公开(公告)号：KR1020140094461A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020140006798

申请日：2014-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  이토에츠지 ,  요코타아키히로 ,  쿠사노슈 ,  이시즈카히로아키 ,  나가세키카즈야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31138

Abstract: Provided is a method of etching a multilayer film including an organic film formed between first and second oxide films. In this method, a high frequency power for generating plasma in etching the organic film is greater than those in etching the first and second oxide films. High frequency bias powers for ion implantation in the etching of the first and second oxide films are greater than that in the etching of the organic film. In the etching of the first and second oxide films and the organic film, a magnetic field is generated such that horizontal magnetic field components in a radial direction with respect to a central axis line of a target object have an intensity distribution having a peak value at a position far from the central axis line, and a position of the peak value in the etching of the organic film is closer to the central axis line than those of the horizontal magnetic field components of the first and second oxide films.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻包括在第一和第二氧化物膜之间形成的有机膜的多层膜的方法。 在该方法中，蚀刻有机膜时产生等离子体的高频功率大于蚀刻第一和第二氧化物膜时的高频电力。 在第一和第二氧化物膜的蚀刻中用于离子注入的高频偏置功率大于蚀刻有机膜时的高频偏置功率。 在第一和第二氧化物膜和有机膜的蚀刻中，产生磁场，使得相对于目标物体的中心轴线的径向的水平磁场分量具有峰值在 远离中心轴线的位置，并且有机膜的蚀刻中的峰值位置比第一和第二氧化物膜的水平磁场分量更靠近中心轴线。

公开(公告)号：KR1020090101129A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020090024130

申请日：2009-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity inside a side of a plasma process in a wide RF frequency domain or wide RF power domain. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a process container(10), a lower electrode(12), an upper electrode(38), a process gas supply unit(62), a high frequency feeder, and a conductive high frequency ground unit. A process container vacuum-exhausts. The lower electrode mounts the substrate to be processed inside the process container. The upper electrode is faced in parallel to the lower electrode inside the process container. The process gas supply unit supplies the process gas to a process space between the upper electrode and the lower electrode. The high frequency supply unit applies the high frequency for generating the plasma of the process gas to the lower electrode or the upper electrode by the high frequency discharge. The conductive high frequency ground unit receives the high frequency discharged to the outside of the radius direction in a peripheral part of the electrode to which the high frequency is applied. The conductive high frequency ground unit covers the peripheral part of the electrode to which the high frequency is applied.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以改善宽RF频域或宽RF功率域内的等离子体处理侧的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括处理容器（10），下电极（12），上电极（38），工艺气体供给单元（62），高频给料器和导电高频接地单元。 一个处理容器真空排气。 下电极将待处理的基板安装在处理容器内。 上电极与处理容器内的下电极平行。 处理气体供给单元将处理气体供给到上部电极和下部电极之间的处理空间。 高频电源单元通过高频放电将高频用于产生处理气体的等离子体到下电极或上电极。 导电高频接地单元在施加高频的电极的周边部分中接收向半径方向外侧放电的高频。 导电高频接地单元覆盖施加高频率的电极的周边部分。

公开(公告)号：KR1020090018582A

公开(公告)日：2009-02-20

申请号：KR1020080079816

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus, and the plasma processing method and a storage media are provided to effectively prevent generation of charging damage and to realize stability and reliability of plasma processing. An object to be processed is mounted on a first electrode in a processing chamber(10). A second electrode faces parallel to the first electrode in processing chamber. A processing gas supply unit(62) supplies a processing gas to a processing space between the first and second electrodes. A first radio frequency feeding unit applies the first radio frequency contributing to a plasma generation of the processing gas. A controller(68) controls the first radio frequency feeding unit to alternate the first and second periods. In a first period, the first radio frequency of a first amplitude creates plasma. In a second period, the first radio frequency does not create plasma substantially.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质，以有效地防止产生充电损坏并实现等离子体处理的稳定性和可靠性。 要处理的物体安装在处理室（10）中的第一电极上。 第二电极在处理室中平行于第一电极。 处理气体供给单元（62）将处理气体供给到第一和第二电极之间的处理空间。 第一射频馈送单元施加有助于处理气体的等离子体产生的第一射频。 控制器（68）控制第一射频馈送单元交替第一和第二周期。 在第一时段中，第一幅度的第一射频产生等离子体。 在第二时段中，第一射频不产生等离子体。

公开(公告)号：KR100839677B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020057014249

申请日：2004-02-03

Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라가츠야 ,  히모리신지 ,  나가세키가즈야 ,  마츠마루히로키 ,  마츠야마쇼이치로 ,  다카하시도시키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541

Abstract: 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수납하는 감압 가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기 내에 제 1 전극(12)이 배치된다. 처리 용기 내에는 처리 가스를 공급하기 위해, 공급계(62)가 배치된다. 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해, 처리 용기 내에 고주파 전계를 형성하는 전계 형성계(32)가 배치된다. 제 1 전극(12)의 주면에, 플라즈마가 생성되는 공간측을 향하여 돌출하는 다수의 볼록부(70)가 이산적으로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020080014660A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020070080166

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  히모리신지 ,  마츠야마쇼이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32082

Abstract: A loading table and a plasma processing apparatus having the same are provided to improve the in-plane uniformity of an electric field strength in a plasma and perform plasma processing of high in-plane uniformity for a substrate. A conductive member is connected to a high-frequency power source, and serves as an ion supply electrode. A dielectric layer(22) is formed to cover a center portion of an upper surface of the conductive member to make a high-frequency electric field, which is applied to plasma via a substrate, uniform. An electrostatic chuck(23) is laminated on the dielectric layer, and has electrode films(23b,23d) spaced apart from in a diametric direction of a loading table. An outer edge of the dielectric layer is positioned immediately under an inner edge of a spaced region(23c) of the separated electrode films.

Abstract translation: 提供了一种装载台和具有该装载台的等离子体处理装置，以提高等离子体中的电场强度的面内均匀性，并对基板执行高面内均匀性的等离子体处理。 导电部件与高频电源连接，作为离子供给电极。 形成电介质层（22）以覆盖导电构件的上表面的中心部分，以使经由衬底施加到等离子体的高频电场是均匀的。 静电卡盘（23）层叠在电介质层上，并且具有与装载台的直径方向隔开的电极膜（23b，23d）。 电介质层的外边缘位于分离的电极膜的间隔区域（23c）的内边缘的正下方。

公开(公告)号：KR100657054B1

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020040000823

申请日：2004-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  히모리신지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  Y10T279/23

Abstract: 피처리 기판의 전면에 걸쳐 균일한 플라즈마 처리를 실시할 수 있어, 종래에 비해 플라즈마 처리의 면내 균일성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링을 제공한다.
반도체 웨이퍼 W가 탑재되고, 하부 전극을 겸한 서셉터(2) 상에는 반도체 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록, 포커스 링(6)이 마련되어 있다. 포커스 링(6)은 반도체 웨이퍼 W의 외주연부로부터 간격을 마련하여 반도체 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 배치된 박판 형상의 링 부재(6a)와, 반도체 웨이퍼 W와 박판 형상의 링 부재(6a) 사이에 위치하도록, 또한 반도체 웨이퍼 W 및 박판 형상의 링 부재(6a)의 하측에 위치하도록 배치된 하측 링(6b)으로 구성되어 있다.
플라즈마, 포커스 링, 면내 균일성

公开(公告)号：KR1020040066142A

公开(公告)日：2004-07-23

申请号：KR1020047008215

申请日：2002-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  엔도쇼스케 ,  나가세키가즈야 ,  구보타도모야

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069

Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.

公开(公告)号：KR1020040063825A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：KR1020040000823

申请日：2004-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  히모리신지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642 ,  Y10T279/23

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a focus ring are provided to improve a uniformity of a plasma process by performing a uniform plasma process on a whole surface of a wafer to be processed. CONSTITUTION: A mounting table(2) is disposed in a plasma process chamber. A wafer(W) to be processed is mounted on the mounting table. A ring member(6a) is arranged to surround a peripheral of the wafer to be processed with a distance from a main peripheral of the wafer to be processed. A lower ring(6b) are arranged to be disposed lower than the wafer to be processed and the ring member. A ratio of an impedance per unit area of the wafer to be processed to an impedance per unit area of the ring member is less than 5.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和聚焦环，以通过在待处理的晶片的整个表面上执行均匀的等离子体处理来改善等离子体工艺的均匀性。 构成：安装台（2）设置在等离子体处理室中。 待加工的晶片（W）安装在安装台上。 环状构件（6a）布置成围绕待处理的晶片的外围与待处理的晶片的主外围距离一定距离。 下环（6b）布置成布置成低于待处理的晶片和环形构件。 要处理的晶片的每单位面积的阻抗与环构件的每单位面积的阻抗的比率小于5。

公开(公告)号：KR102077438B1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：KR1020197024401

申请日：2012-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  고바야시요시유키 ,  가토다케히로 ,  이토에츠지

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306

公开(公告)号：KR102042588B1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：KR1020120033518

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세타케시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065