公开(公告)号：DE102016122141A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet und eine oberste Metallebene mit Metallleitungen, wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Kontaktpads sind an einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnet, wo die Kontaktpads an die Metallleitungen in der obersten Metallebene gekoppelt sind. Ein Trenngebiet trennt die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads. Benachbarte Kontaktpads sind durch einen Abschnitt des Trenngebiets elektrisch voneinander getrennt. Reflektierende Strukturen sind zwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads angeordnet, wobei jede der reflektierenden Strukturen, die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen assoziierten Abschnitt des die Kontaktpads trennenden Trenngebiets vollständig überlappt.

公开(公告)号：DE102015100521A1

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：DE102015100521

申请日：2015-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  HEIGL MARTINA ,  WEIDGANS BERNHARD ,  BORUCKI LUDGER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen stellen einen Halbleiterchip bereit, wobei der Halbleiterchip einen ersten Kontaktbereich und einen zweiten Kontaktbereich, die beide auf einer Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet sind; eine Passivierungsschicht, die auf der Vorderseite zwischen dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich angeordnet ist; und einen Kontaktstapel umfasst, der über der Vorderseite des Halbleiterchips ausgebildet ist und eine Mehrzahl von Schichten umfasst, wobei mindestens eine Schicht der Mehrzahl von Schichten von der Passivierungsschicht und Berandungsregionen der Kontaktbereiche, die der Passivierungsschicht benachbart sind, entfernt wurde; und wobei mindestens eine weitere Schicht der Mehrzahl unterschiedlicher Schichten in der Berandungsregion der Kontaktbereiche vorhanden ist, die an die Passivierungsschicht angrenzt.

公开(公告)号：DE102015107041A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102015107041

申请日：2015-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FAISS SIMON ,  HENNECK STEPHAN ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  NIKITIN IVAN ,  PEDONE DANIEL ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Bearbeiten eines Halbleiterbauelements gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: Abscheiden einer ersten Metallisierungsschicht über einem Halbleiterwerkstück (202); Strukturieren der ersten Metallisierungsschicht (204); und Abscheiden einer zweiten Metallisierungsschicht über der strukturierten ersten Metallisierungsschicht, wobei das Abscheiden der zweiten Metallisierungsschicht einen stromlosen Abscheidungsprozess aufweist, der ein Eintauchen der strukturierten ersten Metallisierungsschicht in einen Metallelektrolyt aufweist (206).

公开(公告)号：DE102013108813B4

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：DE102013108813

申请日：2013-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (200), wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Bilden mehrerer Anschlussflächenstrukturen (215, 265, 320) auf einem Werkstück, wobei jede Anschlussflächenstruktur (215, 265, 320) untere Seitenwände (326) und obere Seitenwände (327) besitzt und die unteren Seitenwände (326) in direktem Kontakt mit der Oberfläche des Werkstücks stehen;Verringern einer unteren Breite jeder Anschlussflächenstruktur (215, 265, 320), so dass eine obere Breite jeder Anschlussflächenstruktur (215, 265, 320) größer ist als die untere Breite derart, dass ein Überhang gebildet wird;Bilden eines Photoresists auf den mehreren Anschlussflächenstrukturen (215, 265, 320);Entfernen von Abschnitten des Photoresists mit Ausnahme des Bereichs unterhalb des Überhangs, um dadurch längs der unteren Seitenwände (326) Seitenwandabstandshalter (217, 267, 332) zu bilden; undAufbringen eines Einkapselungsmaterials (240, 290, 340) auf die Anschlussflächenstrukturen (215, 265, 320) und auf die Seitenwandabstandshalter (217, 267, 332).

公开(公告)号：DE102017113515B4

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：DE102017113515

申请日：2017-06-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROGALLI MICHAEL ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MATOY KURT ,  SCHNEEGANS MANFRED ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  GATTERBAUER JOHANN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Aluminiumoxidschicht ist bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Bereitstellen einer Metalloberfläche, die wenigstens ein Metall aus einer Gruppe von Metallen beinhaltet, wobei die Gruppe Kupfer, Aluminium, Palladium, Nickel, Silber und Legierungen von diesen beinhaltet, und Abscheiden einer Aluminiumoxidschicht auf der Metalloberfläche durch Atomlagenabscheidung, wobei eine maximale Verarbeitungstemperatur während der Abscheidung 280°C beträgt, so dass die Aluminiumoxidschicht mit einer Oberfläche gebildet wird, die einen Flüssiglotkontaktwinkel von weniger als 40° aufweist.

公开(公告)号：DE102017103908A1

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：DE102017103908

申请日：2017-02-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/263

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Anordnen einer Halbleiteranordnung mit einem ersten Träger und einer auf dem ersten Träger angeordneten Halbleiterschicht an einem zweiten Träger, wobei der zweite Träger eine Schutzschicht auf Oberflächenbereichen aufweist, die nicht durch die Halbleiteranordnung bedeckt sind. Das Verfahren umfasst außerdem das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht, wobei das Trennen des ersten Trägers von der Halbleiterschicht einen Belichtungsprozess aufweist, in dem die Halbleiteranordnung und die Schutzschicht belichtet werden, und Entfernen der Schutzschicht nach dem Belichtungsprozess. Die Schutzschicht ist dazu ausgebildet, während des Belichtungsprozesses einen Phasenübergang zu vollziehen.

公开(公告)号：DE102016119676A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102016119676

申请日：2016-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GATTERBAUER JOHANN ,  BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GROSS THOMAS ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/283

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses; Ausbilden einer zweiten Schicht (104) über der ersten Schicht (102) unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses; wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.

公开(公告)号：DE102014107557A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：DE102014107557

申请日：2014-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  FISCHER THOMAS ,  GISSIBL ANJA ,  SCHMIDT TOBIAS ,  STRANZL GUDRUN ,  WEIDGANS BERNHARD ,  WENDT HERMANN

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/301

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Halbleiterwerkstücks wird bereitgestellt, welches möglicherweise Folgendes beinhaltet: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks, das einen Metallisierungsschichtstapel, der an einer Seite des Halbleiterwerkstücks angeordnet ist, beinhaltet, wobei der Metallisierungsschichtstapel mindestens eine erste Schicht und eine zweite Schicht, die über der ersten Schicht angeordnet ist, beinhaltet, wobei die erste Schicht ein erstes Material enthält und die zweite Schicht ein zweites Material, das anders geartet ist als das erste Material, enthält (102); Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels, wobei Strukturieren des Metallisierungsschichtstapels Nassätzen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mittels einer Ätzlösung, die mindestens im Wesentlichen die gleiche Ätzrate für das erste Material und das zweite Material aufweist (104), beinhaltet.

公开(公告)号：DE102013108704A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013108704

申请日：2013-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BUSCH JOERG ,  GATTERBAUER JOHANN ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Es wird ein Verfahren (400) zum Herstellen einer Metallpadstruktur eines Die bereitgestellt, wobei das Verfahren Folgendes beinhaltet: Ausbilden eines Metallpads zwischen Kapselungsmaterial des Die, wobei das Metallpad und das Kapselungsmaterial durch einen Spalt voneinander getrennt sind (410); und Ausbilden von zusätzlichem Material in dem Spalt, um mindestens einen Teil des Spalts zu verengen (420).

公开(公告)号：DE102016122141B4

公开(公告)日：2022-01-20

申请号：DE102016122141

申请日：2016-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BONART DIETRICH ,  DEBIE MARTINA ,  GATTERBAUER JOHANN ,  GROSS THOMAS ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/62

Abstract: Halbleiterbauelement, umfassend:ein in einem Halbleitersubstrat angeordnetes aktives Gebiet;eine oberste Metallebene umfassend Metallleitungen (316, 317), wobei die oberste Metallebene über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist;auf einer Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements angeordnete Kontaktpads (331A, 331B), wobei die Kontaktpads (331A, 331B) an die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene gekoppelt sind,ein die an der Hauptoberfläche angeordneten Kontaktpads (331A, 331B) trennendes Trenngebiet (322), wobei benachbarte Kontaktpads (331A, 331B) durch einen Abschnitt des Trenngebiets (322) elektrisch voneinander getrennt sind, undzwischen der oberen Metallebene und den Kontaktpads (331A, 331B) angeordnete reflektierende Strukturen (325), wobei jede der reflektierenden Strukturen (325), die sich direkt über dem aktiven Gebiet befindet, einen zugehörigen Abschnitt des die Kontaktpads (331A, 331B) trennenden Trenngebiets vollständig überlappt,wobei die reflektierenden Strukturen (325) eine andere Zusammensetzung als die Kontaktpads (331A, 331B) und die Metallleitungen (316, 317) in der obersten Metallebene umfassen.