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    기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치
    21.
    发明授权
    기판 탑재 기구 및 기판 처리 장치 有权
    基板放置机构和基板处理装置

    公开(公告)号：KR101196601B1

    公开(公告)日：2012-11-02

    申请号：KR1020107005343

    申请日：2008-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  고미아츠시 ,  마에카와신지 ,  다가사토시

    IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

    Abstract: 피처리 기판이 탑재되는 기판 탑재 기구로서, 피처리 기판 탑재면(21a)을 갖고, 피처리 기판 W를, 막이 퇴적되는 성막 온도로 가열하는 가열체가 매설되고, 대직경부(94b)와 소직경부(94a)를 갖는 제 1 리프터핀 삽입 통과 구멍(81a)을 구비한 히터 플레이트(21)와, 적어도 피러치 기판 탑재면(21a) 이외의 표면을 덮도록 형성되고, 온도가 성막온도 미만의 비성막 온도로 되고, 대직경부(92b)와 소직경부(92a)를 갖는 제 2 리프터핀 삽입 통과 구멍(81c)을 구비한 온도 조절 재킷과, 대직경부(94b)에 삽입 통과 가능한 덮개부(93b)와, 대직경부(94b) 및 소직경부(94a) 모두에 삽입 통과 가능한 축부(93a)를 구비한 제 1 리프터핀(24b-1)과, 대직경부(92b)에 삽입통과 가능한 덮개부(91b)와, 대직경부(92b) 및 소직경부(92a) 모두에 삽입통과 가능한 축부(91a)를 구비한 제 2 리프터핀(24b-2)를 구비한다.

    진공 처리 시스템 및 기판 반송 방법
    23.
    发明公开
    진공 처리 시스템 및 기판 반송 방법 无效
    真空处理系统和基板传输方法

    公开(公告)号：KR1020100065127A

    公开(公告)日：2010-06-15

    申请号：KR1020097027030

    申请日：2008-09-01

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미야시타데츠야 ,  히라타도시하루 ,  하라마사미치

    IPC: H01L21/677 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

    CPC classification number: H01L21/67184 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723

    Abstract: A vacuum processing system is provided with a first processing section (2) wherein PVC processing chambers (12-15) are connected to a first transfer chamber (11) to which a wafer is to be transferred; a second processing section (3) wherein CVD processing chambers are connected to a second processing chamber (21) to which the wafer is to be transferred; a buffer chamber (5a), which is arranged between the first transfer chamber (11) and the second transfer chamber (12) through a gate valve (G), stores the wafer, and is capable of adjusting pressure therein; and a control section (110) for controlling opening/closing of a gate valve (G) and pressure in the buffer chamber (5a) so that the buffer chamber (5a) is selectively communicated with either the first transfer chamber (11) or the second transfer chamber (12) and that pressure inside matches with pressure inside the communicating transfer chamber.

    Abstract translation: 真空处理系统设置有第一处理部分（2），其中PVC处理室（12-15）连接到待传送晶片的第一传送室（11）; 第二处理部（3），其中CVD处理室与要转印晶片的第二处理室（21）连接; 通过闸阀（G）布置在第一传送室（11）和第二传送室（12）之间的缓冲室（5a）存储晶片，并且能够调节其中的压力; 以及用于控制闸阀（G）的打开/关闭和缓冲室（5a）中的压力的​​控制部分（110），使得缓冲室（5a）选择性地与第一传送室（11）或 第二传送室（12），并且内部压力与连通传送室内的压力匹配。

    복수 개의 트레이를 구비하는 막 전구체 증발 장치 및이것을 포함하는 박막 증착 장치
    24.
    发明公开
    복수 개의 트레이를 구비하는 막 전구체 증발 장치 및이것을 포함하는 박막 증착 장치 有权
    MUTI-TRAY膜前驱体蒸发系统和薄膜沉积系统

    公开(公告)号：KR1020070089785A

    公开(公告)日：2007-09-03

    申请号：KR1020077008440

    申请日：2005-11-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 스즈키겐지 ,  귀도엠마누엘피 ,  로싱크게리트제이 ,  하라마사미치 ,  구로이와다이스케

    IPC: H01L21/677

    CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/16 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67389

    Abstract: A high conductance, multi-tray solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300') coupled with a high conductance vapor delivery system (40, 140) is described for increasing deposition rate by increasing exposed surface area of solid precursor (350). The multi-tray solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300') includes a base tray (330) with one or more upper trays (340). Each tray (330, 340) is configured to support and retain film precursor (350) in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray (330, 340) is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor (350) while the film precursor (350) is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor (350), and vertically upward through a flow channel (318) within the stackable trays (340) and through an outlet (322) in the solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300').

    Abstract translation: 描述了与高电导蒸气输送系统（40,140）耦合的高电导多托盘固体前体蒸发系统（50,150,300,300'），以通过增加固体前体（350）的暴露表面积来提高沉积速率 ）。 多托盘固体前体蒸发系统（50,150,300,300'）包括具有一个或多个上托盘（340）的基托（330）。 每个托盘（330,340）被配置为以例如固体粉末形式或固体片剂形式支撑并保持膜前体（350）。 另外，每个托盘（330,340）构造成在膜前体（350）被加热的同时提供载气在膜前体（350）上的高电导流。 例如，载气在膜前体（350）上向内流动，并且垂直向上流过可堆叠托盘（340）内的流动通道（318）并通过固体前体蒸发系统（50,150）中的出口（322） ，300,300'）。

    기판 처리 장치
    25.
    发明公开
    기판 처리 장치 有权
    衬底处理设备

    公开(公告)号：KR20180037621A

    公开(公告)日：2018-04-12

    申请号：KR20187008876

    申请日：2013-04-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

    IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

    CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

    Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

    Abstract translation: 一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。

    성막 장치
    26.
    发明授权
    성막 장치 有权
    沉积装置

    公开(公告)号：KR101499305B1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：KR1020127024088

    申请日：2011-03-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  다가사토시

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556

    Abstract: 유기 금속 화합물로 이루어지는 원료 가스를 이용하여 박막을 형성하는 성막 장치는, 내부를 진공 배기할 수 있는 처리 용기(22)와, 피처리체(W)를 배치하며 피처리체(W)를 가열하는 가열 히터(34)가 설치된 배치대(28)와, 배치대(28)의 상방에 배치대(28)에 대향하도록 설치되고, 배치대(28) 상의 피처리체(W)의 외주단보다 외측의 영역을 향하여 원료 가스를 도입하는 가스 도입 기구(80)와, 배치대(28)의 상방의 처리 공간(S)을 둘러싸, 그 내외를 구획하며, 그 하단부가 배치대(28)에 접근하도록 설치되고, 하단부와 배치대(28)의 주연부 사이에서 가스 출구(92)를 형성하는 내부 구획벽(90)과, 내부 구획벽(90)의 하단부에 배치대(28)의 반경 방향의 내방을 향하여 연장되도록 설치되며, 배치대(28)의 주연부와의 사이에서 가스 출구(92)에 연통하는 오리피스부(98)를 형성하는 오리피스 형성 부재(96)를 구비한다.

    플라즈마 처리 장치 및 금속의 산화막을 세정하는 방법
    27.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 금속의 산화막을 세정하는 방법 有权
    用于去除金属氧化物膜的等离子体处理装置和清洁方法

    公开(公告)号：KR1020140029289A

    公开(公告)日：2014-03-10

    申请号：KR1020130103099

    申请日：2013-08-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

    IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

    Abstract: The present invention relates to a plasma processing device comprising a processing vessel, a mounting tray, a remote plasma unit, a diffusion part, and an ion filter. The mounting tray is formed in the processing vessel. Excitation gas is generated by controlling the remote plasma unit to excite hydrogen containing gas. The exit of the excitation gas is formed at the remote plasma unit. The diffusion part is formed at the exit of the remote plasma unit and receives the excitation gas flowing from the exit for diffusing the active species of hydrogen with reduced amount of hydrogen ion. The ion filter is positioned between the diffusion part and the mounting tray and separated from the diffusion part. The ion filter traps hydrogen ion included in the active species of the hydrogen diffused by the diffusion part for passing the active species of the hydrogen with additionally reduced amount of the hydrogen ions. [Reference numerals] (26) Exhaustion device; (30) Direct current power circuit; (32) Heater power; (36) Cooler

    Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括处理容器，安装托盘，远程等离子体装置，扩散部件和离子过滤器。 安装托盘形成在处理容器中。 通过控制远程等离子体单元来激发含氢气体产生激发气体。 在远程等离子体单元处形成激发气体的出口。 扩散部分形成在远程等离子体单元的出口处，并接收从出口流出的激发气体，用于以减少量的氢离子扩散活性物质的氢。 离子过滤器位于扩散部分和安装托盘之间，并与扩散部分分离。 离子过滤器捕获由扩散部分扩散的氢的活性物质中包含的氢离子，用于使氢的活性物质进一步减少氢离子的量。 （附图标记）（26）耗尽装置; （30）直流电源电路; （32）加热器功率; （36）冷却器

    원료 용기 및 원료 용기의 사용 방법
    29.
    发明公开
    원료 용기 및 원료 용기의 사용 방법 有权
    源集装箱和使用源集装箱的方法

    公开(公告)号：KR1020140004007A

    公开(公告)日：2014-01-10

    申请号：KR1020130073251

    申请日：2013-06-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마모토카오루 ,  미즈사와야스시 ,  하라마사미치

    IPC: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

    CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

    Abstract: When supplying a gas phase raw material, which sublimates a precursor of a raw material, to a process chamber for performing film forming treatment on an object to be treated, a method prepared by the present invention efficiently sublimates the precursor inside a raw material container. Trays (41), which accommodate the precursor (50), in multiple layers are accumulated on top of each other inside a housing (24) having an opening (30) that communicates with the process chamber (2). Each tray (41) comprises: an inlet (a hole) (45) which introduces carrier gas into the tray (41); an outlet (a gap) (28) which communicates with the opening (30) as the carrier gas leaks along with the gas phase raw material of the precursor (50); and a cover (46) which can be opened and closed and holds the precursor (50) inside the tray (41).

    Abstract translation: 当将将原料前体升华的气相原料供给到用于对待处理物体进行成膜处理的处理室时，本发明制备的方法有效地使原料容器内的前体升华。 容纳前体（50）的多个托盘（41）在具有与处理室（2）连通的开口（30）的壳体（24）内彼此堆积。 每个托盘（41）包括：将载气引入托盘（41）中的入口（孔）（45）; 当载气与前体（50）的气相原料一起泄漏时，与开口（30）连通的出口（间隙）（28）; 以及可以打开和关闭并将前体（50）保持在托盘（41）内部的盖（46）。

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