公开(公告)号：KR1020100060108A

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020080118554

申请日：2008-11-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  강동민 ,  지홍구 ,  안호균 ,  문재경 ,  임종원 ,  장우진 ,  김동영 ,  이상흥 ,  유현규 ,  남은수

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/772

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a pseudomorphic high electron mobility transistor device is provided to satisfy wideband characteristics and unconditionally stable conditions by including a negative feedback circuit. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a pseudomorphic high electron mobility transistor device, an epitaxial substrate is provided(101). A source and a drain are formed on a substrate. The epitaxial substrate is processed by a gate recess etching including a dry and wet method to form a recess region. The gate(180) is formed in the recess region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造伪像高电子迁移率晶体管器件的方法，通过包括负反馈电路来满足宽带特性和无条件稳定条件。 构成：在制造假晶高电子迁移率晶体管器件的方法中，提供外延衬底（101）。 源极和漏极形成在衬底上。 通过包括干法和湿法的栅极凹槽蚀刻来处理外延衬底以形成凹陷区域。 门（180）形成在凹陷区域中。

公开(公告)号：KR1020100060107A

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020080118553

申请日：2008-11-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  문재경 ,  지홍구 ,  안호균 ,  임종원 ,  강동민 ,  김동영 ,  이상흥 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/301 ,  H03F1/56 ,  H03F2200/451

Abstract: PURPOSE: A super high frequency amplifier and a bias circuit for the same are provided to optimize performance by adjusting a source voltage, regardless of a change in the properties of a depletion-type FET(Field Effect Transistor) due to the process change. CONSTITUTION: An amplifier circuit amplifies a high frequency signal through a depletion-type FET(30). An input matching circuit(20) matches the inputted high frequency signal in the depletion-type FET. An output matching circuit(40) matches the amplified signal, and thereby outputs the matched signal. A bias circuit(80) gives a negative value to a voltage between a gate and a source of the depletion-type FET by applying a positive voltage to the source of the depletion-type FET. The bias circuit tunes the voltage between the gate and the source by changing the positive voltage applied to the source.

Abstract translation: 目的：提供超高频放大器和偏置电路，以通过调节源极电压来优化性能，而不管由于过程变化而导致的耗尽型FET（场效应晶体管）的特性变化。 构成：放大器电路通过耗尽型FET（30）放大高频信号。 输入匹配电路（20）匹配耗尽型FET中输入的高频信号。 输出匹配电路（40）匹配放大的信号，从而输出匹配信号。 偏置电路（80）通过向耗尽型FET的源极施加正电压来给出耗尽型FET的栅极和源极之间的电压的负值。 偏置电路通过改变施加到源极的正电压来调节栅极和源极之间的电压。

公开(公告)号：KR100948596B1

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：KR1020070127879

申请日：2007-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  오명숙 ,  김호영 ,  정영준 ,  유현규

IPC: H01L27/14 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14681 ,  H04N5/369

Abstract: 본 발명은 레이저 레이다 영상 신호용 출력제어 회로 집적 광 검출기 어레이 집적 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 입사광 에너지를 전기 에너지로 변환하기 위한 포토 다이오드와 상기 포토 다이오드의 전기 에너지를 전기 신호로 선택 변환하는 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 각각 구비하는 다수개의 광 검출 픽셀; 상기 다수개의 광 검출 픽셀로부터 전송되는 전기 신호의 출력 여부를 제어하는 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 구비하는 출력 제어 회로; 및 상기 포토 다이오드의 n 전극과 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에미터 전극간, 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 전극과 상기 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에미터 전극간을 전기적으로 연결하는 금속 배선을 포함하며, 상기 포토 다이오드, 상기 제1 이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 상기 제2 이종접합 바이폴라 트랜지스터는 반절연 InP 기판 웨이퍼 상에서 단일 칩 집적형으로 구현되며, 이에 의하여 제조 공정을 간편화하고 제작 성공 수율을 획기적으로 증대시킬 수 있을 뿐 만 아니라 초고집적화도 가능하도록 한다.
광 검출, 레이저 레이다 영상 신호, 이종접합 바이폴라 트랜지스터

公开(公告)号：KR100687758B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050120171

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용원 ,  남은수 ,  김호영 ,  이상석 ,  전동석 ,  이홍열 ,  홍선의 ,  김동영 ,  임종원 ,  오명숙

IPC: H01L29/737

Abstract: A hetero junction bipolar transistor and a method for manufacturing the same are provided to decrease a parasitical capacitance between an emitter and a base by securing insulation between an emitter layer and a base electrode. A sub-collector layer(102) is formed on a semi-insulation compound substrate. A pair of collector electrodes(140) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the sub-collector layer. A collector layer(106) and a base layer(108) are disposed between the collector electrodes. A pair of base electrodes(130) are spaced apart from each other at a predetermined interval on the base layer. A multi-layered emitter layer(110) is disposed between the base electrodes. An emitter electrode(125a) is formed on the emitter layer.

Abstract translation: 提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，以通过确保发射极层与基极之间的绝缘来减小发射极与基极之间的寄生电容。 子集电极层（102）形成在半绝缘化合物基板上。 一对集电极（140）在副集电极层上以预定间隔彼此间隔开。 集电极层（106）和基极层（108）设置在集电极之间。 一对基底电极（130）在基底层上以预定间隔彼此间隔开。 多层发射极层（110）设置在基极之间。 发射极电极（125a）形成在发射极层上。

公开(公告)号：KR100576224B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040095949

申请日：2004-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남은수 ,  김용원 ,  홍선의 ,  오명숙 ,  김보우

IPC: H01S5/34 ,  G02B26/00

Abstract: 본 발명은 광변조기 집적 광전집적 송신회로 및 선택적 결정성장법을 이용한 그것의 제작방법에 관한 것이다. 광변조기 집적 광전집적 송신회로는 수신된 전기 신호를 증폭하여 광변조기를 구동하는 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터 기반의 광변조기 구동회로 및 전계흡수형 광흡수층을 갖는 전계흡수형 광변조기가 반절연 기판 위에 단일 칩 집적화되어 이루어지며, 이 때 광변조기의 다중 양자우물 구조의 광흡수층 및 이중 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 다중 양자우물 구조의 삽입층의 두께는 선택적 결정성장법에 의해 다르게 형성된다.
광통신, 광전집전회로, 도파로형 광변조기, 선택적 결정성장

Abstract translation: 光调制器集成光电集成传输电路及其制造方法技术领域本发明涉及一种光调制器一体型光电集成传输电路及其制造方法。 的光调制器集成光电集成传输电路包括所接收的电信号的单个放大到具有光调制器驱动电路的双异质结双极型晶体管基极和电场吸收型光用于驱动光调制器的半绝缘衬底上的吸收层的电场吸收型光调制器 通过选择性晶体生长方法不同地形成光学调制器的多量子阱结构的光吸收层的厚度和双异质结双极晶体管的多量子阱结构的层间的厚度。

公开(公告)号：KR100568067B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020030073166

申请日：2003-10-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  민병규 ,  이경호 ,  김성일 ,  이종민 ,  강영일 ,  남은수 ,  조경익

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.
화합물반도체소자, HBT, 금속배선, 시드금속, 전기도금, 리프트오프, 습식식각, 불산용액, Au

公开(公告)号：KR100527110B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030089376

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  남은수 ,  김호영

IPC: H01S3/098

Abstract: 본 발명은 무선 통신에서 요구되는 고주파 신호발생을 위한 밀리미터파 발진기에 대한 것으로, 고주파수를 가지는 밀리미터파 대역의 신호를 발생시키기 위해 일정위상 관계를 갖는 두 파장이 생성되도록 간섭계와 광 검출기를 이용하여 밀리미터파 발진기를 제공한다. 이로써, 위상 잠금을 위한 신호 처리 없이 보다 쉽게 밀리미터파 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050057716A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020030089376

申请日：2003-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  남은수 ,  김호영

IPC: H01S3/098

Abstract: 본 발명은 무선 통신에서 요구되는 고주파 신호발생을 위한 밀리미터파 발진기에 대한 것으로, 고주파수를 가지는 밀리미터파 대역의 신호를 발생시키기 위해 일정위상 관계를 갖는 두 파장이 생성되도록 간섭계와 광 검출기를 이용하여 밀리미터파 발진기를 제공한다. 이로써, 위상 잠금을 위한 신호 처리 없이 보다 쉽게 밀리미터파 광원을 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050052651A

公开(公告)日：2005-06-03

申请号：KR1020030085822

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  민병규 ,  김성일 ,  이종민 ,  주철원 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 절연막 리프트-오프(lift-off)를 활용한 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT) 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 HBT MMIC의 제작에서 필수적인 비아(via)를 형성하기 위하여 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 양질의 절연막을 저온에서 증착한다. 그런 다음, 포토레지스트 패턴과 절연막을 동시에 리프트-오프하여 비아를 개방한다. 이렇게 함으로써, 고온의 절연막 증착 공정과 절연막 식각 공정으로 비아를 형성하던 종래에 비하여 전류이득 감소를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100491089B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020020077325

申请日：2002-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김홍승 ,  임종원 ,  김혜진 ,  남은수

IPC: H01L29/737

Abstract: 기판; 기판 위에 형성되어 있는 컬렉터 층; 컬렉터 층 위에 형성되어 있는 베이스 층; 베이스 층 위에 패턴화 되어 형성되어 있는 이미터 층 패턴; 이미터 층 패턴 위에 형성되어 있는 이미터 금속 패턴; 베이스 층 위에 형성되어 있고, 이미터 금속 패턴과 소정 간격 이격되어 있는 베이스 금속 패턴; 이미터 금속 패턴과 상기 베이스 금속 패턴의 사이에 형성되어 있는 절연 측벽을 포함하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.