公开(公告)号：DE102015103061A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102015103061

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK

IPC: G01P15/09 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/06 ,  G01L15/00

Abstract: Verschiedene Beschleunigungssensoren werden offenbart. In einigen Fällen kann eine träge Masse (12) während der Back-End-of-Line ausgebildet werden. In anderen Fällen kann eine Membran eine gebogene, wellenförmige oder gewundene Form aufweisen. Bei noch anderen Ausführungsformen kann eine träge Masse zwei oder mehr Druck erfassende Strukturen überspannen.

公开(公告)号：DE102014003068A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102014003068

申请日：2014-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

Abstract: Ein Herstellungsverfahren für einen Bildgeber umfasst Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht, um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur zu erlangen; – Abscheiden einer zweiten Schicht und wenigstens einer Spacerschicht und Entfernen der zweiten Schicht in der Transistorregion, während die zweite Schicht wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die zweite Schicht wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht unterscheidet; und – Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur zu bilden, wobei die zweite Schicht wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102013018789A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013018789

申请日：2013-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEVER THOMAS ,  FEICK HENNING ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK ,  MELZNER HANNO ,  OFFENBERG DIRK ,  PARASCANDOLA STEFANO ,  UHLIG INES

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/10

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung umfasst die folgende Schritte auf: Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils, so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets erzeugt wird, und Erzeugen einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist.

公开(公告)号：DE102012109356A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：DE102012109356

申请日：2012-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/50

Abstract: Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen eine Halbleiterstruktur, die Folgendes aufweist: eine leitfähige Kontaktstelle (310), wobei die leitfähige Kontaktstelle (310) mehrere seitlich beabstandete Spalten (360) enthält, die mindestens teilweise durch die leitfähige Kontaktstelle (310) hindurch verlaufen.

公开(公告)号：DE102015102734A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102015102734

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  G01L27/00 ,  G01R31/26

Abstract: Ein mikroelektromechanisches Bauelement, das eine bewegbare Struktur aufweist, wobei die bewegbare Struktur eine Teststruktur aufweist, die eine elektrische Charakteristik ändert, wenn die bewegbare Struktur beschädigt ist.

公开(公告)号：DE102014114873A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014114873

申请日：2014-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  THEUSS HORST ,  KOLB STEFAN ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L33/58 ,  H01S5/183

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung zum Emittieren von frequenzmäßig eingestelltem Infrarotlicht umfasst eine laterale Emitterstruktur und eine laterale Filterstruktur. Die laterale Emitterstruktur ist ausgelegt, um Infrarotlicht mit einer Emitterfrequenzverteilung zu emittieren. Ferner ist die laterale Filterstruktur ausgelegt, um das Infrarotlicht, welches von der lateralen Emitterstruktur emittiert wird, zu filtern, so dass frequenzmäßig eingestelltes Infrarotlicht mit einer eingestellten Frequenzverteilung bereitgestellt wird. Der Frequenzbereich der eingestellten Frequenzverteilung ist schmaler als ein Frequenzbereich der Emitterfrequenzverteilung. Ferner ist ein lateraler Luftspalt zwischen der lateralen Emitterstruktur und der lateralen Filterstruktur angeordnet.

公开(公告)号：DE102009055389B4

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE102009055389

申请日：2009-12-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  THAMM ANDREAS ,  WINKLER BERNHARD

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

Abstract: Halbleiterbauelement (106), das folgende Merkmale aufweist: ein Halbleitersubstrat (108); ein Halbleitermasseelement (112), das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen, wobei das Masseelement (112) durch Gräben, die in das Halbleitersubstrat (108) geätzt sind, und einen Hohlraum (110, 140) unter dem Masseelement (112) definiert ist; ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements (112) zu erfassen; und eine Komplementärmetalloxidhalbleiterschaltung (CMOS-Schaltung), die auf dem Substrat (108) gebildet ist, wobei der Hohlraum (110, 140) eine erste Seitenwand (126), die einer ersten Seitenwand (128) des Masseelements (112) gegenüberliegt, und eine zweite, an die erste Seitenwand (126) angrenzende Seitenwand (130), die einer zweiten Seitenwand des Masseelements (112) gegenüberliegt, umfasst, wobei die Seitenwände (126, 128, 130) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) eine Dotierung mit einer ersten Polarität aufweisen, wobei ein Abschnitt (124) des Bodens des Hohlraums (110) zwischen den ersten Seitenwänden (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) und eine Ecke (122) zwischen der ersten und zweiten Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) eine Dotierung mit einer zweiten, der ersten Polarität entgegengesetzten Polarität aufweisen, um die erste und zweite Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) elektrisch zu isolieren, und wobei das Erfassungselement Elektroden zum kapazitiven Erfassen der Bewegung des Masseelements (112) und Verbindungen (118, 120) zum Koppeln mit der CMOS-Schaltung (104) umfasst, wobei die Elektroden durch die gegenüberliegenden, dotierten ersten Seitenwände (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) gebildet sind, wobei eine erste (118) der Verbindungen (118, 120) die erste Seitenwand (126) des Hohlraums (110, 140) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt, und wobei eine zweite (120) der Verbindungen (118, 120) die zweite Seitenwand des Masseelements (112) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt.

公开(公告)号：DE102012103431A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102012103431

申请日：2012-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOLFELD GEORG ,  KAISER DIETER ,  KAUTZSCH THORALF ,  MEINHOLD DIRK

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0236

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine integrierte Schaltungsanordnung bereitgestellt, welche einen Transistor, welcher einen Gate-Bereich aufweist, und ein Wellenlängen-Konvertierungselement aufweist, wobei das Wellenlängen-Konvertierungselement das gleiche Material oder die gleichen Materialien aufweist wie der Gate-Bereich des Transistors.

公开(公告)号：DE102010064381A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102010064381

申请日：2010-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KAUTZSCH THORALF ,  MUELLER MARCO ,  MEINHOLD DIRK ,  ROSAM BEN ,  ELIAN KLAUS ,  KOLB STEFAN

IPC: G01L9/06 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bereitstellen eines Drucksensorsubstrats weist das Erzeugen eines ersten Hohlraums, der sich innerhalb des Substrats in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Substrats erstreckt und der sich innerhalb des Substrats erstreckt, in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung, in einen ersten Lüftungsbereich des Substrats; das Erzeugen eines zweiten Hohlraums, der sich in der ersten Richtung innerhalb des Substrats erstreckt, der sich parallel zu dem ersten Hohlraum in der zweiten Richtung erstreckt und der sich nicht in den ersten Lüftungsbereich erstreckt; und das Öffnen des ersten Hohlraums in den ersten Lüftungsbereich auf.

公开(公告)号：DE102008056194B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102008056194

申请日：2008-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRENCHER LOTHAR ,  DICKENSCHEID WOLFGANG ,  HARTENBERGER MICHAEL ,  MEINHOLD DIRK ,  SEIDEMANN GEORG

IPC: H01L21/311

Abstract: Verfahren zum Ätzen einer Schichtanordnung, die eine Zwischenschicht (120) umfasst, die zwischen einer Ätzschicht (110) und einer Stoppschicht (130) angeordnet ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Ätzen der Ätzschicht (110) unter Verwendung eines ersten Ätzmittels, wobei das erste Ätzmittel eine erste Ätzselektivität bezüglich der Ätzschicht (110) und der Zwischenschicht (120) umfasst; und Ätzen der Zwischenschicht (120) unter Verwendung eines zweiten Ätzmittels, wobei das zweite Ätzmittel eine zweite Ätzselektivität bezüglich der Zwischenschicht (120) und der Stoppschicht (130) aufweist, wobei sich das zweite Ätzmittel von dem ersten Ätzmittel unterscheidet, wobei die erste Ätzselektivität ein Verhältnis von zumindest 5:1 umfasst, und bei dem die zweite Ätzselektivität ein Verhältnis von zumindest 5:1 umfasst, wobei die Stoppschicht (130) eine Stoppschichtdicke umfasst und der Schritt des Ätzens der Zwischenschicht (120) durchgeführt wird, so dass die Stoppschicht (130) zu einer Tiefe geöffnet wird, wobei die Tiefe weniger als 50% der Stoppschichtdicke umfasst,...