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    4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법
    172.
    发明公开
    4족 전이금속 산화물 선구 물질 및 이의 제조 방법 失效
    IV族过渡金属氧化物的前驱体及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020040100208A

    公开(公告)日：2004-12-02

    申请号：KR1020030032469

    申请日：2003-05-22

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  장홍석

    IPC: C07F7/00

    CPC classification number: C07F7/006 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525

    Abstract: PURPOSE: Precursors of group IV transition metal oxide and a preparing method thereof are provided, which precursors are easily stored due to its less sensitivity to water, and has improved volatility, so that they are useful as precursors for production of an oxide thin layer. CONSTITUTION: The precursors of group IV transition metal oxide represented by formula (1) of M(OCR2(CH2)mY)x(NR'2)(4-x), is provided, wherein M is titanium, zirconium or hafnium; R is optionally fluor containing C1-C4 alkyl; Y is -OR' or -NR'2 in which R' is C1-C4 alkyl or C1-C4 alkylsilyl; m is an integer from 1 to 3; and x is an integer from 1 to 4. The method for preparing the precursors of group IV transition metal oxide of formula (1) comprises reacting group IV transition metal complex of formula (2) of M(NR'2)4, with an alcohol compound of formula (3) of HOCR2(CH2)mY.

    Abstract translation: 目的：提供IV族过渡金属氧化物的前体及其制备方法，由于其对水的敏感性较低，前体容易储存，并且具有改善的挥发性，因此它们可用作生产氧化物薄层的前体。 构成：提供由M（OCR2（CH2）mY）x（NR'2）（4-x）的式（1）表示的IV族过渡金属氧化物的前体，其中M是钛，锆或铪; R是任选的含氟的C 1 -C 4烷基; Y是-OR'或-NR'2，其中R'是C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4烷基甲硅烷基; m为1〜3的整数; 式（1）的IV族过渡金属氧化物的前体的制备方法包括将M（NR'2）4的式（2）的IV族过渡金属络合物与 HOCR2（CH2）mY的式（3）的醇化合物。

    알코올 가스 센서
    174.
    发明授权
    알코올 가스 센서 有权

    公开(公告)号：KR102224235B1

    公开(公告)日：2021-03-08

    申请号：KR1020190122739

    申请日：2019-10-04

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

    IPC: G01N27/407 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00 ,  C08L83/08

    Abstract: 본발명에따른알코올가스센서는게이트전극이형성된게이트절연막및 상기게이트절연막일면에형성되는금속산화물층; 금속산화물층상에형성되며, 서로이격배치되는소스전극및 드레인전극; 및금속산화물층, 소스전극및 드레인전극상에형성되는실리콘계고분자층;을포함하되, 실리콘계고분자층의고분자가하기화학식 1 및화학식 2의구조단위를포함한다. [화학식 1] JPEG112019101282187-pat00015.jpg4528 [화학식 2] JPEG112019101282187-pat00016.jpg3430 [상기화학식 1 및화학식 2에서, R1은 C1-C4의알킬이고; L은 2가의연결기이고; R2는시아노이고; R3은 C1-C4의알킬이고; R4는 C6-C20의아릴이고, x와 y의몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

    그래핀 저온 전사방법
    178.
    发明公开
    그래핀 저온 전사방법 审中-实审
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号：KR1020170043472A

    公开(公告)日：2017-04-21

    申请号：KR1020160133143

    申请日：2016-10-13

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

    IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

    CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  C01B32/186

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。

    금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법
    179.
    发明公开
    금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법 审中-实审
    一种在减少含金属氧化物的金属层上的金属氧化物含量的同时形成碳基钝化膜的方法

    公开(公告)号：KR1020170034780A

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：KR1020160120991

    申请日：2016-09-21

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  안기석 ,  버나드두댕 ,  틴다라베르두치 ,  파올로사모리 ,  에마누엘레오리구 ,  박세린

    IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

    CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/05

    Abstract: 본발명은금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층과의계면에서금속산화물및/또는금속수산화물함량을저감시키면서탄소계패시베이션막을형성시키는방법; 이를이용하여금속층및 상기금속층상에형성된탄소계패시베이션막을구비한금속전극; 및이를이용하여용액공정으로유기소자를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른어닐링조건에서탄소계패시베이션막을금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층표면에형성시키는경우, 금속표면에이미존재하는산화막및/또는수산화막을환원시키고더 이상의산화및 부식이일어나지않도록금속표면을보호할수 있을뿐만아니라, 계면저항이낮아서금(Au)과같이자연산화막이형성되지않는금속전극으로활용할수 있다.

    Abstract translation: 如何实现本发明，同时减少在使用包含金属氧化物和/或金属氢氧化物，以形成基于碳的钝化膜的金属层的界面上的金属氧化物和/或金属氢氧化物的内容; 金属电极，具有金属层和形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及使用其的溶液法制造有机器件的方法。 当根据本发明的用于形成含有金属表面的碳基钝化膜的金属在退火条件氧化物和/或金属氢氧化物，金属表面艾米存在氧化物和/或金属的氢氧化物，使得减少和另外的氧化和腐蚀发生膜表面 不仅被保护，可以使用，因为这是一个自然氧化膜不形成作为界面电阻低，金（Au）的金属电极。

    이황화몰리브덴 박막의 제조방법
    180.
    发明授权
    이황화몰리브덴 박막의 제조방법 有权
    莫来石薄膜薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR101655757B1

    公开(公告)日：2016-09-08

    申请号：KR1020150101409

    申请日：2015-07-17

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  김성준

    IPC: C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/455

    Abstract: 본발명은 a) 기판표면에프로모터층을형성하는단계; b) 상기기판에금속전구체를접촉시켜금속-프로모터복합박막층을형성하는단계; 및 c) 상기금속-프로모터복합박막층표면에이황화몰리브덴층을형성하는단계;를포함하는이황화몰리브덴나노박막제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 二硫化钼薄膜的制造方法技术领域本发明涉及二硫化钼薄膜的制造方法，其特征在于：（a）在基板的表面形成促进剂层的工序; （b）通过使金属前体与基材接触而形成金属 - 促进剂复合薄膜的步骤; 和（c）在金属 - 促进剂复合物薄膜的表面上形成二硫化钼层的步骤。

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