中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

24 records (took 0.021 seconds)

    Grabenkondensatoren und Verfahren zu deren Ausbildung
    12.
    发明专利
    Grabenkondensatoren und Verfahren zu deren Ausbildung 未知

    公开(公告)号：DE102013101733B4

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：DE102013101733

    申请日：2013-02-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  POMPL STEFAN ,  POPP THOMAS

    IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108 ,  H01L29/92

    Abstract: Halbleiterbauelement, das Folgendes aufweist:• ein Substrat (10) mit einer Öffnung (30), eine erste Seitenwand (31) aufweisend;• eine zentrale Säule, die in einem zentralen Gebiet der Öffnung (30) angeordnet ist, wobei die zentrale Säule ein erstes Elektrodenmaterial (80) aufweist;• eine erste Dielektrikumsschicht (70), die um die zentrale Säule herum angeordnet ist;• ein zweites Elektrodenmaterial (50), das um die erste Dielektrikumsschicht (70) herum angeordnet ist, wobei das zweite Elektrodenmaterial (50) einen ersten Abschnitt der ersten Seitenwand (31) kontaktiert, wobei das zweite Elektrodenmaterial (80) von dem Material der Seitenwand verschieden ist oder eine andere Dotierung als das Material der Seitenwand aufweist oder ein nichtepitaktisch abgeschiedenes Material ist;• mehrere periphere Säulen, die in einem Peripheriegebiet der Öffnung (30) angeordnet sind, wobei die mehreren peripheren Säulen elektrisch an die zentrale Säule gekoppelt sind, wobei die Position der peripheren Säulen an Abschnitten der Seitenwand mit äquivalenten Kristallebenen ist; und• eine zweite Dielektrikumsschicht (70), die um die mehreren peripheren Säulen jeweils herum angeordnet ist, wobei die zweite Dielektrikumsschicht (70) einen zweiten Abschnitt der ersten Seitenwand (31) kontaktiert.

    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
    14.
    发明专利
    Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016122787A1

    公开(公告)日：2017-06-14

    申请号：DE102016122787

    申请日：2016-11-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BABURSKE ROMAN ,  BERGER RUDOLF ,  GUTT THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  SCHULZE HOLGER ,  SCHUSTEREDER WERNER

    IPC: H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/225 ,  H01L21/335

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Bilden einer amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht benachbart zu zumindest einer Halbleiterdotierungsregion mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Das Verfahren umfasst ferner das Einbringen von Dotierstoffen in die amorphe oder polykristalline Halbleiterschicht während oder nach dem Bildern der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht. Das Verfahren umfasst ferner das Ausheilen der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht, um zumindest einen Teil der amorphen oder polykristallinen Halbleiterschicht in eine im Wesentlichen monokristalline Halbleiterschicht zu transformieren, und um zumindest eine Dotierungsregion mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp in der monokristallinen Halbleiterschicht derart zu bilden, dass ein p-n-Übergang zwischen der zumindest einen Halbleiterdotierungsregion mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und der zumindest einen Dotierungsregion mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet wird.

    PLAQUETTE COMPOSITE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    16.
    发明专利
    PLAQUETTE COMPOSITE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 未知

    公开(公告)号：FR3002081A1

    公开(公告)日：2014-08-15

    申请号：FR1400204

    申请日：2014-01-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  RUHL GUENTHER ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS JOACHIM

    IPC: H01L21/58

    Abstract: Plaquette (10) composite qui comprend : - un substrat (11) comprenant un cœur (12) en carbone poreux et une couche (14) d'encapsulation, et - une couche (18) fonctionnelle à base de SiC liée sur le substrat (11), la couche (18) fonctionnelle comprenant, à une région (17) d'interface avec la couche (14) d'encapsulation, au moins un carbure formé par la réaction d'une partie de la couche (18) fonctionnelle sur un métal formant du carbure, la quantité de métal formant du carbure intégrée sur l'épaisseur de la couche (18) fonctionnelle allant de 10-4 mg/cm2 à 0,1 mg/cm2.

    Halbleiterbauelement und Verfahren, das eine Opferschicht verwendet
    17.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren, das eine Opferschicht verwendet 未知

    公开(公告)号：DE102011052952A1

    公开(公告)日：2012-04-26

    申请号：DE102011052952

    申请日：2011-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BERGER RUDOLF ,  GOELLNER REINHARD

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/115

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements offenbart. Das Verfahren weist das Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (120) über einem Substrat (100) auf. Die erste leitfähige Schicht (120) besitzt eine obere Oberfläche (122) und Seitenwände (121), wobei die erste leitfähige Schicht (120) einen Überhang (127) aus einem nichtleitfähigen Material (125) entlang den Seitenwänden (121) aufweist. Das Verfahren weist ferner das Bilden einer isolierenden Schicht (130) auf der ersten leitfähigen Schicht (120) und das Bilden einer Opferschicht (140) über der isolierenden Schicht (130) und dem Überhang (127) der ersten leitfähigen Schicht auf (120). Die Opferschicht (140) wird teilweise entfernt, wobei ein Rest (142) der Opferschicht (140) unter dem Überhang (127) verbleibt, und es wird eine zweite leitfähige Schicht (150) auf der isolierenden Schicht (130) gebildet.

Patent Agency Ranking