公开(公告)号：DE102019118174B3

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE102019118174

申请日：2019-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEHRENS THOMAS ,  GRUBER MARTIN ,  SCHARF THORSTEN ,  STROBEL PETER

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Verfahren zum Montieren von elektronischen Komponenten (100) auf einem oder mehreren Trägerkörpern (102), wobei das Verfahren das Bereitstellen eines Stützkörpers (104) mit mindestens einer ersten Ausrichtungsmarkierung (106), das Montieren des einen oder der mehreren Trägerkörper (102), die jeweils mindestens eine zweite Ausrichtungsmarkierung (108) aufweisen, aufweist, auf dem Stützkörper (104) durch Ausrichten zwischen der mindestens einen ersten Ausrichtungsmarkierung (106) und der mindestens einen zweiten Ausrichtungsmarkierung (108), und danach Montieren der Mehrzahl von elektronischen Komponenten (100) auf einem jeweiligen des einen oder der mehreren Trägerkörper (102) durch Ausrichten unter Verwendung der mindestens einen zweiten Ausrichtungsmarkierung (108).

公开(公告)号：DE102013108946B4

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：DE102013108946

申请日：2013-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:einen Halbleiterkörper (505) mit einer ersten Seite (512) und einer zur ersten Seite (512) entgegengesetzten zweiten Seite (517),einen ersten Kontakttrench (510), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) erstreckt, wobei der erste Kontakttrench (510) ein erstes leitendes Material (514) enthält, das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (510) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist,einen zweiten Kontakttrench (515a, 515b), der sich in den Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) erstreckt, wobei der zweite Kontakttrench (515a, 515b) ein zweites leitendes Material (519a, 519b) enthält, das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (515a, 515b) angrenzenden Halbleiterkörper (505) gekoppelt ist, und wobeider erste und zweite Kontakttrench (510, 515a, 515b) sich jeweils durch ein Dielektrikum (591a, 591d) in den Halbleiterkörper (505) erstrecken, und jeweils ein leitendes Material aufweisen, das mit dem Halbleiterkörper (515) über jeweilige Seitenwände des ersten und zweiten Kontakttrenches (510, 515a, 515b) elektrisch verbunden ist, und das Dielektrikum (591a), durch das sich der erste Kontakttrench (510) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der ersten Seite (512) ausgebildet ist, und das Dielektrikum (591d), durch das sich der zweite Kontakttrench (515a, 515b) erstreckt, auf dem Halbleiterkörper (505) an der zweiten Seite (517) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102014113115B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102014113115

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SCHWETLICK WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend:einen Halbleiterkörper (200), der eine erste Oberfläche (202) und eine zweite Oberfläche (204) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (202) hat,erste und zweite Gräben (312, 412), die sich von der ersten Oberfläche (202) in den Halbleiterkörper (200) erstrecken,wenigstens einen lateralen IGFET (310), der einen ersten Lastanschluss (314) an der ersten Oberfläche (202), einen zweiten Lastanschluss (316) an der ersten Oberfläche (202) und eine Gateelektrode (318) in den ersten Gräben (312) aufweist, undwenigstens einen vertikalen IGFET (410), der einen ersten Lastanschluss (414) an der ersten Oberfläche (202), einen zweiten Lastanschluss (416) an der zweiten Oberfläche (204) und eine Gateelektrode (418) in den zweiten Gräben (412) aufweist,wobei eine Kanalzone (328) des lateralen IGFET (310) begrenzt ist zwischen zwei der ersten Gräben (312), die entgegengesetzt oder gegenüber zueinander angeordnet sind, undein Abstand zwischen den zwei entgegengesetzt angeordneten ersten Gräben (312) an der Kanalzone (328) kleiner ist als ein Abstand zwischen den zwei entgegengesetzt zueinander angeordneten ersten Gräben (312) an einer Sourcezone (322) oder an einer Drainzone (326) des lateralen IGFET (310).

公开(公告)号：DE102017122865B3

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102017122865

申请日：2017-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER THORSTEN ,  MEYER-BERG GEORG ,  NIKITIN IVAN ,  PUFALL REINHARD ,  RIEDL EDMUND ,  SCHMIDT KLAUS ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Eine metallische Zwischenverbindung und eine Halbleiteranordnung, die sie enthält, wobei ein Verfahren zu ihrer Herstellen Folgendes enthalten kann: Bereitstellen einer ersten Struktur, die eine erste metallische Schicht enthält, die vorstehende erste Mikrostrukturen aufweist; Bereitstellen einer zweiten Struktur, die eine zweite metallische Schicht enthält, die vorstehende zweite Mikrostrukturen aufweist; Kontaktieren der ersten und zweiten Mikrostrukturen, um eine mechanische Verbindung zwischen den Strukturen zu bilden, wobei die mechanische Verbindung konfiguriert ist, die Durchdringung eines Fluids zu erlauben; Entfernen einer oder mehrerer nichtmetallischer Verbindungen auf der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht mit einem Reduktionsmittel, das die mechanische Verbindung durchdringt und mit der einen oder den mehreren nichtmetallischen Verbindungen reagiert; und Erwärmen der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht auf eine Temperatur, die eine Zwischendiffusion der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht verursacht, um die metallische Zwischenverbindung zwischen den Strukturen zu bilden.

公开(公告)号：DE102010015930B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102010015930

申请日：2010-03-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  DECKER STEFAN ,  KRISCHKE NORBERT ,  KADOW CHRISTOPH

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Integrierte Schaltung (100), die aufweist:einen ersten FET (110) und einen zweiten FET (120), wobeieine Dotierstoffkonzentration eines Bodys entlang eines Kanals des ersten (110) und zweiten (120) FETs jeweils einen Peak an einer Position (Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, Zmax) innerhalb des Kanals aufweist; und wobeidas Gate des ersten FETs (910) mit dem Gate des zweiten FETs (920) verbunden ist;ein Element aus Source und Drain des ersten FETs (910) mit dem entsprechenden Element aus Source und Drain des zweiten FETs (920) verbunden ist; undwobei das andere Element aus Source und Drain des ersten FETs (910) und das andere Element aus Source und Drain des zweiten FETs (920) mit einem Schaltkreiselement (930) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102006058068B4

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：DE102006058068

申请日：2006-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  WAIDHAS BERND ,  BRUNNBAUER MARKUS DR ,  SOMMER GRIT DR ,  WAGNER THOMAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/52 ,  H01L21/822 ,  H01L23/50

Abstract: Halbleiterbauelement aufweisend: einen Halbleiterchip (2), eine Spule (6) als ein passives Bauelement (3), ein Kunststoffgehäuse (4), in dessen Kunststoffgehäusemasse (5) der Halbleiterchip (2) und das passive Bauelement (3) sowie Verbindungselementezu Außenkontakten eingebettet sind, wobei mindestens ein Ende (7, 8) der Spule (6) über eine Leiterbahn einer Verdrahtungsstruktur (10) mit dem Halbleiterchip (2) elektrisch in Verbindung steht, wobei die Leiterbahn auf einer ebenen Fläche (28) angeordnet ist, die aus einer Oberseite (30) des Halbleiterchips (2) und der umgebenden Kunststoffgehäusemasse (5) gebildet ist, wobei die Spule (6) vertikale (14, 15) und horizontale (16, 17) Spulensegmente aufweist, wobei sich die vertikalen Spulensegmente (14, 15) von der oberen Verdrahtungsstruktur (10) in einem oberseitennahen Bereich zu einer unteren Verdrahtungsstruktur (11) in einem unterseitennahen Bereich im Halbleiterbauelement (1) erstrecken, wobei die Spule (6) einen Spulenkern mit Kernmaterial umgibt und das Kernmaterial (24) die Kunststoffgehäusemasse (5) aufweist.

公开(公告)号：DE102008045735B4

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE102008045735

申请日：2008-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  SEZI RECAI ,  MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED

IPC: H01L25/04 ,  H01L21/58

Abstract: Bauelement (500), umfassend: – einen ersten Halbleiterchip (1) mit einem Array aus ersten Verbindungselementen (5) auf einer ersten Oberfläche (3) des ersten Halbleiterchips (1); und – einen zweiten Halbleiterchip (2) mit einem Array aus zweiten Verbindungselementen (8) auf einer ersten Oberfläche (6) des zweiten Halbleiterchips (2), wobei – die erste Oberfläche (6) des zweiten Halbleiterchips (2) der ersten Oberfläche (3) des ersten Halbleiterchips (1) zugewandt ist, – die ersten Verbindungselemente (5) an den zweiten Verbindungselementen (8) angebracht sind, – der zweite Halbleiterchip (2) eine Dicke von unter 100 μm aufweist, – der erste Halbleiterchip (1) seitlich über den zweiten Halbleiterchip (2) hinausragt und eines der ersten Verbindungselemente (26) des ersten Halbleiterchips (1) nicht von dem zweiten Halbleiterchip (2) bedeckt ist, – der zweite Halbleiterchip (2) eine zweite Oberfläche (7), die der ersten Oberfläche (6) des zweiten Halbleiterchips (2) gegenüberliegt, und eine seitliche Oberfläche, die die seitliche Ausdehnung des zweiten Halbleiterchips (2) begrenzt, aufweist, und – eine Verdrahtungsschicht (23) von dem ersten Verbindungselement (26) des ersten Halbleiterchips (1), das nicht von dem zweiten Halbleiterchip (2) bedeckt ist, über die seitliche Oberfläche des zweiten Halbleiterchips (2) zu einer Lötabscheidung (25), die auf der zweiten Oberfläche (7) des zweiten Halbleiterchips (2) platziert ist, verläuft.

公开(公告)号：DE102015122282A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：DE102015122282

申请日：2015-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  PALM PETTERI ,  FÜRGUT EDWARD ,  OFNER GERALD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: Elektronisches Bauteil (900), das Folgendes umfasst: eine elektrisch isolierende Schicht (100) mit mindestens einem Durchgangsloch (700), eine strukturierte, elektrisch leitfähige Struktur (200) mindestens auf Teilen der elektrisch isolierenden Schicht (100), einen elektronischen Chip (300), der elektrisch mit der strukturierten, elektrisch leitfähigen Struktur (200) gekoppelt ist, ein Verkapselungsmaterial (400), das den elektronischen Chip (300) mindestens teilweise verkapselt, und mindestens eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (800, 304) mindestens teilweise in dem mindestens einen Durchgangsloch (700) in Kontakt mit mindestens einem Teil der strukturierten, elektrisch leitfähigen Struktur (200).

公开(公告)号：DE102014113115A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014113115

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  SCHWETLICK WERNER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (200), der eine erste Oberfläche (202) und eine zweite Oberfläche (204) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche hat. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst erste und zweite Trenches (312, 412), die sich von der ersten Oberfläche (202) in den Halbleiterkörper (200) erstrecken. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin wenigstens einen lateralen IGFET (310), der einen ersten Lastanschluss (314) an der ersten Oberfläche (202), einen zweiten Lastanschluss (316) an der ersten Oberfläche (202) und eine Gateelektrode (318) innerhalb den ersten Trenches (312) aufweist. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst außerdem wenigstens einen vertikalen IGFET (410), der einen ersten Lastanschluss an der ersten Oberfläche (202), einen zweiten Lastanschluss (416) an der zweiten Oberfläche (204) und eine Gateelektrode (418) innerhalb der zweiten Trenches (412) aufweist.

公开(公告)号：DE102013107761A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013107761

申请日：2013-07-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Transistorzellanordnung (122a, 122b) in einem Halbleiterkörper (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin einen ersten Trench (102) in der Transistorzellanordnung (122a, 122b) zwischen Transistorzellen. Der erste Trench (102) erstreckt sich in den Halbleiterkörper (104) von einer ersten Seite (106) und umfasst eine pn-Übergangdiode (118, 120), die elektrisch mit dem Halbleiterkörper (104) an einer Seitenwand (114a, 114b) gekoppelt ist.