Abstract:
플라즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제 1 주파수 f 1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제 2 주파수 f 2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가한다.
Abstract:
A method for regenerating a container for plasma treatment, characterized in that, to a thermally sprayed coating comprising one of alumina, a rare earth metal oxide, a polyimide and polybenzimidazole, which has been deteriorated by the use in plasma, on the surface of a member inside a container for plasma treatment having a substrate and, applied thereon, the thermally sprayed coating, a material being the same as that for the deteriorated sprayed coating is re-sprayed. The method allows a container for plasma treatment having a surface deteriorated by the use in plasma to be generated into the one as good as new.
Abstract:
사용 초기의 파티클 발생 및 그 후의 치핑 발생을 억제한 플라즈마 처리 장치용 석영부재의 가공 방법, 플라즈마 처리 장치용 석영부재 및 그 석영부재가 실장된 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 쉴드 링, 포커스 링 등에 이용되는 플라즈마 처리 장치용 석영부재(151)에 발생하고 있는 다이아몬드 연삭 후의 다수의 크랙(155)을 예컨대 입도가 #320 내지 400인 연마 입자에 의한 표면 가공을 실행하여 제거한다. 그 후, 더욱 작은 입자 직경의 연마 입자를 이용하여 표면 가공을 실행하여, 퇴적물을 부착 및 유지 가능한 요철을 유지하면서 파쇄층(163)을 제거한다.
Abstract:
기재의 표면이 알루미나, 희토류 산화물, 폴리이미드 또는 폴리벤조이미다졸 중 어느 용사막에 의해 피복된 플라즈마 처리 용기의 내부 부재의, 플라즈마 중에서의 사용에 의해 열화된 용사막에, 상기 용사막과 동일한 재료를 재용사한다. 이로써, 플라즈마 중에서의 사용에 의해 표면이 열화된 플라즈마 처리 용기를 신품과 같이 재생하는 것이 가능해진다.
Abstract:
플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f 1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f 2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.