公开(公告)号：CN101896637B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880121177.X

申请日：2008-09-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 格雷格·贝当古 ,  拉金德尔·德辛德萨 ,  乔治·迪尔克斯 ,  兰德尔·A·哈丁 ,  乔恩·科尔 ,  杜安·莱特尔 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  罗杰·帕特里克 ,  约翰·佩格 ,  莎伦·斯宾塞

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01J37/04 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32605 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/032

Abstract: 本发明大体涉及等离子体处理，尤其涉及等离子体处理中使用的等离子体处理室和电极总成。根据本发明的一个实施方式，提供一种包含热控制板、硅基喷淋头电极和紧固硬件的电极总成，其中该硅基喷淋头电极包含在该硅基喷淋头电极的背部中形成的多个部分缺口和位于该部分缺口中的背部插入件。该热控制板包含被配置为允许紧固硬件进入该背部插入件的紧固硬件通道。该紧固硬件和该背部插入件被配置为保持该热控制板和该硅基喷淋头点击的啮合并允许该热控制板和该硅基喷淋头电极的拆卸，在拆卸过程中隔离该硅基喷淋头电极的该硅基电极材料与该紧固硬件，免于摩擦接触。

公开(公告)号：CN102598195A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080041464.7

申请日：2010-09-20

Applicant: FEI公司 ,  美国商务部国家标准和科技研究所

Inventor： J.J.麦克莱兰 ,  B.J.克努夫曼 ,  A.V.斯蒂尔 ,  J.H.奥尔洛夫

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31749

Abstract: 离子束系统使用诸如阻性管的单独加速电极来在保持扩展、亦即分布式离子源处的低电场的同时将离子加速，从而改善分辨率。可以使用磁光陷阱作为离子源。

公开(公告)号：CN102112178A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130373.8

申请日：2009-08-04

Applicant: 剑威医疗株式会社

Inventor： 平泽计介 ,  道善公美 ,  多田由几 ,  冲原大司郎

IPC: A61N1/20 ,  A61N1/14

CPC classification number: A61N1/44 ,  A61N1/40 ,  H01J37/04 ,  H01J37/32348 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2245/122

Abstract: 提供一种电子照射装置，其能够对平面的被照射部位均匀进行一定方向的电子照射。将干电池6V的直流电源(1)连接到直流型高电压装置(2)，通过直流型高电压装置(2)将6V电源升压至负5500V。将直流型高电压装置(2)的负极输出端子(3)连线到阴极(5)，将直流高电压源(2)的正极输出端子(6)连线到阳极(7)。在阴极(5)的与阳极(7)相对的面上紧贴具有适度的比介电率和一定范围的体积电阻率的电介质薄膜(4)。该电介质薄膜(4)通过聚氨酯橡胶制的膜构成。通过将阴极(5)与电介质薄膜(4)紧贴，构成了本发明的直流型电介质势垒放电电极(9)。在带状的安装器具(15)的上表面配置驱动电源(1)和直流型高电压装置(2)，在下表面配置放电电极(9)和阳极(7)。在把安装器具(15)缠绕在被治疗者的患处的情况下，两电极(9、7)夹着患处相对。

公开(公告)号：CN101553897A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780035716.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 波·凡德尔贝格 ,  派崔克·史皮林特尔

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/1471 ,  H01J37/04 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0475 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/31703

Abstract: 一种离子注入系统(410)的平行化部件(439)包括两个成角度的双极磁铁(439a、439b)，其彼此成镜像且用于弯曲横越其中的离子束(424)，以具有大致“s”形状。这种s弯曲用于从束中滤除杂质，同时所述双极平行化所述束以帮助在晶片(430)上有均匀的注入性能，例如注入角度。另外，在注入系统的末端处还包含减速级(457)，使得束的能量可在整个束线中均保持非常高，以减轻束扩散。

公开(公告)号：CN100470750C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610065365.8

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山崎裕一郎

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/24 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/1514 ,  H01J2237/2809

Abstract: 一种基板检查方法，其中包括以下步骤：生成带电粒子射束；使所生成的上述带电粒子射束照射检查对象；会聚由从上述基板产生的二次带电粒子、反射带电粒子以及后方散射带电粒子中的至少一种构成的第1二次带电粒子射束，或透过了上述检查对象的第1透射带电粒子射束，并且，在上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束中，对应上述检查对象的结构而产生相位差；使上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束成像；检测成像的上述二次带电粒子射束或上述透射带电粒子射束，输出包含上述相位差的的信息的二次带电粒子射束像或透射带电粒子射束像的信号；使用上述二次带电粒子射束像或上述透射带电粒子射束像中所包含的上述相位差信息，检测上述检查对象的缺陷。

公开(公告)号：CN108666191A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710211428.4

申请日：2017-03-31

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张佩佩

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/12 ,  H01J37/141 ,  H01J37/147 ,  H01J37/26 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01J37/12 ,  G01R31/2851 ,  H01J37/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/141 ,  H01J37/147 ,  H01J37/26

Abstract: 本发明涉及一种非接触式电子探针探测显微镜成像集成系统，所述显微镜成像集成系统包括电子源系统，刻蚀用离子源系统，高压电源系统，电子光学系统，离子束偏转系统，电子束偏转系统，静电透镜系统，磁透镜驱动系统，真空系统，样品台系统，探测器系统，数据采集系统和图像重建系统，所述电子源系统包含灯丝室、灯丝座、发叉式钨灯丝和三极式静电透镜，所述灯丝座设置有可调节装置。所述显微镜成像集成系统在芯片工作过程中对某个区域进行实时显微测量，从而对芯片的某个具体工作模块实现实时监控并分析其微系统功能，为微电子芯片设计人员提供了一种有效的设计纠错分析手段。

公开(公告)号：CN107709922A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201780001709.5

申请日：2017-03-31

Applicant: 甘万达 ,  甘芳齐

Inventor： 甘万达 ,  甘芳齐

IPC: G01B11/00

CPC classification number: A61B6/4258 ,  A61B5/0059 ,  A61B6/4035 ,  G01B15/00 ,  G01B2290/55 ,  G01N23/20 ,  G04F5/14 ,  H01J37/04 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/06383 ,  H01J2237/24557 ,  H01J2237/24571 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/24585 ,  H01J2237/2614

Abstract: 一种非接触角测量设备包括物质波和能量(MWE)粒子源和检测器。MWE粒子源用于生成玻色子或费米子粒子。检测器用于检测由1)与第一平面的缝、凸块或孔对应的玻色子或费米子粒子和2)与被第二平面反射的玻色子或费米子粒子相关联的物质波的波前分割生成的干涉图案的多个峰或谷，其中，所述干涉图案的所述多个峰或谷的角位置、所述第一平面与所述第二平面的接合区域之间的第一距离、以及所述检测器和所述缝之间的第二距离用于决定所述第一平面和所述第二平面之间的角度。

公开(公告)号：CN107665800A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610607371.5

申请日：2016-07-28

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 周旭升 ,  祝飞翼 ,  刘小波

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32 ,  H01J37/04

Abstract: 本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压检测电路耦合到所述下电极以获偏置电压测得值，一个工艺参数控制器，其特征在于，还包括一个控制信号转换器，所述控制信号转换器包括第一输入端连接到所述偏置电压检测电路，一个第二输入端连接到所述工艺参数控制器，一个输出端连接到所述射频电源，所述控制信号转换器将所述工艺参数控制器输出的偏置电压设定值转换为输出功率数值输出到所述射频电源。

公开(公告)号：CN104658843B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410675978.8

申请日：2014-11-21

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 稻田耕二 ,  加藤浩二

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/21 ,  H01J37/09

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/04 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置、射束电流调整装置及射束电流调整方法，其课题在于例如在高能量离子注入装置中调整注入射束电流。本发明的用于离子注入装置的射束电流调整装置(300)具备配置于离子束的会聚点(P)或其附近的可变孔隙(302)。可变孔隙(302)构成为，调整会聚点(P)的与离子束的会聚方向垂直的方向的射束宽度，以控制注入射束电流。可变孔隙(302)可以配置于紧接质量分析狭缝(22b)的后方。射束电流调整装置(300)也可以设置于具有高能量多段直线加速单元(14)的高能量离子注入装置(100)。

公开(公告)号：CN105531793B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201480047309.4

申请日：2014-05-16

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 松本弘昭 ,  佐藤岳志 ,  谷口佳史 ,  原田研

IPC: H01J37/295 ,  G01N23/04 ,  H01J37/09 ,  H01J37/147 ,  H01J37/153 ,  H01J37/24 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/10 ,  G01N23/20058 ,  G01N2223/418 ,  H01J37/04 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/147 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/153 ,  H01J37/24 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/261 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J37/295 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/2614

Abstract: 本发明提供一种电子显微镜，其特征在于，在通过关闭透射电子显微镜的物镜(5)，使电子束的交叉(11、13)与限制视场光阑(65)一致，并使第一成像透镜(61)的焦距变化，来进行试样的像观察模式与试样的衍射图案观察模式的切换的无透镜傅科法中，在第一成像透镜(61)的后段配置偏转器(81)，在确定成像光学系统的条件后能够固定照射光学系统(4)的条件。由此，在不安装磁屏蔽透镜的通常的通用型透射电子显微镜中，也能够对操作者没有负担地实施无透镜傅科法。