公开(公告)号：KR1020110019965A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020090077605

申请日：2009-08-21

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  정재완 ,  소병수 ,  백원봉 ,  마이단축이반

IPC: H01L21/20

CPC classification number: B01D8/00 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  Y02C20/30

Abstract: PURPOSE: A metal intercepting device and an atomic layer deposition device with the same are provided to discharge a discharging gas discharged from a processing chamber to the outside without a scrubber, thereby saving costs for installing the scrubber. CONSTITUTION: An intercepting chamber(310) provides an intercepting space. An intercepting plate(320) is located on one side of the intercepting chamber. The intercepting plate includes a body attached or detached to or from the intercepting chamber and an intercepting finger(324) inserted into the intercepting chamber. A coolant source(330) supplies a coolant. An attaching/detaching unit attaches/detaches the intercepting chamber to/from the intercepting plate.

Abstract translation: 目的：提供一种金属截留装置及其原子层沉积装置，以便将没有洗涤器的处理室排出的排放气体排出到外部，从而节省安装洗涤器的成本。 构成：拦截室（310）提供拦截空间。 拦截板（320）位于拦截室的一侧。 拦截板包括与拦截室连接或分离的主体以及插入拦截室的拦截手指（324）。 冷却剂源（330）供应冷却剂。 安装/拆卸单元将拦截室与拦截板相连/分离。

公开(公告)号：KR101002661B1

公开(公告)日：2010-12-20

申请号：KR1020080079003

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: F27D11/12 ,  F27B9/20 ,  F27B9/36 ,  F27D9/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6776

Abstract: 본 발명은 인라인 열처리 설비를 제공한다. 상기 인라인 열처리 설비는 기판의 이송 경로를 형성하며, 상기 이송 경로를 따라 이송되는 기판을 기설정되는 결정화 온도값으로 가열하는 다수개의 가열 장치들과, 상기 가열 장치들 사이의 이송 경로에 위치되는 기판을 기설정되는 순간 열처리 온도값으로 가열하는 순간 고온 열처리부를 구비한다. 또한, 본 발명은 인라인 열처리 설비 및 이를 사용한 기판 열처리 방법도 제공함으로써, 기판을 700도씨 이상의 고온 및 다양한 온도설계를 통한 고효율 열처리를 진행할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100100186A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of polycrystalline silicon and an atomic deposition apparatus thereof are provided to control the formation position of a seed and the size of grain by forming the crystallization guiding metal at a predetermined position and uniform concentration. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A mask(130) equipped with the opening and closing is located on the amorphous silicon layer. A UV lamp(140) is positioned on the mask. The crystallization induction metal is formed on the amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法及其原子沉积装置，以通过在预定位置形成均匀浓度来控制晶种的形成位置和晶粒尺寸。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 配置有开闭的掩模（130）位于非晶硅层上。 UV灯（140）位于掩模上。 在非晶硅层上形成结晶感应金属。

公开(公告)号：KR1020100099917A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: PURPOSE: An atomic layer deposition device and method for cooling a mask assembly are provided to effectively heat a substrate through a heating element of a substrate holder while preventing the thermal deformation of a mask assembly. CONSTITUTION: An atomic layer deposition device comprises a chamber(100), a vacuum pump(130), a gas supply unit(140), a substrate holder(110), a mask assembly, and a cooling source(150). The vacuum pump controls the internal pressure of the chamber. The gas supply unit supplies reaction gas into the chamber. The substrate holder is embedded with a heating element and located between the vacuum pump and the gas supply unit. The mask assembly with an internal cooling passage is located between the substrate holder and the gas supply unit. The cooling source supplies coolant to the cooling passage of the mask assembly.

Abstract translation: 目的：提供用于冷却掩模组件的原子层沉积装置和方法，以有效地加热衬底通过衬底保持器的加热元件，同时防止掩模组件的热变形。 构成：原子层沉积装置包括腔室（100），真空泵（130），气体供应单元（140），衬底保持器（110），掩模组件和冷却源（150）。 真空泵控制室的内部压力。 气体供应单元将反应气体供应到室中。 衬底保持器嵌有加热元件，并位于真空泵和气体供应单元之间。 具有内部冷却通道的面罩组件位于衬底保持器和气体供应单元之间。 冷却源将冷却剂供应到面罩组件的冷却通道。

公开(公告)号：KR101125565B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020090109837

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  최준후 ,  정민재 ,  박승규 ,  이길원 ,  정재완 ,  이동현 ,  소병수 ,  구현우 ,  마이단축이반 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  장석락

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 소스/드레인 영역 및 하나 또는 다수개의 채널영역을 구비하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층의 채널영역의 다결정 실리콘층은 저각결정립경계(low angle grain boundary)만을 포함하며, 고각결정립경계(high angle grain boundry)는 상기 반도체층의 채널영역 이외의 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
그리고, 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 상의 일부에 보호층 패턴을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층이 형성된 기판을 열처리하여 상기 보호층패턴의 에지에 금속 실리사이드를 라인형태로 형성한 후, 상기 금속실리사이드를 시드로 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하고, 상기 보호층 패턴을 제거하고, 상기 다결정 실리콘층을 패터닝하여 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 위치하 는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘층, 금속촉매

公开(公告)号：KR1020110072913A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090130025

申请日：2009-12-23

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  이길원

IPC: H01L51/56 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/4481 ,  H01L27/1277

Abstract: PURPOSE: A vapor deposition apparatus and a method for manufacturing an organic light emitting display(OLED) apparatus are provided to uniformly crystallize a semiconductor layer by uniformly supplying metal catalyst to an amorphous semiconductor layer. CONSTITUTION: Deposition source is charged in a canister. A heater(400) heats the canister in order to vaporize the deposition source. A chamber(200) is in connection with the canister, and a target is loaded in the chamber. A carrier gas supplying unit(300) supplies carrier gas in order to carry vaporized deposition source to the chamber. The carrier gas of the canister is introduced into an introducing part. A discharging part discharges the carrier gas toward the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造有机发光显示（OLED）设备的气相沉积设备和方法，以通过均匀地向非晶半导体层提供金属催化剂来均匀地结晶半导体层。 规定：沉积源在罐中充电。 加热器（400）加热罐以便蒸发沉积源。 室（200）与罐连接，并且目标装载在室中。 载气供应单元（300）提供载气以便将蒸发的沉积源运送到腔室。 将罐的载气引入导入部。 放电部件将载气朝向腔室排出。

公开(公告)号：KR1020100099618A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR1020100006482A

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：KR1020080066722

申请日：2008-07-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  나흥열 ,  이기용

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455 ,  H01L21/67715 ,  H01L21/67742

Abstract: PURPOSE: An apparatus for adjusting a magnetization distance and magnetron sputtering equipment having the same are provided to prevent the magnetization of a target by separating the distance between a target and a magnetron. CONSTITUTION: A magnetron unit conveyor for magnetization prevention includes a magnetron unit(200) and a moving unit. The magnetron is arranged at the proximity of a target(130). The magnetron unit forms constant magnetic field. The target is formed with the metal. A movable unit is separated from a magnetron and the target by a certain interval to make magnetic filed in predetermined magnetic field.

Abstract translation: 目的：提供一种用于调整磁化距离的装置和具有该装置的磁控溅射装置，以通过分离靶和磁控管之间的距离来防止靶的磁化。 构成：用于防止磁化的磁控管单元输送机包括磁控管单元（200）和移动单元。 磁控管布置在目标（130）附近。 磁控管单元形成恒定的磁场。 目标与金属形成。 可移动单元与磁控管和目标物分开一定间隔以使磁场保持在预定的磁场中。

公开(公告)号：KR101094279B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090107175

申请日：2009-11-06

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명은 다수의 기판을 동시에 가공하기 위한 기판 가공 장치에 있어서, 상기 다수의 기판이 가공되는 가공 챔버를 가열하기 위한 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것으로, 빠른 시간 내에 냉각되어 가공 챔버의 냉각에 소요되는 시간을 감소시킬 수 있는 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체; 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터; 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부; 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프; 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 가열 수단에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 다수의 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 가공 챔버; 상기 보트를 상기 가공 챔버의 내부로 반입 및 반출시키기 위한 이송부; 및 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 가열 수단을 포함하며, 상기 가열 수단은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체, 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터, 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부, 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 가열 수단

公开(公告)号：KR101084275B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020090089698

申请日：2009-09-22

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: F17D1/02 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/0318

Abstract: 본 발명은 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 일정한 소스 가스를 증착 챔버로 공급함으로써 균일한 막을 증착할 수 있는 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛을 제공한다.
캐리어 가스, 소스 가스, 증착 챔버, 측정 수단, 온도 제어부, 가열