-
公开(公告)号：KR1020120009512A
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020117031569
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
-
公开(公告)号：KR101067222B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020080134494
申请日：2008-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 20 이상의 고 애스펙트비를 갖는 관통 구멍이나 구멍 형상을 형성할 수 있는 동시에, 보잉 형상을 억제할 수 있고, 양호한 에칭 형상을 얻을 수 있는 플라즈마 에칭 방법 등을 제공한다. 적어도 C
4 F
6 가스와 C
6 F
6 가스를 포함하고, C
4 F
6 가스의 C
6 F
6 가스에 관한 유량비(C
4 F
6 가스 유량/C
6 F
6 가스 유량)가 2∼11인 처리 가스를 플라즈마화하고, 아몰퍼스 카본층(105)을 마스크로 해서 산화 실리콘층(104)을 플라즈마 에칭하고, 개구 폭에 대한 깊이의 비가 20 이상의 구멍 형상(111)을 형성한다.-
公开(公告)号：KR1020100087266A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：KR1020100006725
申请日：2010-01-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: PURPOSE: A plasma etching method, a plasma etching device, and a storage medium are provided to form a hole with a high aspect ratio by etching a layer with a high etching rate. CONSTITUTION: A hole is formed on an object layer with a plasma etching. In a first condition, plasma is generated in a process container by turning on a high frequency power applying unit for generating plasma and a negative DC voltage is applied to a top electrode(34) from a DC source(50). In a second condition, the plasma is eliminated in the process container by turning off the high frequency power applying unit for generating plasma and a negative DC voltage is applied to the top electrode from the DC source. A positive charge is neutralized in the hole by supplying a negative ion by a current voltage.
Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻方法，等离子体蚀刻装置和存储介质，通过以高蚀刻速率蚀刻层来形成具有高纵横比的孔。 构成：通过等离子体蚀刻在物体层上形成孔。 在第一条件下，通过接通用于产生等离子体的高频功率施加单元，在处理容器中产生等离子体，并且从直流源（50）将负的直流电压施加到顶部电极（34）。 在第二条件下，通过关闭用于产生等离子体的高频功率施加单元，在处理容器中消除等离子体，并且从DC源向顶部电极施加负的DC电压。 通过以负载电流供给电流，在空穴中中和正电荷。
-
公开(公告)号：KR1020070020329A
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020077001691
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
-
公开(公告)号：KR102033979B1
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：KR1020150179025
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170140078A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020170066822
申请日：2017-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 마스크선택비를확보하면서, 실리콘함유막의에칭에있어서마스크의개구의폐색을회피하는것을목적으로한다. 기판의온도가 -35℃이하의극저온환경에있어서, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파의전력을출력하고, 제 2 고주파전원으로부터상기제 1 고주파보다낮은제 2 고주파의전력을출력하고, 탄소, 수소및 불소를함유하는가스로이루어지는에칭가스에탄소원자수가 3 이상이되는하이드로카본가스를첨가하여플라즈마를생성하고, 실리콘산화막또는조성이상이한실리콘함유막을적층한적층막을에칭하는에칭처리방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明的目的是在确保掩模选择比的同时避免在含硅膜的蚀刻中掩模的开口堵塞。 在极低温的环境中的基板的低于-35℃的温度，所述第一高频电源的第一输出从高频电力，并输出第二低的第二高频电力比来自高频电源的第一无线电频率，和碳， 称为生成等离子体以由含有氢和氟添加烃气体的蚀刻气体的气体中的碳原子的蚀刻方法是三异常，并提供了一种通过层叠含硅膜的氧化硅膜或组合物异常薄膜层压材料。
-
公开(公告)号：KR1020160078879A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020150179025
申请日：2015-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H05H1/46 , H01L21/683 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32724 , H01L21/02164 , H01L21/31144 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 뎁스로딩을억제하여, 실리콘산화막의에칭레이트를높이는것을목적으로한다. 배치대를냉각하는칠러의온도를 -20℃이하로제어하고, 제 1 고주파전원으로부터인가하는제 1 고주파전력에의해, 가스공급원이공급하는수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 생성한상기플라즈마에의해상기배치대상의기판의실리콘산화막을에칭처리하고, 상기에칭처리후의제전처리에있어서, 제 2 고주파전원으로부터제 1 고주파전력의주파수보다낮은주파수의제 2 고주파전력을상기배치대에인가하는에칭처리방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明的目的是通过抑制深度加载来提高氧化硅膜的蚀刻速率。 提供了一种蚀刻方法，其包括：将用于冷却基座的冷却器的温度控制为低于或等于-20℃; 通过由第一高频电源施加的第一高频功率从由气体源供应的含氢气体和含氟化物气体产生等离子体; 通过产生的等离子体蚀刻基座上的衬底的氧化硅膜; 以及在蚀刻后进行静电消除处理时，向所述基座施加具有来自第二高频电源的频率低于第一高频功率的频率的第二高频电力。
-
公开(公告)号：KR1020150066447A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020140164918
申请日：2014-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , G01B11/14
CPC classification number: H02N13/00 , G01B11/14 , H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 피처리체의이면과정전척의저면의사이의거리를구하는방법, 및, 해당거리에근거하여정전척을제전하는방법이제공된다. 정전척은, 표면을갖고있고, 해당표면은저면과해당저면으로부터위쪽으로돌출하는복수의볼록부를갖고, 피처리체는이면이볼록부의정부에접하도록탑재된다. 광원으로부터출사되는광의반사광에근거하여분광기로부터출력되는제 1 파장스펙트럼을처리하는것에의해, 피처리체의이면과정전척의저면의사이의거리가구해진다. 이거리에근거하여, 정전척에전압이인가되고, 정전척이제전된다.
Abstract translation: 提供了一种用于获得静电卡盘的基部与目标物体的背面之间的距离的方法以及基于获得的距离来中和静电卡盘的方法。 静电卡盘具有包括基部的上表面和从基部向上突出的多个凸部。 目标物体安装在静电卡盘的凸部的顶点上，使得后表面与顶点接触。 通过基于从光源发射的光的反射光处理从分光器输出的第一波长光谱，计算目标物体的背面与静电卡盘的基部之间的距离。 基于计算出的距离，向静电卡盘施加电压以中和静电卡盘。
-
公开(公告)号：KR101250717B1
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020117031569
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.-
公开(公告)号：KR101180125B1
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020067026949
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.028 seconds)
