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    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG UNTER EINSCHLUSS VON IONENIMPLANTATIONSPROZESSEN
    12.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG UNTER EINSCHLUSS VON IONENIMPLANTATIONSPROZESSEN 未知

    公开(公告)号：DE102023117657A1

    公开(公告)日：2025-01-09

    申请号：DE102023117657

    申请日：2023-07-04

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOENIG AXEL ,  MLETSCHING KRISTIJAN LUKA ,  VOERCKEL ANDREAS ,  LEENDERTZ CASPAR ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

    IPC: H01L21/265 ,  H10D12/00 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/60

    Abstract: Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines dotierten Gebiets (102) in einem Halbleiterkörper (104). Das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) umfasst das Einbringen erster Dotierstoffe (1081) durch eine erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei einem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Anwenden einer ersten Wärmebehandlung (T1) auf den Halbleiterkörper (104). Danach umfasst das Ausbilden des dotierten Gebiets (102) das Einbringen zweiter Dotierstoffe (1082) durch die erste Oberfläche (106) des Halbleiterkörpers (104) bei dem ersten vertikalen Referenzniveau (L1) mittels eines zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2). Eine Ordnungszahl der ersten Dotierstoffe (1081) ist gleich einer Ordnungszahl der zweiten Dotierstoffe (1082). Eine Ionenimplantationsenergie (E2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsenergie (E1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1). Eine Ionenimplantationsdosis (D2) des zweiten Ionenimplantationsprozesses (I2-2) unterscheidet sich um weniger als 20 % von einer Ionenimplantationsdosis (D1) des ersten Ionenimplantationsprozesses (I2-1).

    STROMSPREIZGEBIET ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG
    13.
    发明专利
    STROMSPREIZGEBIET ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102019125676B3

    公开(公告)日：2021-01-21

    申请号：DE102019125676

    申请日：2019-09-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HELL MICHAEL ,  LEENDERTZ CASPAR ,  GANNER THOMAS ,  ELPELT RUDOLF

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/18 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161

    Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (102). Ein erstes Abschirmgebiet (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps ist mit einem ersten Kontakt (106) an einer ersten Oberfläche (108) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Ein Stromspreizgebiet (110) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mit einem zweiten Kontakt (112) an einer zweiten Oberfläche (114) des Siliziumcarbid-Halbleiterkörpers (102) elektrisch verbunden. Das erste Abschirmgebiet (104) und das Stromspreizgebiet (110) bilden einen pn-Übergang (116). Ein Dotierungskonzentrationsprofil des Stromspreizgebiets (110) enthält eine Vielzahl von Spitzen entlang einer zur ersten Oberfläche (106) senkrechten vertikalen Richtung (y). Eine Dotierungskonzentration einer Spitze oder einer Spitzengruppe (P1) der Vielzahl von Dotierungsspitzen (P1, P2, P3, P4) ist um zumindest 50 % größer als eine Dotierungskonzentration irgendeiner anderen (P2, P3, P4) der Vielzahl von Spitzen des Stromspreizgebiets (110). Ein erster vertikaler Abstand (vd1) zwischen der einen Spitze oder der einen Spitzengruppe (P1) des Stromspreizgebiets (110) und der ersten Oberfläche (108) ist größer als ein zweiter vertikaler Abstand (vd2) zwischen der ersten Oberfläche (108) und einer maximalen Dotierungsspitze des ersten Abschirmgebiets (104) entlang der vertikalen Richtung (y)

    SILIZIUMCARBID-VORRICHTUNG MIT SCHOTTKY-KONTAKT
    14.
    发明专利
    SILIZIUMCARBID-VORRICHTUNG MIT SCHOTTKY-KONTAKT 未知

    公开(公告)号：DE102019130376A1

    公开(公告)日：2020-07-09

    申请号：DE102019130376

    申请日：2019-11-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GANNER THOMAS ,  KONRATH JENS PETER ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

    Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbid-Körper (100), der ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Kathodengebiet (160) des ersten Leitfähigkeitstyps und Trenngebiete (140) eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält. Eine streifenförmige Gatestruktur (150) erstreckt sich entlang einer ersten Richtung (291) und grenzt direkt an das Sourcegebiet (110) und die Trenngebiete (140). Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner eine erste Lastelektrode (310). Entlang der ersten Richtung (291) ist das Kathodengebiet (160) zwischen zwei der Trenngebiete (140) gelegen, und zumindest eines der Trenngebiete (140) ist zwischen dem Kathodengebiet (160) und dem Sourcegebiet (110) gelegen. Die Sourcegebiete (110) und die erste Lastelektrode (310) bilden einen ohmschen Kontakt (OC), und die erste Lastelektrode (310) und das Kathodengebiet (160) bilden einen Schottky-Kontakt (SC).

    HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM SIC HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    15.
    发明专利
    HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM SIC HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE102018124740A1

    公开(公告)日：2020-04-09

    申请号：DE102018124740

    申请日：2018-10-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEISER ANDREAS ,  LEENDERTZ CASPAR ,  MAUDER ANTON

    IPC: H01L21/266 ,  H01L21/283 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: Ein Siliziumcarbidsubstrat (700) wird bereitgestellt, wobei das Siliziumcarbidsubstrat (700) einen Graben (750) aufweist, der sich von einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbidsubstrats (700) in das Siliziumcarbidsubstrat (700) erstreckt und der an einem Grabenboden (751) eine Grabenweite (wg) aufweist. Im Siliziumcarbidsubstrat (700) wird ein Abschirmgebiet (140) ausgebildet, wobei sich das Abschirmgebiet (140) entlang dem Grabenboden (751) erstreckt. In zumindest einer Dotierebene (105), die annähernd parallel zum Grabenboden (751) verläuft, weicht eine Dotierstoffkonzentration im Abschirmgebiet (740) über eine laterale erste Weite (w1) um nicht mehr als 10% von einem Maximalwert der Dotierstoffkonzentration ab. Die erste Weite (w1) ist kleiner ist als die Grabenweite (wg) und beträgt wenigstens 30% der Grabenweite (wg).

    Leistungshalbleitervorrichtung mit dV/dt-Steuerbarkeit und Quergrabenanordnung
    18.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung mit dV/dt-Steuerbarkeit und Quergrabenanordnung 未知

    公开(公告)号：DE102018112344A1

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：DE102018112344

    申请日：2018-05-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH

    Inventor： BINA MARKUS ,  DAINESE MATTEO ,  DIRNSTORFER INGO ,  GRIEBL ERICH ,  JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  LEENDERTZ CASPAR ,  PFIRSCH FRANK ,  PHILIPPOU ALEXANDER

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst eine aktive Region (1-2), die konfiguriert ist, einen Laststrom zu leiten; eine inaktive Begrenzungsregion (1-3), die die aktive Region (1-2) umgibt; einen Halbleiterkörper (10), der einen Teil jeder der aktiven Region (1-2) und der inaktiven Begrenzungsregion (1-3) bildet; einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12), wobei die aktive Region (1-2) konfiguriert ist, den Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten; mindestens eine Leistungszelle (1-1) mit einer Vielzahl von Gräben (14, 15, 16), die sich in den Halbleiterkörper (10) erstrecken und aneinander angrenzend entlang einer ersten lateralen Richtung (X) angeordnet sind. Jeder der Gräben (14, 15, 16) weist eine Streifenkonfiguration auf, die sich entlang einer zweiten lateralen Richtung (Y) in die aktive Region (1-2) erstreckt. Die Gräben (14, 15, 16) grenzen räumlich eine Vielzahl von Mesen (17, 18) ein. Die Vielzahl von Mesen (17, 18) umfassen mindestens eine Mesa des ersten Typs (17), die mit dem ersten Lastanschluss (11) in der aktiven Region (1-2) elektrisch verbunden und konfiguriert ist, mindestens einen Teil des Laststroms zu leiten, und mindestens eine Mesa des zweiten Typs (18), die konfiguriert ist, den Laststrom nicht zu leiten. Die Vorrichtung (1) umfasst ferner eine Entkopplungsstruktur (19), die in mindestens einer der mindestens einen Mesa des zweiten Typs (18) angeordnet ist und die mindestens eine Mesa des zweiten Typs (18) in einen ersten Abschnitt (181), der mindestens durch den Halbleiterkörper (10) in der aktiven Region (1-2) gebildet wird, und in einen zweiten Abschnitt (182), der mindestens durch den Halbleiterkörper (10) in der Begrenzungsregion (1-3) gebildet wird, trennt.

    Halbleiterbauteil mit Schottky-Kontakt
    20.
    发明专利
    Halbleiterbauteil mit Schottky-Kontakt 未知

    公开(公告)号：DE102024207457A1

    公开(公告)日：2025-04-03

    申请号：DE102024207457

    申请日：2024-08-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  RASINGER FABIAN ,  MLETSCHNIG KRISTIJAN LUKA ,  ESTEVE ROMAIN ,  LEENDERTZ CASPAR

    IPC: H10D64/64 ,  H10D8/60 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D84/00

    Abstract: In einer Ausführungsform wird ein Halbleiterbauteil bereitgestellt. Das Halbleiterbauteil kann einen Halbleiterkörper umfassen, der einen ersten dotierten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten dotierten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst. Das Halbleiterbauteil kann eine Metallstruktur in dem Halbleiterkörper umfassen, die über dem zweiten dotierten Bereich liegt. Die Metallstruktur kann eine erste Seitenwand angrenzend an einen ersten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs, eine zweite Seitenwand angrenzend an einen zweiten Abschnitt des ersten dotierten Bereichs und eine dritte Seitenwand angrenzend an den zweiten dotierten Bereich umfassen. Das Halbleiterbauteil kann einen Schottky-Kontakt umfassen, der einen Übergang der dritten Seitenwand der Metallstruktur mit dem zweiten dotierten Bereich umfasst.

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