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公开(公告)号：DE112020005221B4
公开(公告)日：2025-03-06
申请号：DE112020005221
申请日：2020-11-18
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , DORIS BRUCE , GOTTWALD MATTHIAS GEORG , JOSHI RAJIV , CHAKRABORTY SUDIPTO
Abstract: Datenverarbeitungseinheit, die aufweist:eine leitfähige Platte (12; 52), die in einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats (10; 50) eingebettet ist;zumindest eine Josephson-Übergangs-Struktur, JJ-Struktur, die sich über der leitfähigen Platte befindet; underste Verdrahtungsstrukturen (18P, 18V; 58), die sich lateral benachbart zu der zumindest einen JJ-Struktur befinden, wobei eine von der leitfähigen Platte oder den ersten Verdrahtungsstrukturen so konfiguriert ist, dass ein magnetisches Feld in der zumindest einen JJ-Struktur induziert wird, wenn ein elektrischer Strom an diese angelegt wird, wobei:die zumindest eine JJ-Struktur einen ersten Bereich (22P) aus einem Supraleiter, einen Bereich (25P) aus Mn-Nanopartikel enthaltendem kristallinem Silicium sowie einen zweiten Bereich (26P) aus einem Supraleitermaterial aufweist; und/oderdie zumindest eine JJ-Struktur eine zylindrische Form aufweist; und/odersich die ersten Verdrahtungsstrukturen (18p, 18V) direkt in Kontakt mit einer Oberfläche der leitfähigen Platte (12) befinden, wobei die zumindest eine JJ-Struktur von der leitfähigen Platte beabstandet ist und die leitfähige Platte das magnetische Feld in der zumindest einen JJ-Struktur induziert.
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公开(公告)号：AU2021211858A1
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：AU2021211858
申请日：2021-01-15
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , SADANA DEVENDRA , WACASER BRENT , FARMER DAMON
Abstract: Techniques regarding qubit devices comprising silicon-based Josephson junctions and/or the manufacturing of qubit devices comprising silicon-based Josephson junctions are provided. For example, one or more embodiments described herein can comprise an apparatus that can include a Josephson junction comprising a tunnel barrier positioned between two vertically stacked superconducting silicon electrodes.
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23.发明专利
公开(公告)号：AU2020384653A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：AU2020384653
申请日：2020-11-10
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , BEDELL STEPHEN , HART SEAN , SADANA DEVENDRA , LI NING , GUMANN PATRYK
Abstract: A quantum computing device is fabricated by forming, on a superconductor layer (410), a first resist pattern defining a device region and a sensing region within the device region. The superconductor layer within the sensing region is removed, exposing a region of a first surface of an underlying semiconductor layer (340) outside the device region. The exposed region of the semiconductor layer is implanted, forming an isolation region surrounding the device region. The sensing region and a portion of the device of the superconductor layer are exposed. A sensing region contact (202) is formed by coupling the first surface of the semiconductor layer with a first metal layer. A nanorod contact (206, 212) using the first metal within the portion of the device region outside the sensing region is formed. By depositing a second metal layer on a second surface of the semiconductor layer within the sensing region, a tunnel junction gate (204) is formed.
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公开(公告)号：GB2485941A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：GB201203971
申请日：2010-11-26
Applicant: IBM
Inventor： SANDERS DANIEL PAUL , CHENG JOY , HINSBERG WILLIAM , KIM HO-CHEOL , COLBURN MATTHEW , HARRER STEFAN , HOLMES STEVEN
IPC: G03F7/00
Abstract: A method of forming a layered structure comprising a self-assembled material comprises: disposing a non-crosslinking photoresist layer on a substrate; pattern-wise exposing the photoresist layer to first radiation; optionally heating the exposed photoresist layer; developing the exposed photoresist layer in a first development process with an aqueous alkaline developer, forming an initial patterned photoresist layer; treating the initial patterned photoresist layer photochemically, thermally and/or chemically, thereby forming a treated patterned photoresist layer comprising non-crosslinked treated photoresist disposed on a first substrate surface; casting a solution of an orientation control material in a first solvent on the treated patterned photoresist layer, and removing the first solvent, forming an orientation control layer; heating the orientation control layer to effectively bind a portion of the orientation control material to a second substrate surface; removing at least a portion of the treated photoresist and, optionally, any non-bound orientation control material in a second development process, thereby forming a pre-pattern for self-assembly; optionally heating the pre-pattern; casting a solution of a material capable of self-assembly dissolved in a second solvent on the pre-pattern and removing the second solvent; and allowing the casted material to self-assemble with optional heating and/or annealing, thereby forming the layered structure comprising the self-assembled material.
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公开(公告)号：DE602006004074D1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：DE602006004074
申请日：2006-09-05
Applicant: IBM
Inventor： KOBURGER CHARLES III , HOLMES STEVEN , HORAK DAVID , KIMMEL KURT , PETRILLO KAREN , ROBINSON CHRISTOPHER
IPC: G03F7/20
Abstract: An article including a microelectronic substrate is provided as an article usable during the processing of the microelectronic substrate. Such article includes a microelectronic substrate having a front surface, a rear surface opposite the front surface and a peripheral edge at boundaries of the front and rear surfaces. The front surface is a major surface of the article. A removable annular edge extension element having a front surface, a rear surface and an inner edge extending between the front and rear surfaces has the inner edge joined to the peripheral edge of the microelectronic substrate. In such way, a continuous surface is formed which includes the front surface of the edge extension element extending laterally from the peripheral edge of the microelectronic substrate and the front surface of the microelectronic substrate, the continuous surface being substantially co-planar and flat where the peripheral edge is joined to the inner edge.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112020005221T5
公开(公告)日：2022-09-01
申请号：DE112020005221
申请日：2020-11-18
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , DORIS BRUCE , GOTTWALD MATTHIAS GEORG , JOSHI RAJIV , CHAKRABORTY SUDIPTO
Abstract: Eine Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds innerhalb eines Chips ist in der Nähe einer Josephson-Übergangs-Struktur (einer JJ-Struktur) ausgebildet. Die Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds innerhalb eines Chips weist Verdrahtungsstrukturen auf, die sich lateral benachbart zu der JJ-Struktur befinden. Bei einigen Ausführungsformen weist die Einheit zur Steuerung eines magnetischen Felds außerdem zusätzlich zu den Verdrahtungsstrukturen eine leitfähige Platte auf, die mit den Verdrahtungsstrukturen verbunden ist und die sich unterhalb der JJ-Struktur befindet. Die Verwendung eines elektrischen Stroms durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch induziert entweder direkt oder indirekt ein magnetisches Feld in der JJ-Struktur. Die Stärke des Felds kann durch die Strommenge moduliert werden, die durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch fließt. Das magnetische Feld kann bei Bedarf ausgeschaltet werden, indem das Zulassen, dass ein Strom durch die Verdrahtungsstrukturen hindurch fließt, beendet wird.
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公开(公告)号：AU2020385351A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：AU2020385351
申请日：2020-11-10
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , SADANA DEVENDRA , HART SEAN , BEDELL STEPHEN , LI NING , GUMANN PATRYK
Abstract: A quantum computing device is fabricated by forming, on a superconductor layer (410), a first resist pattern defining a device region and a sensing region within the device region. The superconductor layer within the sensing region is removed, exposing a region of an underlying semiconductor layer (340) outside the device region. The exposed region of the semiconductor layer is implanted, forming an isolation region (240) surrounding the device region. Using an etching process subsequent to the implanting, the sensing region and a portion of the device region of the superconductor layer adjacent to the isolation region are exposed. By depositing a first metal layer within the sensing region, a tunnel junction gate (204) is formed. A sensing region gate (202) is formed by coupling the semiconductor layer with a second metal layer. A chemical potential gate (208, 210) is also formed. A nanorod contact (206, 212) using the second metal within the portion of the device region outside the sensing region is formed.
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公开(公告)号：DE112019002691T5
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：DE112019002691
申请日：2019-05-21
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , DORIS BRUCE , DELIGIANNI HARIKLIA , YU ROY
IPC: G01N33/483 , G01N21/00 , G01N27/00 , G01N27/26
Abstract: Es werden Techniken in Bezug auf eine implantierbare Biosensor-Packung bereitgestellt. Eine oder mehrere hierin beschriebene Ausführungsformen können sich zum Beispiel auf eine Vorrichtung beziehen, die ein Biosensor-Modul aufweisen kann. Das Biosensor-Modul kann ein Halbleitersubstrat und einen Prozessor aufweisen. Das Halbleitersubstrat kann einen Sensor aufweisen, der mit dem Prozessor funktionsfähig gekoppelt ist. Die Vorrichtung kann außerdem eine Polymer-Schicht aufweisen. Das Biosensor-Modul kann in der Polymer-Schicht derart eingebettet sein, dass die Polymer-Schicht auf einer Mehrzahl von Seiten des Biosensor-Moduls bereitgestellt sein kann.
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公开(公告)号：DE112013003188T5
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：DE112013003188
申请日：2013-06-27
Applicant: IBM
Inventor： LIU SEN , CHEN KUANG-JUNG , HOLMES STEVEN , HUANG WU-SONG , KWONG RANEE WAI-LING
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Zusammensetzung einer entwickelbaren untenliegenden Antireflexbeschichtung (BARC-Zusammensetzung) und ein Verfahren zum Bilden von Strukturen unter Verwendung der BARC-Zusammensetzung. Die BARC-Zusammensetzung enthält ein erstes Polymer mit einer ersten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden alicyclischen Einheit und einer ersten chromophoren Einheit; ein zweites Polymer mit einer zweiten Carbonsäureeinheit, einer Hydroxy-enthaltenden acyclischen Einheit und einer zweiten chromophoren Einheit; ein Vernetzungsmittel; und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator. Die erste und die zweite chromophore Einheit absorbieren jeweils Licht mit einer Wellenlänge von 100 nm bis 400 nm. Bei dem Verfahren zum Bilden von Strukturen wird eine Photoresistschicht über einer BARC-Schicht aus der BARC-Zusammensetzung gebildet. Nach dem Exponieren werden nichtexponierte Bereiche der Photoresistschicht und der BARC-Schicht selektiv durch einen Entwickler entfernt, um eine strukturierte Struktur in der Photoresistschicht zu bilden. Die BARC-Zusammensetzung und das Verfahren zum Bilden von Strukturen sind besonders für Implantationsebenen verwendbar.
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公开(公告)号：DE112010004324T5
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：DE112010004324
申请日：2010-10-19
Applicant: IBM
Inventor： HOLMES STEVEN , HUE XUEFENG , CHENG KANGGUO , ZHANG YING , DORIS BRUCE
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/336
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von Merkmalen für eine integrierte Schaltung umfasst das Strukturieren einer Dorn-Schicht um Strukturen mit zwei oder mehr Breiten auf einer Oberfläche eines integrierten Schaltkreises einzuschließen. Freigelegte Seitwände der Strukturen reagieren um eine neue Verbindung in den Seitenwänden integral zu formen, so dass sich die neue Verbindung in die freigelegten Seitenwände in einer kontrollierten Weise erstreckt um rhalb der Säulen werden geätzt, indem die Säulen als Ätzmaske verwendet werden, um Merkmale für einen integrierten Schaltkreis zu bilden.
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