公开(公告)号：KR1020170037102A

公开(公告)日：2017-04-04

申请号：KR1020150136231

申请日：2015-09-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  한정환 ,  한성호 ,  이선주

IPC: C07F15/06 ,  C07F13/00 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505

Abstract: 본발명은전이금속함유전구체, 이의제조방법및 이를이용하여박막을제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른전이금속함유전구체는열적안정성과휘발성이개선되어낮은온도에서도쉽게양질의코발트산화물또는망간산화물을포함하는박막의제조가가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及含有过渡金属的前体，其制备方法以及使用该前体制备薄膜的方法，其中根据本发明的含过渡金属的前体具有改进的热稳定性和挥发性， 可以制造含有氧化物的薄膜。

公开(公告)号：KR101636491B1

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020140086145

申请日：2014-07-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  한정환 ,  정석종 ,  정은애

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/06

Abstract: 본발명은하기화학식 1의루테늄화합물및 이의제조방법, 박막을형성하는방법에관한것으로, 하기화학식 1의루테늄화합물은열적안정성과휘발성이우수하여양질의루테늄박막을형성할수 있다. [화학식 1]상기 R내지 R은각각독립적으로수소또는탄소수 1 내지 4의선형또는분지형의알킬기이다.

公开(公告)号：KR101572086B1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：KR1020140027158

申请日：2014-03-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  한정환 ,  김다혜 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/448

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는 4족금속전구체에관한것으로, 상기 4족전이금속전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의 4족전이금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기, C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기, 또는 C6-C12의방향족탄화수소이며, R, R은각각독립적으로 H이거나 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)

公开(公告)号：KR101530045B1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：KR1020130046350

申请日：2013-04-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  박주현 ,  정석종 ,  이영국

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)

公开(公告)号：KR101485519B1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020130046342

申请日：2013-04-25

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  여소정 ,  정윤장 ,  공기정

IPC: C07F13/00 ,  C23C16/18

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]

(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)

公开(公告)号：KR1020140131474A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：KR1020130050315

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  성명모 ,  한규석

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/305 ,  H01G9/2022 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积制造硫化镍薄膜的方法，包括：将基板插入沉积室的步骤（a）; 步骤（b）通过原子层沉积在基底上吸收由下列化学式1表示的镍前体; 步骤（c）除去除了吸收的镍前体之外的副产物的剩余部分; 步骤（d）通过与吸附在基板上的镍前体进行交换反应而在基板上形成硫化镍薄膜，将硫插入沉积室; 和除去硫化镍薄膜以外的副产物的其余部分的工序（e）。 [化学式1]通过使用原子层沉积的硫化镍薄膜的制造方法制造硫化镍薄膜时，形成均匀的金属层，容易控制金属层的厚度， 在基板上形成金属层相对降低。

公开(公告)号：KR101380897B1

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020120136559

申请日：2012-11-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  김효숙 ,  송정인 ,  정석종

IPC: C07F9/90 ,  C23C16/30

CPC classification number: C07F9/908 ,  C23C16/305

Abstract: The present invention relates to an antimony precursor denoted by chemical formula 1. The antimony precursor is a precursor which includes sulfur and does not require the addition of separate sulfur for the production of a thin film, and enables users to produce a high quality antimony thin film by having improved thermal stability and volatility. In chemical formula 1: R1 and R2 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; R3 and R4 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl group; and n is a number selected from 1-3.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锑前体。锑前体是包含硫的前体，并且不需要添加分开的硫用于生产薄膜，并且能够使用户生产高质量的锑薄 膜具有改善的热稳定性和挥发性。 在化学式1中：R1和R2独立地为C1-C10直链或支链烷基; R3和R4独立地为C1-C10直链或支链烷基或氟代烷基; 并且n是选自1-3的数字。

公开(公告)号：KR101350706B1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020110123712

申请日：2011-11-24

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  심장보 ,  강성구

IPC: C09D11/52 ,  H01B1/14 ,  H01B1/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101344856B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020120013032

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은아연및 주석전구체를사용하여화학기상증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)으로아연주석산화물박막을형성하는방법및 이를이용한 TFT(thin film transistors) 소자제조방법에관한것으로, 본발명에따른아연주석산화물박막의제조방법은주석과아연의조성제어가가능하며, 낮은온도에서공정이가능하며, 삼차원구조의기재상에서도두께가균일한박막을제조할수 있고제조된주석산화물은높은전계효과이동도(field effect mobility)를가지고있어 TFTs의채널재료로적용할수 있다.

公开(公告)号：KR101336805B1

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：KR1020110059903

申请日：2011-06-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  심장보

IPC: C30B7/10 ,  B01J3/00

CPC classification number: Y02P20/544

Abstract: 본 발명은 단결정을 성장하는 압력용기에 있어서, 내열 합금으로 제조되는 압력용기본체, 상기 압력용기본체의 내부에 삽입되는 라이너 및 상기 압력용기본체의 하부로 관통 삽입되어 상기 라이너의 하부를 지지하는 하부지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 압력용기.