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公开(公告)号：KR1019950034496A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019950009309
申请日：1995-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 도모야스마사유키 , 고시시아키라 , 니시가와히로시 , 다케나카히로토 , 사카모토요시오 , 다하라가즈히로 , 고미노미쯔아키 , 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스코 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 히로세게이죠
IPC: H01L21/306
Abstract: 플리즈마 처리방법은, 프로세스 챔버내를 감압이 되도록 배기하고, 웨이퍼를 서셉터 위에 얹어놓고, 샤워전극 쪽으로부터 웨이퍼를 향하여 처리가스를 공급하며, 처리가스 고유의 아래끝단 이온 천이주파수보다도 낮은 제1주파수 f
1 의 고주파전력을 서셉터에 인가하고, 처리가스 고유의 윗끝단 이온 천이주파수보다도 높은 제2주 파수 f
2 의 고주파전력을 샤워전극에 인가하다.-
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公开(公告)号：KR100839677B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020057014249
申请日：2004-02-03
Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541
Abstract: 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수납하는 감압 가능한 처리 용기(10)를 포함한다. 처리 용기 내에 제 1 전극(12)이 배치된다. 처리 용기 내에는 처리 가스를 공급하기 위해, 공급계(62)가 배치된다. 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해, 처리 용기 내에 고주파 전계를 형성하는 전계 형성계(32)가 배치된다. 제 1 전극(12)의 주면에, 플라즈마가 생성되는 공간측을 향하여 돌출하는 다수의 볼록부(70)가 이산적으로 형성된다.
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公开(公告)号：KR100810772B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020057000553
申请日：2003-07-07
Applicant: 가부시끼가이샤 오크테크 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/50 , H01J37/3174 , H01J2237/31788 , H01J2237/31794
Abstract: 본 발명은, 각각에 소정 패턴의 개구가 형성된 복수의 셀을 갖는 마스크부를 구비한 노광용 전사 마스크이다. 상기 복수의 셀의 각각은, 당해 셀에 형성된 개구의 패턴에 따라, 하전입자빔이 당해 셀의 한쪽에서 조사되었을 때 당해 하전입자빔을 당해 셀의 다른 쪽에 투과시키도록 되어 있다. 이에 따라, 당해 셀의 다른 쪽에 피처리 기판이 배치되었을 때에 당해 피처리 기판에 상기 셀의 개구의 패턴이 전사되어, 당해 피처리 기판 상에 노광 패턴이 형성되도록 되어 있다. 그리고, 상기 마스크부에서 상기 복수의 셀의 일부 또는 전부가 교환 가능한 것이, 본 발명의 특징이다.
Abstract translation: 本发明是用于曝光的转印掩模，其包括具有多个单元的掩模部分，每个单元都形成有预定图案的开口。当多个单元的一侧暴露于带电粒子束时， 多个单元适于基于形成在单元中的开口的图案使带电粒子束自身通过其自身的另一侧。 因此，当待处理基板布置在单元的另一侧时，形成在单元中的开口的图案被转移到待处理的基板，因此在待处理的基板上形成曝光图案。 本发明的特征在于，可以在掩模部分更换多个单元的一部分或全部。
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公开(公告)号：KR100590370B1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：KR1020017004885
申请日：1999-10-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102)내에 배치된 하부 전극(106)상에 웨이퍼(W)를 탑재함과 동시에, 처리실(102)내에 C
4 F
8 를 포함하는 가스를 도입한다. 제어기(112)에 의해 플라즈마 생성용 전원(120)으로부터 27MHz의 전력을 상부 전극(114)에 인가함과 동시에, 바이어스용 전원(108)으로부터 800kHz의 전력을 하부 전극(106)에 간헐적으로 인가한다. 바이어스용 전력이 온일 때는 웨이퍼(W)의 SiO
2 로 이루어지는 절연막(202)이 에칭되고, 오프일 때는 포토레지스트막(206)에 폴리머(보호막)(208)가 형성된다. 이러한 구성에 의해, 포토레지스트막에 대한 절연막의 선택비를 향상시켜, 소정 형상의 콘택트 홀을 형성하는 것이 가능하다.Abstract translation: 晶片W安装在设置在蚀刻装置100的处理室102内的下部电极106上，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100549901B1
公开(公告)日：2006-02-06
申请号：KR1020007001735
申请日：1998-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/3065
Abstract: 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는, 웨이퍼(W)를 탑재할 수 있는 하부 전극(106)과 상부 전극(108)이 대향 배치된다. 상부 전극(108)에는 제 1 정합기(114)를 거쳐서 고주파의 플라즈마 생성용 고주파 전력을 출력할 수 있는 제 1 고주파 전원(116)이 접속된다. 하부 전극(106)에는 제 2 정합기(120)를 거쳐서, 플라즈마 생성용 고주파 전력보다도 상대적으로 낮은 주파수의 바이어스용 고주파 전력을 출력할 수 있는 제 2 고주파 전원(122)이 접속된다. 상부 전극(108)에 대하여 제 1 고주파 전원(116)으로부터 정상 전력의 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하는 동시에, 하부 전극(106)에 대하여 적어도 바이어스용 고주파 전력이 정합 가능해지는 전력을 인가한다. 정합 기간 종료 후, 하부 전극(106)에 인가되는 바이어스용 고주파 전력을 정상 전력까지 인상한다. 이러한 구성에 의해, 바이어스용 고주파 전원의 인가시 플라즈마 밀도의 저하를 막아, 전극으로의 과대한 전압의 발생을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040066142A
公开(公告)日：2004-07-23
申请号：KR1020047008215
申请日：2002-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
Abstract: 열전달 가스의 방전을 막고 또한 피 처리체의 온도 제어를 높은 정밀도로 실행하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 기밀한 처리 용기(102)내에 대향하여 설치된 1쌍의 전극 중 하부 전극(110)에 고주파 전력을 인가하고, 전극 사이에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하여, 피 처리체 표면에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 에칭 장치(100)에 있어서, 피 처리체를 흡착 유지하는 정전척(112)과 피 처리체와의 사이의 미소 공간(S)에 피 처리체를 소정의 온도로 제어하기 위한 열전달 가스를 공급하는 열전달 가스 공급부(120)를 전극에 공급되는 고주파 전력에 의해서 생기는 전계 방향에 대하여 경사시킨 열전달 가스 공급관(162) 및 열전달 가스 공급관용 코마부(164)로 구성한다.
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公开(公告)号：KR1020030045069A
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020037003805
申请日：2001-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L21/3081
Abstract: 본 발명은 진공 유지 가능한 처리 챔버 내부의 처리 공간에 접하여 실리콘 영역을 갖는 피처리체(W)를 설치하는 단계, 상기 처리 공간에 에칭 가스를 도입하여 가스 압력 13 내지 1333Pa(100mTorr 내지 10Torr)의 가스 분위기를 생성하는 단계, 및 고주파 전력을 인가함으로써 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함한다. 이러한 플라즈마 속에서 이온 등의 하전 입자의 개수와 라디칼 개수의 합이 커지고, 실리콘 영역의 에칭이 종래에 비해 고속화되는 실리콘 고속 에칭방법이다.
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公开(公告)号：KR100349064B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1019940040232
申请日：1994-12-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마후쿠고스케 , 엔도쇼스케 , 다하라가즈히로 , 쓰치야히로시 , 도모야스마사유키 , 나이토유키오 , 나가세키가즈야 , 노나카료 , 히로세게이조 , 후카사와요시오 , 고시이시아키라 , 고바야시이사오
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。
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公开(公告)号：KR100302167B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019940028969
申请日：1994-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/263
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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