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公开(公告)号：KR101536226B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150075066A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020150081222
申请日：2015-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。
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公开(公告)号：KR1020130035913A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a thin film are provided to improve step coverage by forming a boron-doped amorphous silicon film in a seed layer. CONSTITUTION: A source gas for a seed is supplied into a process chamber. The source gas includes an aminosilane based gas and a multi-functional silane gas. A seed layer(88) is formed on the surface of an insulating layer. The silane gas and an impurity-containing gas are supplied into the process chamber. An amorphous impurity-containing silicon layer(90) is formed. [Reference numerals] (2) Insulating layer(underlayer); (88) Seed layer; (90) Amorphous impurity-containing silicon layer;
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的方法和装置，以通过在种子层中形成硼掺杂的非晶硅膜来改善步骤覆盖。 构成：种子的源气体被供应到处理室中。 源气体包括氨基硅烷基气体和多官能硅烷气体。 种子层（88）形成在绝缘层的表面上。 将硅烷气体和含杂质的气体供给到处理室中。 形成含非晶质杂质的硅层（90）。 （附图标记）（2）绝缘层（底层）; （88）种子层; （90）含非晶态杂质的硅层;
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公开(公告)号：KR1020100087636A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：KR1020100003967
申请日：2010-01-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: PURPOSE: A film forming device for processing a semiconductor, a using method thereof, and a computer readable medium for executing the same are provided to improve the property of a device related to throughput or particle generation by efficiently generating an oxide radical. CONSTITUTION: A main cleaning process and a post cleaning process are successively performed on a substrate for removing a thin film byproduct. In the main cleaning process, the film byproduct is etched by supplying a cleaning gas including fluorine in a reaction chamber. In the post cleaning process, the fluorine material including silicon is changed into the intermediate product through oxidation by supplying an oxide gas to the reaction chamber to remove the fluorine including the silicon. The process for reacting with the intermediate product is repeated several times by supplying hydrogen fluoride gas to the reactive chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置，其使用方法和用于执行该半导体的使用方法和用于执行该半导体的使用方法和计算机可读介质，以通过有效地产生氧化物自由基来改善与生产量或颗粒产生有关的装置的性质。 构成：在用于除去薄膜副产物的基板上连续进行主要清洁处理和后清洗处理。 在主要清洗过程中，通过在反应室中提供包括氟的清洁气体来蚀刻膜副产物。 在后清洗工序中，通过向反应室供给氧化物气体，除去包含硅的氟，将包含硅的氟材料变为氧化的中间体。 通过向反应室供应氟化氢气体，重复多次与中间产物反应的方法。
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公开(公告)号：KR1020100036214A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020090092465
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/027 , C23C16/02 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/45536 , G03F7/40 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/31608 , H01L21/31616 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/0276
Abstract: PURPOSE: A method for forming a mask pattern, a method for forming a fine pattern, and a thin film forming device are provided to reduce manufacturing costs by forming a silicon oxide layer on a pattern organic layer. CONSTITUTION: A resist layer is formed on a thin film of a semiconductor substrate(S12). The resist layer is processed to a resist pattern with a preset pitch using a photolithography(S13). The resist pattern is processed(S14). An oxide layer is formed on the thin film and the resist pattern by supplying source gas, oxide radical or gas containing oxygen(S15).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成掩模图案的方法，形成精细图案的方法和薄膜形成装置，以通过在图案有机层上形成氧化硅层来降低制造成本。 构成：在半导体基板的薄膜上形成抗蚀剂层（S12）。 使用光刻法将抗蚀剂层处理成具有预设间距的抗蚀剂图案（S13）。 处理抗蚀剂图案（S14）。 通过供给源气体，氧化物自由基或含氧气体，在薄膜和抗蚀剂图案上形成氧化物层（S15）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060006096A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：KR1020057022905
申请日：2004-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 스가와라다쿠야 , 다다요시히데 , 나카무라겐지 , 오자키시게노리 , 나카니시도시오 , 사사키마사루 , 마츠야마세이지 , 하세베가즈히데 , 나카지마시게루 , 후지와라도모노리
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02112 , H01L21/0234 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: Disclosed is a method for overcoming deterioration in characteristics of insulating films due to carbon, a suboxide, a dangling bond or the like contained in a gate insulating film of a MOSFET or an interelectrode insulating film of a capacitor in a memory device, thereby improving the characteristics of the insulating film. An insulating film is subjected to a modification treatment wherein a plasma treatment using a plasma produced from a process gas containing a noble gas and a thermal annealing treatment are combined.
Abstract translation: 公开了一种克服由于存储器件中的MOSFET或电容器的栅极绝缘膜中包含的碳，低氧化物，悬空键等引起的绝缘膜的特性劣化的方法，从而改善了 绝缘膜的特性。 对绝缘膜进行改性处理，其中使用由含有惰性气体和热退火处理的工艺气体产生的等离子体处理组合。
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公开(公告)号：KR101291766B1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：KR1020097005558
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0337 , H01L21/3088 , H01L21/32139 , H01L29/66795
Abstract: 개시되는 패터닝 방법에서는, 박막 상에, 이 박막과는 다른 막으로 이루어지고, 또한 SiBN으로 이루어진 희생막을 형성하고, 희생막을 포토리소그래피 기술을 이용하여, 소정의 간격을 가지는 패턴으로 가공하고, 가공된 희생막의 측벽 상에, 희생막 및 박막과는 다른 막으로 이루어진 측벽 스페이서를 형성하고, 가공된 희생막을 제거하고, 측벽 스페이서를 마스크로 이용하여 박막을 가공한다.
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公开(公告)号：KR101285211B1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020100003967
申请日：2010-01-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 반응실 내에서, 주(主) 클리닝 처리와 포스트 클리닝 처리를 이 순서로 행하는 것을 구비한다. 주 클리닝 처리는, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여, 실리콘을 포함하는 성막 부(副)생성물을 에칭한다. 포스트 클리닝 처리는, 주 클리닝 처리에 의해 발생하고 그리고 반응실 내에 잔류하는 실리콘 함유 불화물을 제거하기 위해, 반응실 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘 함유 불화물을 산화함으로써 중간 생성물로 변환하는 공정과, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불화 수소 가스를 공급하여, 중간 생성물과 반응시켜서 제거하는 공정을 번갈아 복수회 반복한다.
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公开(公告)号：KR101217778B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020117021227
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 개시되는패터닝방법은, 기판상에제 1 막을형성하는공정과, 제 1 막상에제 1 레지스트막을형성하는공정과, 제 1 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 1 레지스트패턴으로가공하는공정과, 유기실리콘을포함하는제 1 가스와, 활성화된산소종을포함하는제 2 가스를해당기판으로교대로공급하여, 제 1 레지스트패턴및 제 1 막상에실리콘산화막을형성하는공정과, 실리콘산화막상에제 2 레지스트막을형성하는공정과, 제 2 레지스트막을포토리소그래피에의하여소정의피치를갖는제 2 레지스트패턴으로가공하는공정과, 제 1 레지스트패턴및 제 2 레지스트패턴을마스크로이용하여제 1 막을가공하는공정을구비한다.
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公开(公告)号：KR101101785B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020117004101
申请日：2008-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 개시되는 패터닝 방법은, 기판 상에 제 1 막을 형성하는 공정과, 제 1 막 상에 제 1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 1 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 1 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 유기 실리콘을 포함하는 제 1 가스와, 활성화된 산소종을 포함하는 제 2 가스를 해당 기판으로 교대로 공급하여, 제 1 레지스트 패턴 및 제 1 막 상에 실리콘 산화막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 상에 제 2 레지스트막을 형성하는 공정과, 제 2 레지스트막을 포토리소그래피에 의하여 소정의 피치를 갖는 제 2 레지스트 패턴으로 가공하는 공정과, 제 1 레지스트 패턴 및 제 2 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제 1 막을 가공하는 공정을 구비한다.
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