公开(公告)号：KR1020120112184A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120032401

申请日：2012-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/02 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3341

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to efficiently control plasma density distribution of plasma under low pressure or the plasma having a large diameter in a diametric direction using any profiles. CONSTITUTION: An inductively coupled type plasma processing apparatus divides an RF antenna installed on a dielectric window(52) into an inner coil(58), an intermediate coil(60), and an external coil(62) in a diametric direction. An intermediate condenser(86) and an external condenser(88) are electrically connected to the intermediate coil and the outer coil between a first node and a second node, respectively. A reactance device is not connected to an internal coil.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以使用任何轮廓来有效地控制低压等离子体的等离子体密度分布或直径大的等离子体。 构成：电感耦合型等离子体处理装置将安装在介电窗口（52）上的RF天线分成内径（58），中间线圈（60）和外径线圈（62）。 中间冷凝器（86）和外部冷凝器（88）分别在第一节点和第二节点之间电连接到中间线圈和外部线圈。 电抗装置没有连接到内部线圈。

公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101032566B1

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020080112882

申请日：2008-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  오쿠니시나오히코

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32724

Abstract: 본 발명은 원하지 않는 고주파의 노이즈를 감쇠시키기 위한 필터회로내의 RF 전력손실량 및 그 기기 차(장치간의 편차)를 가능한 적게 하고, 프로세스 성능의 재현성·신뢰성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 이 플라즈마 에칭 장치에서는 제 1 및 제 2 급전 라인상에 마련되는 2계통의 제 1 단 공심코일 단체 A(1), A(2)끼리가 보빈(114A)에 동심 형상으로 장착되어 있다. 즉, 양 공심코일 단체 A(1), A(2)를 각각 구성하는 코일도선이 공통의 보빈(114A)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다. 마찬가지로, 제 2 단 공심코일 단체 B(1), B(2)끼리도 각각의 코일도선이 공통의 보빈(114B)의 외주면을 따라 보빈 축방향으로 중첩되어 병진하면서 동일한 권선길이로 나선형상으로 감겨져 있다.

公开(公告)号：KR1020110046352A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105149

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  덴포가즈키 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity of the plasma density by preventing the existence of a specific point. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus comprises: a processing chamber(10); a substrate supporting unit(14), provided in the processing chamber, for mounting a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; an RF antenna, provided outside the dielectric window, for generating a plasma from the processing gas by an inductive coupling in the processing chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过防止特定点的存在来提高等离子体密度的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括：处理室（10）; 设置在处理室中的用于安装目标基板的基板支撑单元（14）; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。

公开(公告)号：KR1020110046351A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020100105143

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  사이토마사시 ,  덴포가즈키 ,  고시미즈치시오 ,  야마와쿠준

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H05H1/46 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H05H2001/4667

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to simplify the RF antenna structure by reducing the load in an RF part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes: an evacuable processing chamber including a dielectric window; a substrate supporting unit, provided in the processing chamber, for mounting thereon a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a desired processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; a first RF antenna, provided on the dielectric window, for generating a plasma by an inductive coupling in the processing chamber; and a first RF power supply unit for supplying an RF power to the first RF antenna.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过减少RF部件中的负载来简化RF天线结构。 构成：等离子体处理装置包括：包括电介质窗的可抽空处理室; 基板支撑单元，设置在处理室中，用于在其上安装目标基板; 处理气体供给单元，用于向所述处理室供给期望的处理气体，以在所述目标基板上进行等离子体处理; 设置在电介质窗口上的第一RF天线，用于通过处理室中的感应耦合产生等离子体; 以及用于向第一RF天线提供RF功率的第一RF电源单元。

公开(公告)号：KR100819313B1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070026777

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0291 ,  G01J3/42 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67253

Abstract: 퇴적물을 직접 분석하는 데 사용되는 퇴적물 모니터 장치의 구성 요소 설치의 자유도를 향상시킬 수 있다. 기판이 처리되는 처리실 내의 퇴적물을 모니터하는 기판 처리 장치의 퇴적물 모니터 장치는 상기 처리실 내에 적어도 일부가 노출되도록 배치된 광파이버를 포함한다. 입사광은 이 광파이버의 한쪽 단부에 접속되어 상기 광파이버로 방출되며, 광파이버를 통과한 광은 광파이버의 다른 쪽 단부에 접속된 수광 디바이스에 의해 수광된다.

Abstract translation: 安装用于直接分析沉积物的沉积物监测装置的部件的自由度可以得到改善。 在其中衬底是处理腔室监测的沉积物的基板处理装置的沉淀物监测装置包括所述光纤布置成使得暴露所述处理腔室内的至少一部分上。 入射光被连接到所述光纤的一端被发射到光纤中，通过光纤已经通过的光被连接到所述光纤的另一端上的光接收器件接收。

公开(公告)号：KR1020070095227A

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020070026777

申请日：2007-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0291 ,  G01J3/42 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67253

Abstract: A substrate processing apparatus, a deposit monitoring apparatus, and a deposit monitoring method are provided to monitor a deposit by using an exposed part of an optical fiber arranged within a processing chamber. A substrate processing apparatus includes a deposit monitoring unit(50). The deposition monitoring unit monitors a deposit within a processing chamber for performing a predetermined treatment process on a processing target substrate. The deposit monitoring unit includes an optical fiber(60) disposed within the processing chamber in order to expose at least a part, a light emitting unit connected to one end of the optical fiber and emitting incident light to the optical fiber, and a light receiving unit connected to another end of the optical fiber and receiving the light penetrating the optical fiber.

Abstract translation: 提供了基板处理装置，沉积物监测装置和沉积物监测方法，以通过使用布置在处理室内的光纤的暴露部分来监测沉积物。 衬底处理装置包括沉积监测单元（50）。 沉积监测单元监测处理室内的沉积物，以对处理目标基板执行预定的处理过程。 沉积监测单元包括设置在处理室内的光纤（60），用于暴露至少一部分，连接到光纤的一端并将入射光发射到光纤的发光单元，以及光接收 单元连接到光纤的另一端并接收穿透光纤的光。

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR100586386B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.

公开(公告)号：KR101870917B1

公开(公告)日：2018-06-25

申请号：KR1020110097440

申请日：2011-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: RF 안테나내의파장효과를만전에억제하고, 또한주회방향으로도직경방향으로도균일한플라즈마프로세스를용이하게실현시킨다. 이유도결합형플라즈마처리장치에서는, 유도결합플라즈마를생성하기위하여유전체창(52) 상에설치되는 RF 안테나(54)가직경방향으로내측코일, 중간코일및 외측코일(62)로분할되어있다. 내측코일(58)은단일또는직렬접속의내측코일세그먼트(59)를가진다. 중간코일(60)은주회방향으로분할되어있고, 전기적으로병렬로접속되어있는 2 개의중간코일세그먼트(61(1), 61(2))를가진다. 외측코일(62)은주회방향으로분할되어있고, 전기적으로병렬로접속되어있는 3 개의외측코일세그먼트(63(1), 63(2), 63(3))를가진다.