公开(公告)号：KR1020060024331A

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：KR1020057012886

申请日：2004-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도쿠노요시치카 ,  이토노리히로 ,  오리이다케히코 ,  나카모리미츠노리 ,  이이노다다시 ,  오노히로키 ,  사이토유스케

IPC: C01B13/11 ,  C01B13/10 ,  H01L21/302 ,  B01D47/05

CPC classification number: H01L21/68721 ,  B01D53/002 ,  B01D2257/106 ,  C01B13/10 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: Water vapor is mixed into an O3 gas generated by a discharge ozone generator. The mixed fluid is cooled by a cooling means, whereby impurities such as metals and nitrogen oxides contained in the O3 gas are dissolved into condensed water. Following that, the O3 gas is separated from the condensed water using a gas-liquid separator. Then, water vapor is mixed into the O 3 gas again. The resulting mixed fluid is passed through a metal trap composed of a container holding many silicon chips as a metal adsorbing material, whereby remaining metals are removed.

Abstract translation: 将水蒸汽混入由排放臭氧发生器产生的O 3气体中。 混合流体通过冷却装置冷却，由此O 3气体中所含的金属和氮氧化物等杂质溶解在冷凝水中。 之后，使用气液分离器将O 3气体与冷凝水分离。 然后再将水蒸气混入O 3气体中。 将所得混合流体通过由容纳许多硅芯片的容器组成的金属捕集器作为金属吸附材料，由此除去剩余的金属。

公开(公告)号：KR101824809B1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：KR1020160098118

申请日：2016-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  유겐 ,  오리이다케히코 ,  미츠오카가즈유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 본발명은고압유체와접촉시켜기판에부착된액체를제거하는처리를실시하는과정에서, 기판에파티클이부착되기어려운기판처리장치등을제공하는것을목적으로한다. 본발명의기판처리장치에서는, 기판(W) 표면의건조방지용액체를제거하는처리가행해지는처리용기(31) 안에고압유체를공급할때, 유체공급로(351)에설치된차단부를개방하고, 유량조정부(354)에의해유량을조정한상태로개폐밸브(352)를개방하여처리용기(31)에고압유체를도입하고[또는원료유체를처리용기(31) 안에서고압유체로변화시켜], 기판(W) 표면으로부터건조방지용액체를제거하는단계와, 이어서상기차단부를차단상태로하는한편, 개폐밸브(352)와감압밸브(342)를개방하고, 처리용기(31)에접속된배출로(341)를통해유체공급로(351)와처리용기(31)를함께감압하는단계와, 그후 상기기판(W)을그 처리용기(31)로부터반출하는단계를실행하도록제어신호를출력한다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种基板处理装置等，该基板处理装置等在使基板与高压流体接触的处理中除去附着在基板上的液体时，使粒子难以附着于基板上.SOLUTION ：基板处理方法包括以下步骤：当向处理容器31的内部供给高压流体时，打开设置在流体供给路径351处的阻挡部分，在该处理容器31中进行用于去除表面上干燥的液体的处理 进行基板W的开闭操作，通过流量调整部354调整流量，开闭阀352，将高压流体导入处理容器31（或者将原料流体变更为处理容器31内的高压流体 处理容器31），并从基板W的表面除去干燥防止用液体， 一边使阻断部成为阻断状态，一边经由与处理容器31连接的排气通路341对流体供给路径351和处理容器31进行减压，从而打开开闭阀352和减压阀342， 然后从处理容器31输送基板W.输出控制信号以执行这些步骤。

公开(公告)号：KR1020160048652A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：KR1020150142419

申请日：2015-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  다노우치게이지 ,  미츠오카가즈유키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L51/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248

Abstract: 본발명은, 초임계처리중에웨이퍼(W)에있어서패턴도괴를방지하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 액처리유닛(2)의외측챔버(21) 내에있어서, 웨이퍼(W)에대하여린스액, IPA, 제1 불소함유유기용제, 제2 불소함유유기용제를공급하는공정과, 웨이퍼(W)를초임계유닛(3)의처리용기(3A)로반송하는공정과, 처리용기(3A) 내에있어서웨이퍼(W)에대하여초임계상태의고압유체로한 초임계처리용불소함유유기용제를공급하는공정을구비한다. 적어도 IPA 공급시에외측챔버(21) 내에저습도 N가스를공급하여, 외측챔버(21) 내부를저습도 N가스분위기로하여 IPA 중으로의흡습을방지한다.

Abstract translation: 本发明是为了防止在超临界处理中晶​​片（W）上的图案塌陷。 基板处理方法包括以下处理：在液体处理单元（2）的外室中向晶片（W）供应冲洗溶液，IPA，第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂; 运送晶片（W）超临界机组（3）的处理容器（3A）; 并将用于超临界处理的含氟有机溶剂作为超临界状态的高压流体提供给处理容器（3A）中的晶片（W）。 在供给至少IPA时，将低湿度N_2气体供给到外室（21），并且使外室（21）的内部成为低湿度N_2气体气氛，以防止IPA吸湿 。

公开(公告)号：KR101572746B1

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020137031389

申请日：2012-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  이와시타미츠아키 ,  도시마다카유키 ,  하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사시 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: [과제] 기판의패턴내에들어간건조방지용의액체를비교적짧은시간에제거할수 있는기판처리방법등을제공한다. [해결수단] 표면에요철패턴이형성되고, 그오목부내에들어가도록상기패턴을덮는건조방지용의액체가부착된기판(W)을처리용기(31)내에반입하며, 이어서, 기판(W)을가열하고, 가압용의기체또는고압상태의유체를처리용기(31)내에공급하여, 패턴붕괴를야기하는정도까지건조방지용의액체가기화하기전에이 처리용기(31)내에고압분위기를형성하며, 상기패턴의오목부내에들어간상태그대로건조방지용의액체를고압상태로한 후, 처리용기(31)내의유체를고압상태또는기체상태로배출한다.

公开(公告)号：KR1020150107663A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020150034553

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/02079

Abstract: 본 발명은 웨이퍼(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있고, 또한 운전 비용의 저감을 도모하여, F 이온을 제거하는 것을 목적으로 한다.
분리 재생 장치는 제1 비점을 갖는 제1 불소 함유 유기 용제와, 제1 비점보다 낮은 제2 비점을 갖는 제2 불소 함유 유기 용제를 갖는 혼합 기체를 생성하는 초임계 처리 유닛(3)과, 제1 비점과 제2 비점 사이의 온도를 갖는 온수(34W)를 수납하고, 혼합 기체를 이 온수(34W) 중에 투입하여, 액체형의 제1 불소 함유 유기 용제와 기체형의 제2 불소 함유 유기 용제로 분리하는 증류 탱크(34)를 구비하고 있다. 초임계 처리 유닛(3)으로부터의 혼합 기체를 증류 탱크(34)로 유도하는 도입 라인(50)이 설치되고, 이 도입 라인(50)의 선단(50a)은 온수(34W) 중에 배치되어 있다.

Abstract translation: 本发明的目的是可靠地去除晶片（W）上的液体，以降低操作成本和去除F离子。 一种分离和重新制造装置包括：超临界处理单元（3），用于产生包含具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂的混合气体，第二含氟有机溶剂的第二沸点低于第一沸点 点; 以及用于储存温度在第一沸点和第二沸点之间的热水（34W）的蒸馏槽（34），将混合气体插入热水（34W）中，将混合气体分离成第一含氟 液态的有机溶剂和气态的第二含氟有机溶剂。 安装用于从超临界处理单元（3）向蒸馏槽（34）引入混合气体的引入管线（50），将引入管线（50）的前端（50a）配置在热水（34W） ）。

公开(公告)号：KR1020150107632A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020150033337

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  도시마다카유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B01D3/00 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/302

Abstract: (과제) 웨이퍼(W) 상의 액체를 확실하게 제거할 수 있으며, 또한 운전 비용의 저감을 도모한다.
(해결 수단) 분리 재생 장치(30)는 제1 비점을 갖는 제1 불소 함유 유기 용제와, 제1 비점보다 높은 제2 비점을 갖는 제2 불소 함유 유기 용제를 갖는 혼합 액체를 생성하는 버퍼 탱크(33)와, 혼합액을 제1 비점과 제2 비점 사이의 온도로 가열하여 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제와 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제로 분리하는 증류 탱크(34)와, 증류 탱크(34)로부터 이송되는 기체형의 제1 불소 함유 유기 용제를 액화하여 저류하는 제1 탱크(35)와, 증류 탱크로부터 이송되는 액체형의 제2 불소 함유 유기 용제를 저류하는 제2 탱크(36)를 구비하고 있다. 증류 탱크(34)는 버퍼 탱크(33)에서의 혼합액의 혼합 비율에 대응한 분리 비율로 혼합액을 제1 불소 함유 유기 용제를 많이 포함하는 액체와 제2 불소 함유 유기 용제를 많이 포함하는 액체로 분리한다.

Abstract translation: 本发明的目的是可靠地去除晶片上的液体（W），并降低运行成本。 为了实现本发明的目的，分离和重新制备装置（30）包括：用于产生具有第一沸点的第一含氟有机溶剂和第二含氟有机溶剂的混合液的缓冲罐（33） 溶剂，其第二沸点高于第一沸​​点; 用于通过在所述第一沸点和所述第二沸点之间的温度下加热所述混合液体而以液态形式分离所述第一含氟有机溶剂和所述第二含氟有机溶剂的蒸馏罐（34） 第一罐（35），用于液化和储存从蒸馏罐（34）转移的气态的第一含氟有机溶剂; 以及第二罐（36），用于储存从蒸馏罐转移的液体形式的第二含氟有机溶剂。 蒸馏罐（34）能够将分离速度与缓冲罐（33）中的混合液的混合比例分离成含有大量第一含氟有机溶剂的液体和含有 大量的第二种含氟有机溶剂。

公开(公告)号：KR1020140030218A

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：KR1020137031389

申请日：2012-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  유겐 ,  오노히로키 ,  오리이다케히코 ,  이와시타미츠아키 ,  도시마다카유키 ,  하야시히데카즈 ,  사토요헤이 ,  오쿠치히사시 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/302

Abstract: [과제] 기판의 패턴내에 들어간 건조 방지용의 액체를 비교적 짧은 시간에 제거할 수 있는 기판 처리 방법 등을 제공한다. [해결수단] 표면에 요철 패턴이 형성되고, 그 오목부내에 들어가도록 상기 패턴을 덮는 건조 방지용의 액체가 부착된 기판(W)을 처리 용기(31)내에 반입하며, 이어서, 기판(W)을 가열하고, 가압용의 기체 또는 고압 상태의 유체를 처리 용기(31)내에 공급하여, 패턴 붕괴를 야기하는 정도까지 건조 방지용의 액체가 기화하기 전에 이 처리 용기(31)내에 고압 분위기를 형성하며, 상기 패턴의 오목부내에 들어간 상태 그대로 건조 방지용의 액체를 고압 상태로 한 후, 처리 용기(31)내의 유체를 고압 상태 또는 기체 상태로 배출한다.

公开(公告)号：KR1020080046085A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020070100321

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  세키구치켄지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to remove particles on the substrate physically by spraying a micro droplet of hydrofluorether on the processed substrate. A substrate processing apparatus comprises a chamber(1) and a spin chuck(12). A cleaning liquid supply unit is installed to supply a cleaning liquid containing HFE(Hydrofluorether) into a wafer(W) which is supported by the spin chuck. A gas supply unit is installed to supply a gas into a chamber(10), wherein the gas restricts the moisture from penetrating into the wafer. A control unit(80) is installed to control the cleaning liquid supply unit and the gas supply unit. A temperature control unit is installed to restore the wafer temperature which is lowered by the cleaning liquid to the same temperature of the air under lower humidity more than the outside air of the chamber.

Abstract translation: 提供基板处理装置和基板处理方法，通过在加工的基板上喷射氢氟酸的微滴来物理地去除基板上的颗粒。 衬底处理设备包括腔室（1）和旋转卡盘（12）。 安装清洗液供给单元以将含有HFE（氢氟醚）的清洗液供给到由旋转卡盘支撑的晶片（W）中。 安装气体供应单元以将气体供应到室（10）中，其中气体限制水分渗入晶片。 安装控制单元（80）以控制清洁液供应单元和气体供应单元。 安装温度控制单元以将清洁液体降低的晶片温度恢复到比室内的外部空气更低的湿度下的空气的相同温度。

公开(公告)号：KR100766844B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020067012237

申请日：2005-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이다케히코 ,  세키구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  다나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: F26B5/005 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판(W)을 유지하여 이를 회전시키는 스핀척(3)을 구비한다. 스핀척에 의해 회전되는 기판에 대하여 처리액을 공급하는 처리액 공급 시스템(11,…)이 마련된다. 또한, 기판에 대하여, 처리액보다도 휘발성이 높은 건조용 유체를 공급하는 유체 노즐(12)과, 기판에 대하여 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐(13)이 마련된다. 불활성 가스 노즐이 유체 노즐보다도 기판의 회전 중심(P
o )에 가까워지도록 유지하면서, 이들의 노즐(12, 13)을 기판의 회전 중심에 대하여 반경 방향 외측으로 향해 이동시키는 노즐 이동 기구(15, 52,…)가 마련된다.

Abstract translation: 根据本发明的基板处理装置包括一个旋转卡盘（3），用于旋转它用于保持衬底（W）。 设置处理液供给系统，用于供给处理溶液由旋转卡盘（11，...）旋转的基板。 另外，相对于该衬底，流体喷嘴12，用于供给惰性气体到衬底比所述高挥发性为它提供液体供给干燥流体来处理惰性气体喷嘴13。 基板除了惰性气体喷嘴的旋转中心是流体喷嘴（P

公开(公告)号：KR1020060008952A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020057020693

申请日：2005-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  세키구치켄지 ,  오리타케히코 ,  오노히로키 ,  타나카사토루 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: A board cleaning apparatus and a board processing method are provided. A brush (3) is brought into contact with a board W while the board W is being rotated, and a cleaning position Sb of the brush (3) is shifted relatively to the board W, directing to a circumference part from a center part of the board W. A process fluid composed of a liquid droplet and a gas is jetted from a two fluid nozzle (5) to the board W. A cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is shifted relatively to the board W, directing to the circumference part from the center part of the board W, and while the cleaning position Sb of the brush (3) is being shifted to the circumference part from the center part, the cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is arranged on a side closer to a center Po than the cleaning position Sb of the brush (3). Thus, contaminants are prevented from transferring from the brush to contaminate the wafer.

Abstract translation: 提供了一种板清洁装置和板处理方法。 在板W旋转的同时，电刷（3）与电路板W接触，并且电刷（3）的清洁位置Sb相对于电路板W移动，从电路板W的中心部分引导到周边部分 由液体液滴和气体组成的工艺流体从两个流体喷嘴（5）喷射到板W.两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn相对于板W移动， 从电路板W的中心部分引导到圆周部分，并且当刷子（3）的清洁位置Sb从中心部分移动到周边部分时，两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn， 布置在比刷子（3）的清洁位置Sb更靠近中心Po的一侧。 因此，防止污染物从刷子转移以污染晶片。