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    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
    21.
    发明专利
    Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102015114088A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：DE102015114088

    申请日：2015-08-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHR BARBARA ,  WEIMAR ANDREAS ,  WENDT MATHIAS ,  ZENGER MARCUS

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L33/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Bauelement (100) aufweisend eine erste Komponente (1), eine zweite Komponente(2), ein Verbindungselement (3), das zwischen der ersten Komponente (1) und der zweiten Komponente (2) angeordnet ist, wobei das Verbindungselement (3) zumindest eine erste Phase (31) und eine zweite Phase (32) aufweist, wobei die erste Phase (31) ein erstes Metall (Me1) mit einer Konzentration (c11), ein zweites Metall (Me2) mit einer Konzentration (c12) und ein drittes Metall (Me3) mit einer Konzentration (c13) umfasst, wobei die zweite Phase (32) das erste Metall (Me1) mit einer Konzentration (c25), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) umfasst, wobei das erste Metall (Me1), das zweite Metall (Me2) und das dritte Metall (Me3) voneinander verschieden sind und geeignet sind, bei einer Verarbeitungstemperatur von kleiner 200 °C zu reagieren, wobei gilt: c11 ≥ c25 und c11 ≥ c13 ≥ c12.

    23.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE10152922B4

    公开(公告)日：2010-05-12

    申请号：DE10152922

    申请日：2001-10-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STRAUSS UWE ,  WEIMAR ANDREAS

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323

    Abstract: A nitride-based semiconductor component having a semiconductor body ( 1 ) with a contact metalization ( 4 ) applied thereon. The semiconductor body ( 1 ) is provided with a protective layer which, if appropriate, also covers partial regions of the contact metalization ( 4 ) and which has a plurality of recesses ( 5 ) arranged near to one another.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008038750A1

    公开(公告)日：2010-02-18

    申请号：DE102008038750

    申请日：2008-08-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEIMAR ANDREAS

    IPC: H01L23/10 ,  H01L33/00

    Abstract: An optoelectronic component, includes a carrier, a metallic mirror layer arranged on the carrier, a first passivation layer arranged on a region of the metallic mirror layer, a semiconductor layer that generates an active region during electrical operation arranged on the first passivation layer, a second passivation layer including two regions, wherein the first region is arranged on a top face of the semiconductor layer, and the second region which is free of the semiconductor layer is arranged on the metallic mirror layer, and wherein the first and second regions are separated from one another by a region which surrounds the first passivation layer and which is free of the second passivation layer.

    26.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007057756A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：DE102007057756

    申请日：2007-11-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WEISS GUIDO ,  HAHN BERTHOLD ,  ZEHNDER ULRICH ,  WEIMAR ANDREAS

    IPC: H01L31/036 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H05B33/02

    Abstract: An optoelectronic semiconductor body is provided which has an epitaxial semiconductor layer sequence based on nitride compound semiconductors. The semiconductor layer sequence comprises a buffer layer, which is nominally undoped or at least partially n-conductively doped, an active zone, which is suitable for emitting or receiving electromagnetic radiation, and a contact layer, which is n-conductively doped, arranged between the buffer layer and the active zone. The n-dopant concentration is greater in the contact layer than in the buffer layer. The semiconductor layer sequence contains a recess, which extends through the buffer layer and in which an electrical contact material is arranged and adjoins the contact layer. A method is additionally indicated which is suitable for producing such a semiconductor body.

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