公开(公告)号：DE102005024430A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：DE102005024430

申请日：2005-05-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: A silicon wafer with a solderable coating on its wafer rear side and a process for producing it is disclosed. The silicon wafer has integrated circuits on its wafer top side. The rear side coating is free of silver constituents in the immediate vicinity of an adapted gold coating on which a gold/tin solder material is arranged, the volume of gold in the adapted gold coating, together with the volume of gold in the solder material in relation to the volume of tin in the solder material corresponding to the eutectic melt system comprising gold and tin in thermodynamic equilibrium.

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019125447A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102019125447

申请日：2019-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFAHL GERT ,  NAPETSCHNIG EVELYN ,  BOLOWSKI DANIEL ,  SCHULZE HOLGER ,  KREUZ MICHAEL ,  WOEHLERT STEFAN ,  BROLL MARIAN SEBASTIAN

IPC: C22C21/00 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (100) weist ein Bondpad (110) auf. Das Bondpad (110) umfasst eine Schicht aus einer Aluminiumlegierung mit einer chemischen Zusammensetzung, die ein Hauptlegierungselement umfasst, das aus Zn, Mg, Cu, Si und Sc ausgewählt ist. Wenn das Hauptlegierungselement Cu ist, umfasst die chemische Zusammensetzung ferner mindestens ein Element, das aus Ti, Mg, Ag und Zr ausgewählt ist.

公开(公告)号：DE102019114094A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019114094

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRIVEC STEFAN ,  KERN RONNY ,  KRAMP STEFAN ,  LANGER GREGOR ,  WINKLER HANNES ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung (106) mit einer ersten Metallschicht (111) und mindestens einer zweiten Metallschicht (121-123) auf einem Siliziumcarbid-Substrat (105) umfasst das Durchführen eines chemischen Reinigungsprozesses (300) zum Entfernen von zumindest einem Teil eines Kohlenstoffrückstands (302) zur Reinigung der ersten Metallschicht (111). Die erste Metallschicht (111) und/oder die zweite Metallschicht (121-123) können durch Sputterabscheidung erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102014114517B4

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102014114517

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GASSER KARL-HEINZ ,  MEYER KARL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WOEHLERT STEFAN ,  YEDURU SRINIVASA REDDY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers (102), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Entfernen von Wafermaterial von einem Innenabschnitt des Wafers (102), um eine Struktur an einem Randbereich des Wafers (102) auszubilden um den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) mindestens teilweise zu umgeben; Drucken von Material (508) in den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) unter Verwendung der Struktur als eine Druckmaske, wobei die Struktur die Dicke einer gedruckten Schicht bestimmt; Entfernen der Struktur nach dem Drucken des Druckmaterials (508) in den Innenabschnitt (206) des Wafers (102); und Vereinzeln des Wafers (102), um einen oder mehrere vereinzelte, mit dem Druckmaterial beschichtete Chips zu erhalten.

公开(公告)号：DE102016115338A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：DE102016115338

申请日：2016-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： YEDURU SRINIVASA REDDY ,  PELZER RAINER ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L23/522

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100a) kann Folgendes enthalten: ein Substrat (102); eine Metallisierungsschicht (104), die in und/oder über dem Substrat (102) angeordnet ist; eine Schutzschicht (106), die wenigstens teilweise über der Metallisierungsschicht (104) angebracht ist, wobei die Metallisierungsschicht (104) wenigstens eines aus dem Folgenden enthält: Kupfer, Aluminium, Gold, Silber; und wobei die Schutzschicht (106) ein Nitridmaterial enthält, das wenigstens eines aus dem Folgenden enthält: Kupfer, Aluminium, Gold, Silber.

公开(公告)号：DE102014114517A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114517

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GASSER KARL-HEINZ ,  MEYER KARL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WOEHLERT STEFAN ,  YEDURU SRINIVASA REDDY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers (102) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes beinhalten: Entfernen von Wafermaterial von einem Innenabschnitt (206) des Wafers (102), um eine Struktur an einem Randbereich des Wafers (102) zu bilden und den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) mindestens teilweise zu umgeben, und Drucken von Material (508) in den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) unter Verwendung der Struktur als eine Druckmaske. Ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers (102) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes beinhalten: Bereitstellen eines Trägers und eines Wafers (102), wobei der Wafer (102) eine erste Seite (102a) und eine zweite, der ersten Seite (102a) gegenüberliegende Seite (102b) aufweist, wobei die erste Seite (102a) des Wafers (102) an dem Träger befestigt ist, die zweite Seite (102b) eine Struktur an einem Randbereich des Wafers (102) aufweist, die Struktur mindestens teilweise einen Innenabschnitt (206) des Wafers (102) umgibt; und Drucken von Material (508) auf mindestens einen Abschnitt der zweiten Seite (102b) des Wafers (102).

公开(公告)号：DE102010039325A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：DE102010039325

申请日：2010-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  LEICHT MARKUS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234