit breiter Bandlücke kann zum Beispiel In1-yAlyAs, In1-yAlyP, Al1-yGayAs oder In1-yGayP aufweisen, wobei y von 0 bis 1 variiert.

公开(公告)号：DE102012209891A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.

公开(公告)号：DE102012209708A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209708

申请日：2012-06-11

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  FOGEL KEITH E ,  LAURO PAUL A ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/304

Abstract: Es wird ein Verfahren zur gesteuerten Schichtübertragung bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen einer Zugspannungsschicht auf einem Basissubstrat. Die Zugspannungsschicht weist einen Zugspannungsschichtteil, der oberhalb einer oberen Oberfläche des Substrats angeordnet ist, und einen selbsthaftenden Zugspannungsschichtteil auf, der nahe dem Rand jeder Seitenwand des Basissubstrats angeordnet ist. Dann wird oberhalb des Zugspannungsschichtteils des Basissubstrats ein Abspalthemmer aufgebracht und anschließend der selbsthaftende Zugspannungsschichtteil der Zugspannungsschicht von dem Zugspannungsschichtteil getrennt. Dann wird ein Teil des Basissubstrats, der sich unterhalb des Zugspannungsschichtteils befindet, von dem ursprünglichen Basissubstrat abgespalten. Das Abspalten beinhaltet das Verschieben des Abspalthemmers von der Oberseite des Zugspannungsschichtteils. Nach dem Abspalten wird der Zugspannungsschichtteil von der Oberseite eines abgespaltenen Teils des Basissubstrats entfernt.

公开(公告)号：DE102012104140A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102012104140

申请日：2012-05-11

Applicant: IBM

Inventor： HEKMATSHOAR-TABARI BAHMAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHAHIDI GHAVAM G ,  SHAHRJERDI DAVOOD

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden eines Fotoelements beschrieben, welches das Bilden einer Absorptionsschicht eines ersten kristallinen Halbleitermaterials vom ersten Leitungstyp, das epitaxiale Abscheiden einer zweiten kristallinen Halbleiterschicht vom zweiten Leitungstyp, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist, und das Abscheiden einer dotierten amorphen oder nanokristallinen Passivierungsschicht vom zweiten Leitungstyp beinhaltet, welcher dem ersten Leitungstyp entgegengesetzt ist. Der erste Leitungstyp kann p-leitend und der zweite Leitungstyp kann n-leitend sein, oder der erste Leitungstyp kann n-leitend und der zweite Leitungstyp kann p-leitend sein. Die Temperatur beim epitaxialen Abscheiden der zweiten kristallinen Halbleiterschicht überschreitet 500°C nicht. Es werden elektrisch mit der Absorptionsschicht und der zweiten kristallinen Halbleiterschicht verbundene Kontakte gebildet.