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公开(公告)号：KR1020100020291A
公开(公告)日：2010-02-22
申请号：KR1020080079003
申请日：2008-08-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: F27D11/12 , F27B9/20 , F27B9/36 , F27D9/00 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , H01L21/67248 , H01L21/6776 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: Inline thermal process equipment and a wafer thermal processing method using the same are provided to increase the crystallinity of polysilicon by rapidly heat-treating a substrate at a high temperature more than a strain point of substrate. CONSTITUTION: A rapid thermal anneal part comprises a rapid high temperature annealing unit(600), a heating source(610) and a second controller. The heating source is installed inside the rapid high temperature annealing unit. The second controller controls the temperature value of the heating source. The second controller controls the operation of the heating source in order to heat the substrate(10) with rapid annealing temperature value.
Abstract translation: 目的：提供在线热处理设备和使用其的晶片热处理方法，以通过在高于衬底的应变点的高温下快速热处理衬底来提高多晶硅的结晶度。 构成：快速热退火部件包括快速高温退火单元（600），加热源（610）和第二控制器。 加热源安装在快速高温退火单元的内部。 第二控制器控制加热源的温度值。 第二控制器控制加热源的操作，以便以快速退火温度值加热基板（10）。
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公开(公告)号：KR101156441B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100021835
申请日：2010-03-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/52 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/54 , C23C14/568 , C23C16/042 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: A thin film deposition apparatus includes: a deposition source that discharges a deposition material; a deposition source nozzle unit disposed at a side of the deposition source and including a plurality of deposition source nozzles arranged in a first direction; a patterning slit sheet disposed opposite to the deposition source nozzle unit and including a plurality of patterning slits arranged in the first direction; a position detection member that detects a relative position of the substrate to the patterning slit sheet; and an alignment control member that controls a relative position of the patterning slit sheet to the substrate by using the relative position of the substrate detected by the position detection member, wherein the thin film deposition apparatus and the substrate are separated from each other, and the thin film deposition apparatus and the substrate are moved relative to each other.
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公开(公告)号：KR101094279B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020090107175
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/46
Abstract: 본 발명은 다수의 기판을 동시에 가공하기 위한 기판 가공 장치에 있어서, 상기 다수의 기판이 가공되는 가공 챔버를 가열하기 위한 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것으로, 빠른 시간 내에 냉각되어 가공 챔버의 냉각에 소요되는 시간을 감소시킬 수 있는 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체; 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터; 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부; 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프; 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 가열 수단에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 다수의 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 가공 챔버; 상기 보트를 상기 가공 챔버의 내부로 반입 및 반출시키기 위한 이송부; 및 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 가열 수단을 포함하며, 상기 가열 수단은 흡기구 및 배기구가 형성된 몸체, 상기 몸체의 내부에 위치하는 하나 또는 다수의 히터, 상기 몸체의 흡기구와 연결되는 냉각부, 상기 몸체의 배기구와 연결되는 배기 펌프 및 상기 냉각부를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 가열 수단-
公开(公告)号：KR101084275B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020090089698
申请日：2009-09-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: F17D1/02 , C23C16/4485 , C23C16/52 , Y10T137/0318
Abstract: 본 발명은 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 일정한 소스 가스를 증착 챔버로 공급함으로써 균일한 막을 증착할 수 있는 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛을 제공한다.
캐리어 가스, 소스 가스, 증착 챔버, 측정 수단, 온도 제어부, 가열-
公开(公告)号：KR101073557B1
公开(公告)日：2011-10-14
申请号：KR1020090113887
申请日：2009-11-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 양태훈 , 이기용 , 서진욱 , 박병건 , 정윤모 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 백원봉 , 소병수 , 홍종원 , 정민재 , 나흥열 , 마이단축이반 , 강유진 , 장석락
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/185 , C23C14/34 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3438
Abstract: 본발명은제 1 영역및 제 2 영역을포함하는공정챔버; 상기공정챔버의내측에위치하는금속타겟; 상기금속타겟을이동시키며, 상기금속타겟으로부터방출되는금속촉매의진행방향을제어하기위한제 1 쉴드를포함하는타겟이송부; 및상기제 2 영역에상기금속타겟과대향되도록위치하는기판홀더를포함하며, 상기기판홀더에안착되는기판과금속타겟사이의직선거리와상기제 1 쉴드의길이의차이는 3cm 이하인것을특징으로하는스퍼터링장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供了一种处理室，包括：包括第一区域和第二区域的处理室; 位于处理室内的金属靶; 以及第一护罩，用于移动金属靶并控制从金属靶发射的金属催化剂的行进方向; 并且，在所述第二区域中与所述金属靶相对配置的基板支架的基板与配置在所述基板支架上的金属靶的直线距离与所述第一屏蔽件的长度之差为3cm以下 对溅射装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110050268A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020090107175
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/46
Abstract: PURPOSE: A heating device and a substrate processing apparatus having the same are provided to reduce processing time by forcedly cooling down one or a plurality of heaters and to reduce the time required for cooling down the process chamber. CONSTITUTION: In a heating device and a substrate processing apparatus having the same, a body(210) includes an inlet unit(211) and an outlet unit(212). One or a plurality of heaters(220) are installed inside the body. A cooling unit(230) is connected to the inlet unit of the body. An exhaust pump(240) is connected to the exhaust pipe of the body. A controller(250) controls the cooling unit.
Abstract translation: 目的：提供一种加热装置及其基板处理装置，以通过强制冷却一个或多个加热器并减少冷却处理室所需的时间来减少处理时间。 构成：在加热装置和具有该加热装置的基板处理装置中，主体（210）包括入口单元（211）和出口单元（212）。 一个或多个加热器（220）安装在体内。 冷却单元（230）连接到主体的入口单元。 排气泵（240）连接到主体的排气管。 控制器（250）控制冷却单元。
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公开(公告)号：KR101015849B1
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 상기 소오스/드레인과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 반도체층은 하나 또는 다수개의 홈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 게터링, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR101155905B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090018490
申请日：2009-03-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 나흥열 , 이기용 , 정민재 , 홍종원 , 정윤모 , 강유진 , 장석락 , 서진욱 , 안지수 , 양태훈 , 김영대 , 박병건 , 이동현 , 이길원 , 정재완 , 박종력 , 최보경 , 윤상현
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/042 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체-
公开(公告)号：KR101155906B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020090123185
申请日：2009-12-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/345
Abstract: 본 발명은 비정질 실리콘을 결정화시키기 위하여, 상기 비정질 실리콘 상에 극저농도의 금속 촉매를 증착시키기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 프리-스퍼터링(Pre-sputtering) 공정이 짧은 시간에 충분히 수행될 수 있도록 함으로써, 전체적인 증착 공정의 효율성 저하 없이, 상기 비정질 실리콘 상에 극저농도의 금속 촉매를 균일하고 안정적으로 증착시킬 수 있는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
본 발명은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내측에 위치하는 금속 타겟; 상기 금속 타겟을 상기 제 1 영역 및 제 2 영역으로 이동시키기 위한 타겟 이송부; 상기 제 2 영역에 상기 금속 타겟에 대향되도록 위치하는 기판 홀더; 및 상기 제 1 영역의 타겟 이송부와 공정 챔버 사이에 위치하는 마그네틱 조립체를 포함하는 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
스퍼터링 장치, 프리-스퍼터링 장치-
公开(公告)号：KR1020110102686A
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020100021835
申请日：2010-03-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C16/52 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/54 , C23C14/568 , C23C16/042 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 본 발명은, 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있고, 제조 수율이 향상된 박막 증착 장치를 제공하기 위하여, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성된 증착원 노즐부; 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 배치되는 패터닝 슬릿 시트; 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이에 상기 제1 방향을 따라 배치되어, 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 복수 개의 증착 공간들로 구획하는 복수 개의 차단판들을 구비하는 차단판 어셈블리; 상기 패터닝 슬릿 시트에 대한 상기 기판의 상대적인 위치를 검출하는 위치 검출 부재; 및 상기 위치 검출 부재에서 검출된 상기 상대적인 위치를 이용하여, 상기 기판에 대한 상기 패터닝 슬릿 시트의 상대적인 위치를 변화시키는 얼라인 제어 부재;를 포함하고, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판이 서로 이격되도록 배치되며, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은 서로 상대적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다.
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