公开(公告)号：KR1020070016071A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020060097619A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060021536

申请日：2006-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829

Abstract: An insulating film is formed on a target substrate by CVD, in a process field to be selectively supplied with a first process gas containing a silane family gas, a second process gas containing a nitriding or oxynitriding gas, and a third process gas containing a carbon hydride gas. This method alternately includes first to fourth steps. The first step performs supply of the first and third process gases to the field while stopping supply of the second process gas to the process field. The second step stops supply of the first to third process gases to the field. The third step performs supply of the second process gas to the field while stopping supply of the first and third process gases to the field. The fourth step stops supply of the first to third process gases to the field.

Abstract translation: 包括硅烷基气体的第一处理气体，包含硝化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及包含烃气体的第三处理气体， 由此形成绝缘膜。 该成膜方法交替地包括第一至第四步骤。 在第一步骤中，在停止向处理区域供应第二处理气体的同时执行向处理区域供应第一和第三处理气体。 在第二步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。 在第三步骤中，在停止向处理区域供应第一和第三处理气体的同时向处理区域供应第二处理气体。 在第四步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。

公开(公告)号：KR1020060046767A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050067677

申请日：2005-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: A method for forming a silicon nitride film first deposits a silicon nitride film on a target substrate by CVD in a process field within a reaction container. This step is arranged to supply a first process gas containing a silane family gas and a second process gas containing a nitriding gas to the process field, and set the process field at a first temperature and a first pressure, for a first time period. The method then nitrides a surface of the silicon nitride film in the process field. This step is arranged to supply a surface-treatment gas containing a nitriding gas to the process field without supplying the first process gas, and set the process field at a second temperature and a second pressure, for a second time period shorter than the first time period.

公开(公告)号：KR1020060006096A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020057022905

申请日：2004-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: Disclosed is a method for overcoming deterioration in characteristics of insulating films due to carbon, a suboxide, a dangling bond or the like contained in a gate insulating film of a MOSFET or an interelectrode insulating film of a capacitor in a memory device, thereby improving the characteristics of the insulating film. An insulating film is subjected to a modification treatment wherein a plasma treatment using a plasma produced from a process gas containing a noble gas and a thermal annealing treatment are combined.

Abstract translation: 公开了一种克服由于存储器件中的MOSFET或电容器的栅极绝缘膜中包含的碳，低氧化物，悬空键等引起的绝缘膜的特性劣化的方法，从而改善了 绝缘膜的特性。 对绝缘膜进行改性处理，其中使用由含有惰性气体和热退火处理的工艺气体产生的等离子体处理组合。

公开(公告)号：KR1020060002807A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057016741

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4405

Abstract: A method for cleaning a heat treatment apparatus is disclosed. In an evacuatable process chamber of the heat treatment apparatus, an SiO2film is formed on an object to be treated by using TEOS. The method comprises a cleaning step wherein an HF gas and an NH3 gas are supplied into the process chamber.

Abstract translation: 公开了一种清洗热处理设备的方法。 在热处理装置的可抽空处理室中，通过使用TEOS在待处理物体上形成SiO 2膜。 该方法包括清洗步骤，其中HF气体和NH 3气体被供应到处理室中。

公开(公告)号：KR1020050109046A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020047018897

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4404

Abstract: Disclosed is a method for cleaning a thin-film forming apparatus wherein a thin film is formed on an object to be processed by supplying a process gas into a reaction chamber in which the object is housed. The cleaning method comprises a purging step for purging the inside of the reaction chamber by supplying an activatable nitrogenous gas containing nitrogen into the reaction chamber. The purging step comprises a substep wherein the nitrogenous gas is activated for nitriding the surfaces of members within the reaction chamber.

Abstract translation: 公开了一种清洁薄膜形成装置的方法，其中通过将处理气体供应到容纳物体的反应室中，在待加工物体上形成薄膜。 清洗方法包括一个清洗步骤，用于通过向反应室中提供含有氮的可活化含氮气体来净化反应室的内部。 吹扫步骤包括一个子步骤，其中氮气被活化用于氮化反应室内的构件的表面。

公开(公告)号：KR1020050037953A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083357

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: 본 발명의 과제는 도펀트의 활성화율이 높은 실리콘 게르마늄막을 성막하는 데 있어서, 실리콘 게르마늄막의 마이그레이션을 억제하는 것이다.
실리콘 게르마늄막을 제1 온도로 성막한 후, 제2 온도까지 승온하여 예를 들어 폴리실리콘으로 이루어지는 캡층을 성막하는 경우, 처리 분위기의 온도를 제1 온도로부터 제2 온도를 향해 승온하는 과정에 있어서, 실리콘 게르마늄막의 움직임을 억제하기 위해 실란계의 가스를 반응 용기 내에 공급하여 상기 실리콘 게르마늄막의 표면을 실리콘으로 이루어지는 코팅층으로 덮는다. 또한 실리콘 게르마늄막을 성막 후에 반응 용기 내를 진공화하여 웨이퍼를 반출하는 공정을 행하는 경우에는, 반응 용기 내를 성막 온도로부터 강온시키면서 수소 가스에 의해 실리콘 게르마늄막을 어닐링하여 진공 배기시의 마이그레이션을 억제한다.

公开(公告)号：KR100413914B1

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：KR1019950016167

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시시구치세이이치 ,  하세베가즈히데 ,  시게마츠노부아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32155

Abstract: 다수의 웨이퍼가 웨이퍼보트상의 반응관 내에 적재되고; 모노실란 가스, 포스핀 가스 및 N
2 O가스가 인이 도핑된 비정질 실리콘막을 형성하기 위해 공급되; 다음에 비정질 실리콘막을 다결정화 하기 위해 다른 반응관 내에서 해당 웨이퍼를 어닐한다. N
2 O의 분해에 의해 생성된 0(산소)가 막중에 취입된다. 그 0는 실리콘 결정의 핵으로 되어, 결정이 미소화되고 크기가 균일해진다. 결과적으로 폴리실리콘막의 미세소자의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다. 폴리실리콘막의 저항치는 산소의 첨가에 의해 쉽게 제어될 수 있다. 결과적으로, 폴리실리콘막의 미세소자의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100248563B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019940023395

申请日：1994-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  니시무라도시하루

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C23C16/24

Abstract: 다수의 반도체 웨이퍼를 간격을 두고 수직방향으로 겹친상태에서 웨이퍼보트에 유지하고, 이 웨이퍼 보트를 종형 열처리장치의 프로세스 챔버내에 반입하고, 프로세스 챔버 내를 감압 분위기로 유지한 상태에서 300-530℃로 가열하고, 프로세스 챔버 내에 디실란 가스의 유량이 300 SCCM이상이 되도록 디실란가스를 포함하는 처리가스를 공급하여 실리콘막의 성막을 한다.

公开(公告)号：KR101409604B1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020110075121

申请日：2011-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와따나베마사히사 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76227

Abstract: 본 발명의 과제는, 트렌치의 내부에 산화 장벽이 되는 막을 형성하지 않아도, 트렌치의 내부에 매립된 매립 재료에 공극이 발생하는 것을 억제하는 것이 가능한 트렌치의 매립 방법을 제공하는 것이다.
적어도 트렌치(6)의 측벽에 산화막(7)이 형성되어 있는 반도체 기판(1)을 가열하고, 반도체 기판(1)의 표면에 아미노실란계 가스를 공급하여 반도체 기판(1) 상에 시드층(8)을 형성하고, 시드층(8)이 형성된 반도체 기판(1)을 가열하고, 시드층(8)의 표면에 모노실란 가스를 공급하여 시드층(8) 상에 실리콘막(9)을 형성하고, 실리콘막(9)이 형성된 반도체 기판(1)의 트렌치(6)를, 소성함으로써 수축되는 매립 재료(10)를 사용하여 매립 트렌치(6)를 매립하는 매립 재료(10)를, 물 및/또는 히드록시기를 포함하는 분위기 중에서 소성하는 동시에, 실리콘막(9) 및 시드층(8)을 실리콘 산화물로 변화시킨다.