公开(公告)号：KR1020120107520A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101114848B1

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：KR1020107017481

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 처리용기(2)의서셉터(3)와대향하는천장면에유전체판(20)을설치하고, 유전체판(20)의상면에는마이크로파를투과시키는복수의슬롯(33)을가지는슬롯안테나(30)를설치하고, 유전체판(20)의하면주연부에, 유전체판(20)과는별도의부재로구성되어있고이상방전을방지하는돌기부재(21)를구비한다. 돌기부재(21)의원통부의외주면(22)과처리용기(2)의측벽내주면(5a)과의간극또는돌기부재(21)의원통부의두께를조정함으로써유전체판(20) 주변부에서의전계강도를제어한다.

公开(公告)号：KR1020120009515A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031581

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009512A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度

公开(公告)号：KR101098141B1

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020077007996

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  티안케이즈홍 ,  마츠모토나오키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 본발명의표면파플라즈마(SWP) 소스는플라즈마에인접한전자기파방사부(launcher)의플라즈마표면에표면파를발생시킴으로써소정의전자기파모드의전자기에너지를플라즈마에결합하도록구성된전자기(EM)파방사부를구비한다. 파워결합시스템이상기전자기파방사부에결합되고, 상기전자기에너지를상기전자기파방사부에공급하여상기플라즈마를형성하도록구성된다. 상기전자기파방사부의상기플라즈마표면에결합된커버플레이트가상기전자기파방사부를상기플라즈마로부터보호한다.

公开(公告)号：KR101094723B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：KR1020100064613

申请日：2010-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  요시카와준 ,  무라카미카즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/513 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: (과제) 처리 가스를 처리 용기에 도입하기 위한 도입부에 있어서, 탄소계의 부착물의 발생을 억제한다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)로서, 처리 용기(2)의 천정면에, 처리 가스의 도입부(55)가 형성되고, 도입부(55)에는, 처리 용기(2)의 외부로부터 공급로(52)를 거쳐 공급되는 처리 가스를 모으는 가스 저장부(61)와, 가스 저장부(61)와 처리 용기(2)의 내부를 연통시키는 복수의 가스 분출공(66)이 형성되고, 가스 저장부(61)에 있어서, 공급로(52)의 개구부(52a)와 대향하는 위치에는, 가스 분출공(66)이 형성되어 있지 않고, 가스 분출공(66)의 단면은 편평한 형상이다.

Abstract translation: （问题）在用于将处理气体导入处理容器的导入部中，抑制了碳系沉积物的产生。

公开(公告)号：KR1020110025064A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020100064613

申请日：2010-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  요시카와준 ,  무라카미카즈오

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/513 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to keep a good balance for taking a processing gas from taking parts of a side and a ceiling surface of the apparatus, thereby increasing etching uniformity on a surface of a substrate. CONSTITUTION: A susceptor(3) on which a wafer(W) is put is formed inside a processing container(2). A heater(5) is formed inside the susceptor. An exhausting pipe(11) is connected to a lower part of the processing container. A dielectric window(16) is formed on an upper part of the processing container. A radial line slot plate(20) of a disc shape is formed on the dielectric window.

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，以保持从处理气体中取出装置的侧面和顶面的部分的平衡，从而增加基板表面的蚀刻均匀性。 构成：在处理容器（2）内部形成有放置有晶片（W）的感受体（3）。 在基座内部形成加热器（5）。 排气管（11）连接到处理容器的下部。 电介质窗（16）形成在处理容器的上部。 在电介质窗口上形成盘形的径向线槽板（20）。

公开(公告)号：KR1020070020329A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100565129B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020030048690

申请日：2003-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  혼고도시아키

IPC: H05H1/30

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 본 발명은 처리실에 마이크로파를 공급하여 플라즈마를 발생시키고 그 플라즈마로 피처리 물체를 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 이 플라즈마 처리 장치에서, 상기 처리실은 플라즈마 발생 영역의 매체를 매개로 하여 피처리 물체에 대향하게 배치되는 상판을 구비하고; 상기 상판에는 상판을 관통하여 처리실 내부로 들어가도록 배치된 하나 이상의 안테나가 마련된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种用于向处理室供应微波以产生等离子体并用等离子体处理该物体的等离子体处理装置。 在该等离子体处理装置中，处理容器具有：上板，其配置成在等离子体产生区域中隔着介质与被处理体相对; 上板设置有一个或多个天线，该天线布置成穿过上板并进入处理室。

公开(公告)号：KR100565128B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020030048603

申请日：2003-07-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  혼고도시아키

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 본 발명은 처리 챔버 내로 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키고, 그 플라즈마로 피처리 물체를 처리하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치에서, 처리 챔버는 플라즈마를 발생시키는 영역의 매체를 매개로 피처리 물체에 대향하게 배치된 상판을 구비하고, 고주파 안테나가 상판의 둘레를 감도록 처리 챔버의 내측 및 외측에 배치되어 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其通过向处理室内供给高频电力并利用等离子体处理被处理体而生成等离子体。 在等离子体处理装置中，处理腔室是一个区域的，用于生成包括相对设置的目标对象的顶板的等离子体的参数，高频天线被布置在所述处理室的内侧和外侧，以便减少在顶板的圆周上的介质 。