公开(公告)号：DE102006028692A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：DE102006028692

申请日：2006-06-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L51/50 ,  H05K1/18

Abstract: A device comprising a first component (5) having a first surface (6), a second component (8) having a second surface (9) and a connection layer (7) between the first surface (6) of the first component (5) and the second surface (9) of the second component (8), wherein the connection layer (7) comprises an electrically insulating adhesive and there is an electrically conductive contact between the first surface (6) of the first component (5) and the second surface (9) of the second component (8).

公开(公告)号：DE10254457B4

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：DE10254457

申请日：2002-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  HAHN BERTHOLD ,  EISERT DOMINIK ,  KAISER STEPHAN

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/782

公开(公告)号：DE102005047149A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005047149

申请日：2005-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS

IPC: H01L33/00

Abstract: The substrate has a porous layer containing semiconductor materials, e.g. gallium arsenide and indium gallium arsenide, where pore size in a partial area (21a) of the porous layer is larger than in another partial area (21b) of the porous layer. A crystallographic distant arrangement is held within the porous layer that is overgrown by a semiconductor crystal (23). A light emitting diode structure is arranged in a surface of the substrate. Independent claims are also included for the following: (a) a component, e.g. light emitting diode, manufactured with an epitaxial substrate (b) a method for manufacturing an epitaxial substrate (c) a method for manufacturing a component, e.g. LED.

公开(公告)号：DE10261364B4

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：DE10261364

申请日：2002-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEIN WILHELM ,  JANES STEFAN ,  HEINDL ALEXANDER ,  PLOESL ANDREAS ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE10308322A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE10308322

申请日：2003-02-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  ILLEK STEFAN ,  STAUSS PETER ,  WEGLEITER WALTER ,  WIRTH RALPH ,  STEIN WILHELM ,  PIETZONKA INES ,  DIEPOLD GUDRUN

IPC: H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L21/283

Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.

公开(公告)号：DE102004004780A1

公开(公告)日：2004-08-19

申请号：DE102004004780

申请日：2004-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  PLOESL ANDREAS ,  STAUSS PETER ,  DIEPOLD GUDRUN ,  PIETZONKA INES ,  STEIN WILHELM ,  WIRTH RALPH ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40

Abstract: Preparation of a structural element with an electrical contact region by:preparation of an epitaxially grown semiconductor series including an n-conductive AlGaIlP or AlGaInSAs-based external layer with an active zone emitting electromagnetic radiation, and application of an electrical contact material, which includes Au and doping material to the external layer, this material containing at least one of Ge, Si, Sn, and Te, and tempering of the external layer. An independent claim is included for a structural element as described above.

公开(公告)号：DE10253161A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：DE10253161

申请日：2002-11-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  EISERT DOMINIK ,  VOELKL JOHANNES

IPC: H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  C30B25/02

Abstract: Production of an optoelectronic semiconductor chip comprises forming a semiconductor body (1) or semiconductor arrangement having a structure for the chip, and applying an optical blooming layer, an electrically conducting window layer (2), a radiation-permeable planarizing layer, a dielectric barrier layer and a passivating layer. A layer based on gallium nitride is applied on the upper side of the semiconductor body or semiconductor arrangement whilst a gallium-containing precursor layer in liquid form is applied on the upper surface and converting into a layer based on gallium nitride by pyrolysis.

公开(公告)号：DE102012107797A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102012107797

申请日：2012-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GOEOETZ BRITTA ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  PLOESL ANDREAS ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/56 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem – eine Licht emittierende Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3) bereitgestellt wird, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements Licht abzustrahlen, – eine Wellenlängenkonversionsschicht (4) mit zumindest einem Wellenlängenkonversionsstoff auf der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und – auf der Wellenlängenkonversionsschicht (4) eine Keramikschicht (5) mittels eines Aerosolabscheideverfahrens aufgebracht wird. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：DE102012102476A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102012102476

申请日：2012-03-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLOESL ANDREAS

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/58

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet ein strahlungsdurchlässiges Bauelement (4) und ein Verbindungsmittel (3). Das Verbindungsmittel (3) ist schichtartig geformt und verbindet das Bauelement (4) und die Halbleiterschichtenfolge (2) mechanisch miteinander. Das Verbindungsmittel (3) ist dazu eingerichtet, von mindestens einem Teil der in der aktiven Schicht (20) erzeugten Strahlung durchlaufen zu werden. Ein Brechungsindex des Verbindungsmittels (3) weicht von einem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge (2) um höchstens 25 % ab. Das Verbindungsmittel (3) weist mindestens zwei Hauptbestandteile auf. Die Hauptbestandteile sind bei einer Temperatur von 300 K Feststoffe. Wenigstens einer der Hauptbestandteile weist eine Schmelztemperatur von höchstens 750 K auf.

公开(公告)号：DE102011114641A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011114641

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  PLOESL ANDREAS ,  VON MALM NORWIN ,  LINKOV ALEXANDER ,  HOEPPEL LUTZ ,  KOELPER CHRISTOPHER

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.