公开(公告)号：KR1020150141915A

公开(公告)日：2015-12-21

申请号：KR1020150163446

申请日：2015-11-20

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  허은진 ,  김신근 ,  이근우 ,  신현범 ,  성호근 ,  박경호 ,  강호관 ,  김희중

IPC: B82B1/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。

公开(公告)号：KR101566851B1

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020130168674

申请日：2013-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 임웅선 ,  성호근 ,  이근우 ,  김신근 ,  강호관

IPC: C25D5/10 ,  C25D5/48 ,  C25D3/00 ,  C25D3/10

Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.

公开(公告)号：KR101415635B1

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020120156756

申请日：2012-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  이근우 ,  최재원 ,  이병오 ,  박미림 ,  이희관 ,  신현범 ,  강호관 ,  고철기

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. Subject matters of the present invention are a method of manufacturing a space transformer for a polymer-based probe card and the space transformer for a polymer-based probe card manufactured by the same. The method of manufacturing a space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, a substrate via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, a conductive material fills the via-hole. In a fifth step, a polymer substrate is formed on the glass substrate, and a metal interconnection electrode, which is electrically connected to the substrate via-hole, is formed on the polymer substrate. In a sixth step, a second polymer substrate is formed on top of the polymer substrate, on which the metal interconnection electrode is formed, and a polymer substrate via-hole, which is filled with the conductive material, is formed on the second polymer substrate. And in the seventh step, polymer substrates resulted from the fifth and sixth steps are alternately stacked, and the metal interconnection electrode formed on the polymer substrate is electrically connected with the polymer substrate via-hole. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield as well as productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.

Abstract translation: 本发明涉及用于探针卡的空间变压器。 本发明的主题是制造用于基于聚合物的探针卡的空间变压器和由其制造的基于聚合物的探针卡的空间变压器的方法。 用于探针卡的空间变压器的制造方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成基板通孔。 在第四步骤中，导电材料填充通孔。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成聚合物基板，并且在聚合物基板上形成与基板通孔电连接的金属互连电极。 在第六步骤中，在形成有金属互连电极的聚合物基板的顶部上形成第二聚合物基板，并且在第二聚合物基板上形成填充有导电材料的聚合物基板通孔 。 在第七步骤中，由第五和第六步骤产生的聚合物基板交替堆叠，并且形成在聚合物基板上的金属互连电极与聚合物基板通孔电连接。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，制造成品率和生产率提高，制造成本降低。

公开(公告)号：KR101201262B1

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020110049769

申请日：2011-05-25

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  김신근 ,  이근우 ,  최재원 ,  이병오 ,  윤홍민 ,  임웅선 ,  이용수 ,  김진호 ,  고철기

IPC: H04R31/00 ,  H04R19/04 ,  H04R1/02

CPC classification number: H04R31/003 ,  H04R1/02 ,  H04R19/04

Abstract: PURPOSE: A vibrating membrane and a back plate of a capacitance type microphone based on a MEMS(Micro Electro Mechanical System) and a method for manufacturing the same are provided to prevent oxidation due to external humidity by forming an insulating layer on the vibrating membrane and the back plate. CONSTITUTION: A first insulation layer is formed on the upper part of a substrate(101). A vibrating membrane(102) forms a second insulation layer on the top of a first metal layer. A sacrificial layer for an air gap is formed on the upper part of the vibrating membrane. An external surface of the sacrificial layer is patterned by a photolithography process. A third insulation layer is formed on the upper part of the patterned sacrificial layer. A second metal layer is formed on the upper part of the third insulation layer. An upper conductive line is formed on the patterned second metal layer. A fourth insulating layer is formed on the upper part of a second metal layer. A back plate is obtained by the photolithography process. A sound inlet hole and a vibration hole are formed.

Abstract translation: 目的：提供一种基于MEMS（微机电系统）的电容式麦克风的振动膜和背板及其制造方法，以通过在振动膜上形成绝缘层来防止由于外部湿气引起的氧化， 背板。 构成：在基板（101）的上部形成第一绝缘层。 振动膜（102）在第一金属层的顶部上形成第二绝缘层。 在振动膜的上部形成用于气隙的牺牲层。 通过光刻工艺对牺牲层的外表面进行图案化。 在图案化牺牲层的上部形成第三绝缘层。 在第三绝缘层的上部形成有第二金属层。 在图案化的第二金属层上形成上导电线。 在第二金属层的上部形成第四绝缘层。 通过光刻工艺获得背板。 形成声音入口孔和振动孔。

公开(公告)号：KR1020110128527A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020100048025

申请日：2010-05-24

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  최재원 ,  김민호 ,  이근우 ,  박대영 ,  유승환 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/054

Abstract: PURPOSE: A side exposure type solar battery is provided to increase efficiency by differently forming a part in which sunlight is income and a part in which an electrode is formed and to reduce series resistance of a solar battery. CONSTITUTION: A solar battery comprises a solar battery cell, a first electrode(220), and a second electrode(230). A light receiving part(211) in which external light is income is formed on a first side of the solar battery cell. The solar battery generates current from the light which is income through the light receiving part. The first electrode is formed on a second side of the solar cell. The second electrode is formed on a third side which is faced with the second side of the solar cell. The first side of the solar cell is different with the second side and the third side of the solar cell.

Abstract translation: 目的：提供侧曝式太阳能电池，以通过不同地形成阳光收入的部分和形成电极的部分来提高效率，并降低太阳能电池的串联电阻。 构成：太阳能电池包括太阳能电池单元，第一电极（220）和第二电极（230）。 在太阳能电池单元的第一侧上形成有外部光收入的受光部（211）。 太阳能电池从通过光接收部分收入的光产生电流。 第一电极形成在太阳能电池的第二侧上。 第二电极形成在面对太阳能电池的第二面的第三面上。 太阳能电池的第一面与太阳能电池的第二面和第三面不同。

公开(公告)号：KR101828293B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR1020160095038

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  조주영 ,  정상현 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  G01N27/414

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020180012387A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020160095040

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  정해용 ,  조주영 ,  최재원 ,  정상현 ,  최영수 ,  강성민 ,  최원명 ,  조영대 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F7/2022 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/203 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/413

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.

Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。

公开(公告)号：KR20180012386A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR20160095039

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  최재원 ,  정상현 ,  강성민 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: B82B3/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5826

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。

公开(公告)号：KR101604307B1

公开(公告)日：2016-03-18

申请号：KR1020140192392

申请日：2014-12-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 성호근 ,  이종근 ,  이근우 ,  이병오 ,  이희관 ,  이용수 ,  김신근 ,  최지현

IPC: A61N5/06

CPC classification number: A61N5/0622 ,  A61B5/0059 ,  A61B5/04001 ,  A61B5/04009 ,  A61B5/0484 ,  A61B5/4064 ,  A61N5/0601

Abstract: 본발명은마이크로탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로탐침에관한것으로서, 본체와, 상기본체의전면에도파로가형성되어, 광원을발광시켜광자극을유도하는마이크로탐침의제조방법에있어서, 기판상의일부영역에식각공정에의한도파로형태의패턴을형성하는제1단계와, 상기도파로형태의패턴영역에코아(core)와클래드(clad)를형성하여도파로를형성하는제2단계와, 상기도파로와본체와의경계면에광원과도파로의커플링을위한리플렉터를코팅하는제3단계와, 상기리플렉터상부에상기리플렉터를향해하향발광하도록광원을형성하는제4단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하여, 탐침모양의패턴을분리하는제5단계를포함하여이루어진것을특징으로하는하향발광방식의광원이도파로에커플링된마이크로탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로탐침을기술적요지로한다. 이에의해광원에의한빛이도파로를통해탐침의끝단부로제공되어광자극을유도하는것으로서, 탐침상에광원을포함하는전기적인회로구성이없어전자기장발생으로부터자유로우며, 탐침상에광원을하향발광되도록집적하여리플렉터에의해광원을도파로에직접커플링(direct coupling)시켜, 설계조건이까다롭지않아용이하게제작할수 있으며, 생산성및 경제성이향상되는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种微探针的制造方法及其制造的微型探针。 在制造包括主体和形成在主体前面的波导以引起光刺激的微型探针的方法中，制造具有向下的发光型光源耦合波导的微型探针的方法根据 本发明包括：通过蚀刻工艺在基板上的部分区域中形成波导形图案的第一步骤; 在波导形图案区域中形成芯和包层以形成波导的第二步骤; 在波导和主体的边界表面上涂覆用于耦合光源和波导的反射器的第三步骤; 在反射器的顶部上形成光源以使得光源向下发射到反射器的第四步骤; 以及在基板上形成用于形成探针的图案以分离探针形图案的第五步骤。 具有根据本发明的向下发光型光源耦合波导的微探针通过制造微型探针的方法制造。 根据本发明的微型探针通过波导将光源的光提供到探针的端部以引起光刺激，并且不产生电磁场而不包括包括光的电路的构造 探头上的源头。 根据本发明的微型探针的制造方法能够容易地制造微型探针，并且提高生产率和经济可行性，因为通过收集光源使得探针上的光源发射的设计条件不复杂 向下并使得反射器能够执行光源与波导的直接耦合。

公开(公告)号：KR101540080B1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020130161950

申请日：2013-12-24

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 이근우 ,  김신근 ,  최재원 ,  이병오 ,  윤홍민 ,  이용수 ,  임웅선 ,  이희관 ,  박미림 ,  성호근 ,  강호관

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.