公开(公告)号：KR1020150100522A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020150024040

申请日：2015-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타가이토케이지 ,  가츠누마타카유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C2/006 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/0212

Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 영역을 에칭하는 방법이 제공된다. 일실시예의 방법은, 산화 실리콘으로 구성된 영역을 가지는 피처리체를 플루오르카본 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 노출시키는 공정(a)이며, 이 영역을 에칭하고, 또한 이 영역 상에 플루오르카본을 포함하는 퇴적물을 형성하는, 이 공정(a)과, 상기 퇴적물에 포함되는 플루오르카본의 라디칼에 의해 상기 영역을 에칭 하는 공정(b)을 포함하고, 이 방법에서는 공정(a)과 공정(b)이 교호로 반복된다.

Abstract translation: 提供一种蚀刻由氧化硅酮构成的区域的方法。 本实施例的方法包括：（a）将具有由氧化硅构成的区域的物体暴露于包括碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的处理，并对该区域进行蚀刻并在该区域上形成包含碳氟化合物的沉积物; 和（b）由沉积物中所含的碳氟化合物的基团蚀刻该区域的工艺。 根据该方法，依次重复方法（a）和方法（b）。

公开(公告)号：KR1020150098197A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065

Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 제 1 영역을 질화 실리콘으로 구성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은 공정(a)과 공정(b)을 포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되고, 제 2 영역 상에 제 1 영역 상에 형성되는 보호막보다 두꺼운 보호막이 형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의 온도가 60 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도로 설정된다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅组成的第一区域的蚀刻方法。 蚀刻方法包括方法（a）和方法（b）。 在工序（a）中，将被处理物暴露于碳氟化合物气体的等离子体中，在第二区域形成有比形成在第一区域上的保护膜更厚的保护膜。 在方法（b）中，第一区域被氟碳气体的等离子体蚀刻。 在（a）的处理中，待处理物体的温度设定在60〜250℃的范围内。

公开(公告)号：KR1020150053926A

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/40 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 일실시예에서는, 피처리기체를처리하는방법을제공한다. 이방법은 (a) 처리용기내에설치된재치대상에피처리기체를재치한상태에서, 처리용기내에서수소함유가스의플라즈마를여기함으로써발생하는수소의활성종에레지스트마스크를노출하는공정과, (b) 수소의활성종에의해레지스트마스크를노출하는상기공정후에, 처리용기내에서에천트가스의플라즈마를여기하여, 하드마스크층을에칭하는공정을포함한다. 플라즈마는상부전극에플라즈마여기용의고주파전력을인가함으로써여기된다. 이방법에서는, 하드마스크층을에칭하는상기공정(b)에서의상부전극과재치대간의거리가, 수소의활성종에레지스트마스크를노출하는상기공정(a)에서의상부전극과재치대간의거리보다크게설정된다.

公开(公告)号：KR101234256B1

公开(公告)日：2013-02-18

申请号：KR1020110021352

申请日：2011-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈아키타카 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 무기막과 유기막을 포함한 적층 마스크막을 에칭하여 라인부를 형성하는 경우, 또는, 마스크막을 에칭하여 인접하는 라인부의 간격이 다른 복수 종류의 라인부를 형성하는 경우에, 웨이퍼의 면 내에서의 라인부의 선폭 및 높이의 분포를 독립적으로 제어할 수 있는 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치를 제공한다. 기판(W)에 하전 입자와 중성 입자를 포함한 플라즈마를 조사함으로써, 기판(W)에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 지지부(105)에 지지되어 있는 기판(W)의 면 내에서의 온도 분포를 조정함으로써, 기판(W)의 면 내에서의, 기판(W)이 중성 입자와 반응하는 반응량의 분포를 제어하고, 지지부(105)에 지지되어 있는 기판(W)과, 지지부(105)와 대향하도록 설치되어 있는 전극(120)과의 간격을 조정함으로써, 기판(W)의 면 내에서의 하전 입자의 조사량의 분포를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020120106607A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120026385

申请日：2012-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  사이토유스케 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: PURPOSE: A plasma etching apparatus and a plasma etching method are provided to uniformly etch a surface by controlling a heating device and a cooling device based on a temperature of a ring member. CONSTITUTION: A focus ring(3) surrounds a substrate and controls the state of plasma. A temperature detecting unit detects the temperature of the focus ring. A recipe memory unit(65) memorizes a process recipe with a process condition for etching the substrate and a preset temperature of the focus ring. An executing unit reads the process recipe from the recipe memory unit and outputs a control signal for controlling a heating device and a cooling device based on a temperature value detected by the temperature detecting unit and a preset temperature of the focus ring. [Reference numerals] (29) Electrostatic chuck controller; (31) He; (32) Pressure control unit; (37) LED; (38) Pressure controller; (39) Laser output controller; (6) Control unit; (61) Interference thermometer; (63) Thermometer controller; (64) Process recipe; (66) Program; (67) CPU; (68) Bus; (81) Supply control unit; (85) Recipe memory unit; (AA) Step; (BB) Film sort

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，以通过基于环件的温度控制加热装置和冷却装置来均匀地蚀刻表面。 构成：聚焦环（3）围绕衬底并控制等离子体的状态。 温度检测单元检测聚焦环的温度。 食谱记忆单元（65）记录具有用于蚀刻基底的处理条件和聚焦环的预设温度的处理配方。 执行单元从配方存储单元读取处理配方，并且基于由温度检测单元检测的温度值和聚焦环的预设温度输出用于控制加热装置和冷却装置的控制信号。 （附图标记）（29）静电卡盘控制器; （31）他 （32）压力控制单元; （37）LED; （38）压力控制器; （39）激光输出控制器; （6）控制单元; （61）干涉温度计; （63）温度计控制器 （64）工艺配方; （66）计划; （67）CPU; （68）巴士; （81）供电控制单元; （85）配方存储单元; （AA）步骤; （BB）电影排序

公开(公告)号：KR101117922B1

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020090024901

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  이와타마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명의 과제는 처리 공간에 있어서의 기판의 주연부에 대향하는 부분에서 전자 밀도를 충분히 상승시킬 수 있는 전극 구조체를 제공하는 것이다. 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 기판 처리 장치(10)가 구비하는 처리실(11) 내에 배치되고, 해당 처리실(11) 내에 있어서 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)와 대향하는 상부 전극(31)은 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)의 중심부에 대향하는 내측 전극(34)과 해당 웨이퍼(W) 주연부에 대향하는 외측 전극(35)을 구비하고, 내측 전극(34)에는 제 1 직류 전원(37)이 접속되고, 또한 외측 전극(35)에는 제 2 직류 전원(38)이 접속되며, 외측 전극(35)은 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)에 평행한 제 1 이차 전자 방출면(35a)에 대하여 웨이퍼(W)를 향해서 경사지는 제 2 이차 전자 방출면(35b)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020090104779A

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：KR1020090027835

申请日：2009-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  나카야미치코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a computer readable storage medium are provided to reinforce etching-resistance of a resistor pattern through a simple and effective resistor reformation. CONSTITUTION: A plasma processing method and a computer readable storage medium are comprised of the steps: preparing a member within a processing container; performing the processing container through an actuator vacuum-exhaustion by a certain pressure; supplying a second process gas to a process space; generating the plasma of the second process gases in a process space by supplying high frequency to a first electrode(60) or a second electrode; and supplying a negative electrode to part which is exposed by the plasma from a place far from the substrate inside the processing container to improve etching resistance of the resistor pattern.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和计算机可读存储介质，以通过简单且有效的电阻重构来增强电阻图案的耐腐蚀性。 构成：等离子体处理方法和计算机可读存储介质包括以下步骤：准备处理容器内的构件; 通过一定压力的致动器真空排气来执行处理容器; 向处理空间供应第二处理气体; 通过向第一电极（60）或第二电极提供高频来在工艺空间中产生第二工艺气体的等离子体; 并将负极提供给处理容器内远离基板的位置等离子体暴露的部分，以提高电阻图案的耐腐蚀性。

公开(公告)号：KR100867174B1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：KR1020060103002

申请日：2006-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  니폰 제온 가부시키가이샤

Inventor： 기타무라아키노리 ,  혼다마사노부 ,  히라이노조미 ,  나카무라마사히로 ,  스기모토다쓰야

IPC: H01L21/3065

Abstract: 포토레지스트막을 마스크로 하여 포토레지스트막에 대하여 SiO
2 막을 선택적으로 플라즈마 에칭하여 홀을 형성한다. 플라즈마 에칭에는 C
x F
y O(x는 4 또는 5, y는 정수이며 y/x는 1 내지 1.5)로 표시되는 불포화의 산소함유 플루오로카본 가스를 포함하는 에칭 가스를 사용한다. 불포화의 산소함유 플루오로카본 가스로서는, 예컨대 C
4 F
4 O 가스 및 C
4 F
6 O 가스를 이용한다.

公开(公告)号：KR100852577B1

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020070028146

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  마츠모토나오키 ,  다나카사토시 ,  마츠이유타카

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지한다. 기판 처리실은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는다. 플라즈마 처리 장치는 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 구비한다. 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내이다.

Abstract translation: 具有基板处理室的等离子体处理设备防止等离子体泄漏到排气空间中。 基板处理室具有用于对基板进行等离子体处理的处理空间，用于将气体排出处理空间的排气空间以及用于连通排气空间和处理空间的排气流路。 等离子体处理装置还包括设置在排气通道中并且电接地的接地组件。 接地部分具有由导电材料制成的导电部分，并且导电部分到排气通道的暴露面积在100至1000cm 2的范围内。

公开(公告)号：KR1020070070098A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020060134818

申请日：2006-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토마나부 ,  이가라시요시키 ,  곤요시미츠 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: A plasma etching method and a computer readable storage medium are provided to enhance the etch rate and to improve the etch selectivity. An organic layer(402) or an amorphous carbon layer is etched by using a mask containing silicon, wherein the organic layer or the amorphous carbon layer are formed on a substrate(401). First and second RF powers are applied to a second electrode to change a CF free process gas into plasma, wherein the second electrode is used for supporting the substrate. The process gas is supplied from a process gas supply unit. A DC(Direct Current) voltage is applied to a first electrode in order to perform a plasma etch process on the substrate.

Abstract translation: 提供等离子体蚀刻方法和计算机可读存储介质以增强蚀刻速率并提高蚀刻选择性。 通过使用包含硅的掩模蚀刻有机层（402）或非晶碳层，其中有机层或非晶碳层形成在基板（401）上。 将第一和第二RF功率施加到第二电极以将无CF处理气体改变为等离子体，其中第二电极用于支撑衬底。 处理气体从处理气体供应单元供应。 DC（直流）电压施加到第一电极，以便在衬底上执行等离子体蚀刻工艺。