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公开(公告)号：KR1020080035386A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
Abstract: An optical device with a strained buried channel is provided to guarantee a desired switching speed and an improved operation speed by increasing modulation efficiency while avoiding a light attenuation phenomenon. A gate insulation layer(120) is formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type. A gate(122) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type is formed on the gate insulation layer. A high-density impurity diffusion region(132,134) is formed under the gate in the semiconductor substrate, doped with first conductive impurities having a higher density than that of the semiconductor substrate. A strained buried channel region(140) is extended to a portion between the gate insulation layer and the semiconductor substrate to come in contact with the high-density impurity diffusion region, made of a semiconductor material having a different lattice constant from that of a material constituting the semiconductor substrate. A semiconductor cap layer(142) is formed between the gate insulation layer and the strained buried channel region. The first conductivity type can be a p-type, having compressive stress.
Abstract translation: 提供具有应变埋入通道的光学器件，以通过提高调制效率同时避免光衰减现象来保证期望的开关速度和改善的操作速度。 在第一导电类型的半导体衬底上形成栅绝缘层（120）。 在栅极绝缘层上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的栅极（122）。 在半导体衬底的栅极下形成高浓度杂质扩散区（132,134），掺杂有比半导体衬底的密度高的第一导电杂质。 应变埋入沟道区域（140）延伸到栅极绝缘层和半导体衬底之间的部分，以与由与材料不同的晶格常数的半导体材料制成的高密度杂质扩散区域接触 构成半导体基板。 在栅极绝缘层和应变埋入沟道区之间形成半导体盖层（142）。 第一导电类型可以是具有压应力的p型。
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公开(公告)号：KR1020080029614A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060096455
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
Abstract: A silicon semiconductor-based high-speed ring optical modulator is provided to supply or discharge carriers at a high-speed mode by using a structure of a bipolar transistor at a refractive index changing part. A ring optical waveguide using a bipolar transistor includes a substrate(100), an insulating layer(120), and a semiconductor active layer. The semiconductor active layer is composed of an emitter region(140), a base region(150), a collector region(160), and a sub-collector region(130). The light penetrates the sub-collector region. The substrate is composed of a silicon substrate. The insulating layer is composed of a silicon oxide layer. The semiconductor active layer is composed of a carrier-doped silicon layer.
Abstract translation: 提供一种基于硅半导体的高速环形光调制器，通过使用折射率变化部分的双极晶体管的结构，以高速模式供给或放电载流子。 使用双极晶体管的环形光波导包括基板（100），绝缘层（120）和半导体活性层。 半导体有源层由发射极区域（140），基极区域（150），集电极区域（160）和子集电极区域（130）构成。 光穿过子集电极区域。 基板由硅基板构成。 绝缘层由氧化硅层构成。 半导体有源层由载流子掺杂硅层组成。
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公开(公告)号：KR1020080010939A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
Abstract: An optical device including a gate insulator with an edge effect is provided to improve a change of a refractive index or an optical attenuation effect without deterioration of a dynamic characteristic by increasing an optical confinement factor of a charged layer near a gate insulating film. An optical device including a gate insulator with an edge effect includes a semiconductor substrate(102), an insulator(104), a first semiconductor layer, a gate insulating film(150), and a second semiconductor layer. The insulator is arranged on the semiconductor substrate. The first semiconductor layer is doped with a first conductive impurity arranged on the insulator and has a recessed groove(152) on a top part thereof. The gate insulating film covers the groove and a part of the first semiconductor layer. The second semiconductor layer covers the gate insulating film and is doped with a second conductive impurity opposite to the first conductive impurity.
Abstract translation: 提供包括具有边缘效应的栅极绝缘体的光学器件，以通过增加栅极绝缘膜附近的带电层的光学限制因子来改善折射率或光学衰减效果的变化而不会使动态特性变差。 包括具有边缘效应的栅极绝缘体的光学器件包括半导体衬底（102），绝缘体（104），第一半导体层，栅极绝缘膜（150）和第二半导体层。 绝缘子布置在半导体衬底上。 第一半导体层掺杂有布置在绝缘体上的第一导电杂质，并且在其顶部上具有凹槽（152）。 栅极绝缘膜覆盖沟槽和第一半导体层的一部分。 第二半导体层覆盖栅极绝缘膜，并掺杂有与第一导电杂质相反的第二导电杂质。
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公开(公告)号：KR100779091B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060071656
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/225 , G02F1/3132 , H01L31/105
Abstract: An optical device including a gate insulating layer with a modulated thickness is provided to improve a change of refractive indexes or an optical attenuation effect by changing a thickness of a gate insulating layer. An insulator is arranged on a semiconductor substrate(102). A first semiconductor layer having a uniform thickness is formed on the insulator. The first conductive layer is doped with a first conductive type impurity. A gate insulating layer(150) is formed on a part of the first semiconductor layer. The gate insulating layer is formed with a concave structure so that a center part of the gate insulating layer is thin. A second semiconductor layer is formed to cover an upper surface of the gate insulating layer. The second semiconductor layer is doped with a second conductive type impurity.
Abstract translation: 提供了包括具有调制厚度的栅极绝缘层的光学器件，以通过改变栅极绝缘层的厚度来改善折射率的变化或光学衰减效果。 绝缘体设置在半导体衬底（102）上。 在绝缘体上形成具有均匀厚度的第一半导体层。 第一导电层掺杂有第一导电类型杂质。 在第一半导体层的一部分上形成栅极绝缘层（150）。 栅极绝缘层形成为具有凹形结构，使得栅极绝缘层的中心部分较薄。 形成第二半导体层以覆盖栅极绝缘层的上表面。 第二半导体层掺杂有第二导电类型杂质。
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公开(公告)号：KR100734868B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050121240
申请日：2005-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/2504
Abstract: 본 발명은 광통신(optical communication)에 쓰이는 광송수신기로서, 광원과 수광소자 사이에 전기적 교화(crosstalk)가 억제되는 광송수신기(optical transceiver) 모듈을 제공한다. 그 광송수신기 모듈은 광송수신기( optical transceiver)에 있어서, 기판에 함께 집적되는 광원 및 수광소자를 구비한 광송수신소자; 광원을 구동하는 구동회로 및 수광소자의 신호를 읽어내는 검출회로를 구비한 회로부; 및 기판 및 접지(ground) 사이에 연결되고 상기 광원과 수광소자 사이의 전기적 교화(crosstalk)를 방지하는 교화 방지수단;을 포함한다.
광송수신기(optical transceiver), 광원(optical source), 레이저 다이오드(Laser Diode), 수광소자(photodetector), 교화(crosstalk), 단일기판 광송수신기(monolithic optical transceiver)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100670827B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050121242
申请日：2005-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: G02B6/12004 , H01L31/0304 , H01L31/105
Abstract: A waveguide p-i-n photodiode is provided to acquire the maximum coupling coefficient between the photodiode itself and a single mode optical fiber or a silica waveguide by using a graded index distribution centering on an optical absorption layer. A lower optical guide layer is formed on a substrate(10). An optical absorption layer(18) is formed on the lower optical guide layer. An upper optical guide layer is on the optical absorption layer. A clad layer(26) is formed on the upper optical guide layer. The lower optical guide layer, the optical absorption layer and the upper optical guide layer are used for forming a core layer, wherein the core layer is used as a waveguide. The resultant structure has a symmetrical graded index distribution centering on the optical absorption layer.
Abstract translation: 提供了一种波导p-i-n光电二极管，通过使用以光吸收层为中心的渐变折射率分布来获得光电二极管本身与单模光纤或二氧化硅波导之间的最大耦合系数。 在基板（10）上形成下部光导层。 在下光导层上形成光吸收层（18）。 上光导层位于光吸收层上。 覆盖层（26）形成在上光导层上。 下光导层，光吸收层和上光导层用于形成芯层，其中芯层用作波导。 所得结构具有以光吸收层为中心的对称分级折射率分布。
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公开(公告)号：KR100613180B1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：KR1020010038011
申请日：2001-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: 본 발명은 주파수 대역에서 직렬 저항 손실이 적고, 기판으로의 손실을 저감시키고, 저 잡음 증폭기나 전압제어 발진기나 정합 회로, 대역 통과 회로에 사용함에 있어 높은 충실도로 인해 낮은 잡음 지수나 원하지 않는 신호를 감쇄시키므로, 집적화되지 못한 부품들을 다른 회로들과 같이 집적화할 수 있어 높은 성능을 가지면서 가격의 부담을 낮출 수 있는 다층 금속 인덕터에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판 상의 제1 절연층에 형성되고 외부와 전기적으로 연결되는 제 1 금속 배선; 상기 제 1 절연층 상의 제 2 절연층에 형성되고, 상기 제 1 금속 배선과 비아 홀(Via Hole)로 연결되는 제 2 금속 배선; 및 상기 제 2 금속 배선과 동일한 형태를 가지고, 상기 제 2 금속 배선 상에 순차적으로 적층되며, 각각이 비아 홀로 연결되는 하나 이상의 금속 배선; 을 포함하고, 상기 제 2 금속 배선의 폭은 상기 하나 이상의 금속 배선의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 다층 금속 인덕터를 제공한다.
인덕터, 금속층, 배선폭, 직렬저항, 고주파 집적회로-
公开(公告)号：KR100576542B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020010047547
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01F27/25
Abstract: 본 발명은 높은 충실도(Quality; Q)를 갖는 집적형 인덕터에 관한 것으로, 본 발명의 집적형 인덕터는 일방향으로 감긴 나선형 제 1 라인과 접점을 통해 상기 제 1 라인에 접속되며 상기 제 1 라인에 인접하여 역방향으로 감긴 나선형 제 2 라인으로 이루어진 하나의 금속배선으로 구성되며, 상기 제 1 라인과 제 2 라인에 서로 다른 반대 방향의 전류가 흐르도록 하여 반대 방향의 자기장이 발생하므로 전체적인 인덕터의 자기장이 상쇄되어 기판으로 영향을 주는 자기장의 성분이 감소한다.
인덕터, 금속배선, 충실도, 나선형, 자기장-
公开(公告)号：KR1020030013195A
公开(公告)日：2003-02-14
申请号：KR1020010047553
申请日：2001-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A high-Q poly-to-poly capacitor structure for RF ICs is provided to reduce an area of a lower electrode plate to lower parasitic capacitance by using an interdigit structure. CONSTITUTION: A lower electrode plate(23) of a capacitor is formed on a silicon substrate(21). The lower electrode plate(23) is formed with the first polysilicon layer. An upper electrode plate(25) is formed on the lower electrode plate(23). The upper electrode plate(25) is formed with the second polysilicon layer. The upper electrode plate(25) is connected with the first metal layer(28) through a plurality of contacts(27). A contact/the first metal layer/via layer(27/28/29) are sequentially laminated on the lower electrode plate(23). The second metal layer(31) is connected with the via layer(29). The first and the second metal layers(28,31) are connected to each other by using the via layer(29). The lower electrode plate(23) and the upper electrode plate(25) are formed within silicon oxide layers(22,24,26,30). The contact(29) and the first metal layer(28) are formed within the silicon oxide layers(22,24,26,30).
Abstract translation: 目的：提供用于RF IC的高Q多聚电容器结构，以通过使用叉指结构来减小下电极板的面积以降低寄生电容。 构成：在硅衬底（21）上形成电容器的下电极板（23）。 下电极板（23）形成有第一多晶硅层。 上电极板（25）形成在下电极板（23）上。 上电极板（25）形成有第二多晶硅层。 上电极板（25）通过多个触点（27）与第一金属层（28）连接。 接触/第一金属层/通孔层（27/28/29）依次层压在下电极板（23）上。 第二金属层（31）与通孔层（29）连接。 第一和第二金属层（28,31）通过使用通孔层（29）彼此连接。 下电极板（23）和上电极板（25）形成在氧化硅层（22,24,26,30）内。 接触（29）和第一金属层（28）形成在氧化硅层（22,24,26,30）内。
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公开(公告)号：KR100345446B1
公开(公告)日：2002-07-26
申请号：KR1019990060412
申请日：1999-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/45
Abstract: 본발명은결합된인덕터(coupled inductor)를이용하여고주파에서의정확한 D2S 및 S2D를보장하고, 상기결합된인덕터와병렬로커패시터를접속함으로써병렬공진에의해원하는주파수에서보다큰 임피던스를얻어 D2S 및 S2D 변환시의구동손실을제거할수 있는단일신호및 차동신호간의상호변환회로를제공하기위하여, 단일신호및 차동신호간 상호변환회로에있어서, 중앙의연결점에전원전압이연결된좌우의권수가같은제1 결합된인덕터; 상기제1 결합된인덕터의양단이, 각각의게이트와연결된차동쌍공통소스형구조의제1 및제2 N형트랜지스터를포함하여, 상기제1 결합된인덕터의일측에인가된신호전압에응답된역전압을상기제1 결합된인덕터의타측에생성하고, 상기제1 및제2 N형트랜지스터를통해쌍전류가생성되도록구성함을특징으로하며, 반도체회로등에이용됨.
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