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    OPTOELECTRONIC COMPONENT
    21.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
    OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2010025694A2

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：PCT/DE2009001103

    申请日：2009-08-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  ZEHNDER ULRICH ,  BRUNNER HERBERT

    Inventor： GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  ZEHNDER ULRICH ,  BRUNNER HERBERT

    IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L33/645 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/0803 ,  H01L2924/00

    Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic component (1), it comprises a carrier (2) having an installation side (20) and at least one functional element (3). The optoelectronic component (1) further comprises at least one substrateless optoelectronic semiconductor chip (4) having a top side (44) and a bottom side (45) opposite thereof, wherein electric contacting of the semiconductor chip (4) takes place via the top side (44) and the bottom side (45), and wherein the bottom side (45) faces the installation side (20) of the carrier (2). The at least one semiconductor chip (4) is applied to the installation side (20). The optoelectronic component (1) further comprises at least one electric contact film (5) on the top side (44) of the semiconductor chip (1), wherein the contact film (5) is structured. Such an optoelectronic component (1) has a compact design and good thermal properties.

    Abstract translation: 在光电子器件（1）中的至少一个实施例具有这种在载体（2）具有安装侧（20）和具有至少一个功能元件（3）。 此外，光电子器件（1）包括至少一个无基材，所述光电子半导体芯片（4），其具有一个顶部（44）和相对的底部表面（45），所述上侧（44）和底部上的半导体芯片（4）的电接触 （45）发生，并且其中朝向载体的安装侧（20）的下侧（45）（2）。 在安装侧的至少一个半导体芯片（4）（20）施加。 此外，光电子器件（1）包括至少一个电接触膜（5）上的半导体芯片（1）的上侧（44），其中，所述接触膜（5）被构造。 这样的光电子器件（1）的紧凑地构成，并且具有良好的热性能。

    Halbleiterlaser
    25.
    发明专利
    Halbleiterlaser 未知

    公开(公告)号：DE102017012409B4

    公开(公告)日：2025-05-15

    申请号：DE102017012409

    申请日：2017-10-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  KÖNIG HARALD ,  LELL ALFRED ,  PESKOLLER FLORIAN ,  AUEN KARSTEN ,  SCHULZ ROLAND ,  BRUNNER HERBERT ,  SINGER FRANK ,  HÜTTINGER ROLAND

    IPC: H01S5/02

    Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.

    Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    26.
    发明专利
    Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102014106791B4

    公开(公告)日：2023-01-19

    申请号：DE102014106791

    申请日：2014-05-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MALM NORWIN VON

    IPC: H01L25/075 ,  G02F1/1333 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

    Abstract: Halbleiterbauelement (1) mit- einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen;- einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft;- einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft;- einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet, wobei der Formkörper (4) zumindest in einer Längsrichtung jeweils zumindest bereichsweise an die Seitenflächen der Halbleiterchips (2) angrenzt; und- einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips auf einer Vorderseite (45) des Formkörpers elektrisch leitend miteinander verbindet, wobei die Vorderseite des Formkörpers der Strahlungsaustrittsseite (10) des Halbleiterbauelements zugewandt ist; wobei- die Kontaktstruktur eine erste Kontaktfläche (51) und eine zweite Kontaktfläche (52) für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements aufweist und die Kontaktflächen an der Montageseitenfläche zugänglich sind; und- der Formkörper eine der Strahlungsaustrittsseite (10) abgewandte Rückseite (292) der Halbleiterchips jeweils zumindest bereichsweise bedeckt.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
    28.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102004047061B4

    公开(公告)日：2018-07-26

    申请号：DE102004047061

    申请日：2004-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HAHN BERTHOLD DR ,  BRUNNER HERBERT ,  GRÖTSCH STEFAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/02 ,  H01L33/48

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit- einem Gehäuse, das einen Gehäusegrundkörper und mindestens eine erste und mindestens eine zweite elektrische Leiterbahn aufweist, wobei der Gehäusegrundkörper einen Chipträger und einen Chiprahmen umfasst, durch welchen eine Kavität definiert ist, und die erste Leiterbahn auf einer vom Chipträger abgewandten Seite des Chiprahmens einen ersten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt,- mindestens einem Halbleiterchip zum Emittieren oder Empfangen von elektromagnetischer Strahlung, der in dem Gehäuse montiert ist und elektrisch leitend mit den elektrischen Leiterbahnen verbunden ist, wobei die zweite Leiterbahn auf einer dem Chiprahmen zugewandten Seite des Chipträgers einen zweiten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt, wobei die zweite Leiterbahn teilweise vom Chiprahmen bedeckt ist, wobei der Halbleiterchip in der Kavität mittels eines Füllmaterials umfüllt ist, das zur Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten Keramikpartikel enthält, die Galliumnitrid aufweisen oder daraus bestehen.

    Herstellung eines Leuchtmoduls für eine Hinterleuchtungsvorrichtung
    30.
    发明专利
    Herstellung eines Leuchtmoduls für eine Hinterleuchtungsvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014115622A1

    公开(公告)日：2016-05-12

    申请号：DE102014115622

    申请日：2014-10-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRUNNER HERBERT ,  BOSS MARKUS

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls für eine Hinterleuchtungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Substrats, ein Bereitstellen einer Trägerstruktur auf dem Substrat, und ein Anordnen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf dem Substrat. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfassen eine Gruppe aus in einer Reihe nebeneinander angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchips. Weiter vorgesehen sind ein Anordnen einer strahlungsdurchlässigen Abdeckung auf der Trägerschicht, wobei die Abdeckung die strahlungsemittierenden Halbleiterchips überdeckt, und ein Durchtrennen des Substrats, der Trägerstruktur und der Abdeckung zum Separieren des Leuchtmoduls. Das separierte Leuchtmodul weist die Gruppe aus in einer Reihe nebeneinander angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Hinterleuchtungsvorrichtung, und ein Leuchtmodul.

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