公开(公告)号：KR100893252B1

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：KR1020040067670

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  고쯔가이히로미찌

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: 본 발명의 과제는 장치 내부에 부착된 부착물을 제거하는 동시에, 장치 내부를 평탄화할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 장치 내부에 부착물이 부착되면 반응관(2) 내를 소정의 온도로 가열하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다. 계속해서, 반응관(2) 내를 실온으로 유지하는 동시에 처리 가스 도입관(17)으로부터 불화수소를 포함하는 가스를 공급한다.
열처리 장치, 가스 도입관, 클리닝 가스, 반응관, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR100861853B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：KR1020050070118

申请日：2005-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L28/84

Abstract: 본 발명의 과제는 에칭 처리를 조합함으로써, 결정질의 반구 형상의 입자 사이즈를 작게 제어하는 것이 가능한 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 성막 가스에 의해 상기 피처리체의 표면에 결정 핵을 형성하고 상기 결정 핵을 성장시킴으로써 결정질의 반구 형상의 입자가 표면에 형성된 HSG 박막을 형성하는 HSG 박막 형성 공정과, 상기 HSG 박막의 표면을 산화함으로써 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정과, 상기 산화막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 공정을 갖는다. 이와 같이, 에칭 처리를 조합함으로써 HSG 실리콘 결정질의 입자에 있어서의 결정질의 반구 형상의 입자의 사이즈를 작게 제어한다.
성막 장치, HSG 박막, 산화막, 반도체 웨이퍼, 제어 수단

公开(公告)号：KR100853886B1

公开(公告)日：2008-08-25

申请号：KR1020037013793

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  야마모토히로유키 ,  우메하라다카히토 ,  가와카미마사토

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C30B35/00

Abstract: 본 발명의 기상성장장치는, 내부에 기판이 배치되는 반응용기와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 1 가스도입관을 가지며, 유기금속함유가스로 이루어진 제 1 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 1 가스도입부와, 상기 반응용기내에서 개구하는 가스분출구가 형성된 제 2 가스도입관을 가지며, 상기 유기금속함유가스와 반응하는 동시에 상기 유기금속함유가스보다도 밀도가 작은 제 2 가스를 상기 반응용기내에 공급하기 위한 제 2 가스도입부를 구비하고 있다. 제 1 가스도입관의 가스분출구와 제 2 가스도입관의 가스분출구는, 상기 반응용기내에 배치되는 기판의 바깥둘레를 따라 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080001646A

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020070064148

申请日：2007-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  하세베가즈히데 ,  야마모또가즈야

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/905

Abstract: A film forming apparatus is provided to suppress contamination of particles in forming a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer by forcibly exhausting the byproducts separated from the inner surface of a reaction chamber. A layer selected from a group composed of a silicon nitride layer or a silicon oxynitride layer is formed on a substrate to be processed in a reaction chamber of a film forming apparatus. The substrate to be processed is unloaded from the reaction chamber. While the inner surface of the reaction chamber is heated to a post-process temperature, post-process gas for nitridization is supplied to the inside of the reaction chamber to perform nitridization of a byproduct layer attached to the inner surface of the reaction chamber. The inner surface of the reaction chamber is cooled rapidly from the post-process temperature to crack the byproduct layer after the nitridization by using thermal stress while the byproduct layer is separated from the inner surface of the reaction chamber. The inside of the reaction chamber is forcibly exhausted so that the byproduct layer separated from the inner surface is loaded into an air current to be exhausted from the reaction chamber. The post-process gas includes gas selected from a group composed of ammonia and nitride oxide.

Abstract translation: 提供一种成膜装置，通过强制地排出从反应室的内表面分离的副产物来抑制形成氮化硅层或氧氮化硅层时的颗粒的污染。 在成膜装置的反应室内的被处理基板上形成从由氮化硅层或氮氧化硅层构成的组中选择的层。 待处理的基材从反应室中卸载。 当反应室的内表面被加热到后处理​​温度时，用于氮化的后处理气体被供应到反应室的内部，以对连接到反应室的内表面的副产物层进行氮化。 反应室的内表面从后处理温度迅速冷却，通过使用热应力在氮化后裂解副产物层，同时副反应室与反应室的内表面分离。 反应室的内部被强制排空，使得从内表面分离的副产物层被加载到从反应室排出的空气流中。 后处理气体包括选自由氨和氮氧化物组成的组的气体。

公开(公告)号：KR1020060048435A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050052786

申请日：2005-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  초우파오화 ,  김채호

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  Y10T117/1024

Abstract: 반도체 처리용의 성막 장치는, 피처리 기판 상에 박막을 퇴적하기 위한 원료 가스를 처리 용기 내에 공급하는 원료 가스 공급계와, 박막 중에 불순물을 도입하기 위한 도핑 가스와 도핑 가스를 희석하기 위한 희석 가스와의 혼합 가스를 처리 용기 내에 공급하는 혼합 가스 공급계를 포함한다. 혼합 가스 공급계는 도핑 가스 및 희석 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하기 위해 처리 용기 외에 배치된 가스 혼합 탱크와, 상기 혼합 탱크로부터 처리 용기 내에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크에 도핑 가스를 공급하는 도핑 가스 공급계와, 가스 혼합 탱크에 희석 가스를 공급하는 희석 가스 공급계를 포함한다.
배기 노즐, 처리 용기, 성막 장치, 압력 제어 밸브, 진공 펌프, 배기계

公开(公告)号：KR100479986B1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：KR1019970045908

申请日：1997-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마이마사유키 ,  가네코노리히토 ,  아메미야마사아키 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/66

Abstract: 피검사체를 도입하는 도입스테이지에 피검사체가 올려놓아진다. 이 피검사체는 검사대 위에 반송되고, 피검사체에 측정광을 조사해서 피검사체의 표면에 형성되어 있는 박막의 두께가 측정된다. 피검사체의 도입스테이지와 상기 검사대의 사이에 덮개부재가 설치되고, 이 덮개부재에 의해 피검사체(W)의 반송공간과 검사대를 내장한 측정공간이 형성된다. 덮개부재에 의해 에워싸인 반송공간과 측정공간에 불순물이 극히 적은 순수가스가 순수가스 도입부로부터 도입된다.

公开(公告)号：KR1020050053713A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020057005461

申请日：2003-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  오까다미쯔히로 ,  우메자와고오따 ,  하세베가즈히데 ,  사까모또고오이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67253 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treating system comprising a holding unit for holding a plurality of substrates, a reaction container into which the holding unit is carried, a treating gas supply mechanism for supplying a treating gas into the reaction container, and a heating mechanism for heating the reaction container when the treating gas is supplied to perform a film-forming processing on the substrates. Flow- rate parameter table data in which data on the number of substrates scheduled for treating in one batch is allowed to correspond to the target value data of the treating gas flow-rate parameters is stored in a flow-rate parameter table data storing unit. A control means obtains the target value data of the treating gas flow-rate parameters according to an actual number of substrates scheduled for treating in one batch and based on flow-rate parameter table data stored in the flow-rate parameter table data storing unit, and controls the treating gas supply mechanism according to the target value data. The target value data of the flow- rate parameters is so determined as to provide a uniform film-forming speed to treating batches in which the number of substrate scheduled for treating differs from one another.

Abstract translation: 一种热处理系统，包括用于保持多个基板的保持单元，承载保持单元的反应容器，用于将处理气体供应到反应容器中的处理气体供给机构，以及用于加热反应容器的加热机构 当处理气体被供给以在基板上进行成膜处理时。 将流量参数表数据存储在流量参数表数据存储部中，流量参数表数据被存储在流量参数表数据存储单元中，其中计划用于一批处理的基板数量被允许对应于处理气体流量参数的目标值数据。 控制装置根据预定一批处理的基板的实际数量，根据存储在流量参数表数据存储部中的流量参数表数据，求出处理气体流量参数的目标值数据， 并根据目标值数据控制处理气体供给机构。 流量参数的目标值数据被确定为提供均匀的成膜速度以处理其中预定处理的基板的数量彼此不同的批次。

公开(公告)号：KR1020050033820A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：KR1020040079308

申请日：2004-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우메하라다까히또 ,  도미따마사히꼬 ,  후지따히로따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L28/65

Abstract: A film forming method and a film forming apparatus are provided to form a thin film without a sputtering apparatus by supplying alternately a raw material gas and an auxiliary gas to a process chamber. A raw material gas and an auxiliary gas are continuously supplied to a process chamber(14) in different periods in order to deposit thin films on an upper surface of a processing target(W). After the thin films are deposited on the upper surface of the processing target, the raw material gas and the same gas as the auxiliary gas or the raw material gas and a different gas from the auxiliary gas are simultaneously supplied to the process chamber in order to form a thick film of the thin films.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法和成膜装置，以便通过交替地将原料气体和辅助气体供给到处理室，而不用溅射装置形成薄膜。 为了在处理对象（W）的上表面上沉积薄膜，原料气体和辅助气体以不同的时间周期连续供给到处理室（14）。 在薄膜沉积在加工对象的上表面之后，原料气体和与辅助气体相同的气体或原料气体以及与辅助气体不同的气体同时供给到处理室，以便 形成薄膜的薄膜。

公开(公告)号：KR1020010107744A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020010028833

申请日：2001-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토히로유키 ,  니시무라가즈아키 ,  하세베가즈히데 ,  스파울필립

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 복수종류, 예컨대 Ba, Sr, Ti 등의 금속원소를 포함하는 복합금속산화물막을 에칭하는 방법에 관한 것이다. Cl
2 가스를 이용하여 복합금속산화물막에서 알카리토류금속(Ba, Sr)을 제거하는 제 1 크리닝공정이 행하여지고, 그 후, ClF
3 가스를 사용하여 복합금속산화물막으로부터 알카리토류금속 이외의 금속(Ti)을 제거하는 제 2 크리닝공정이 이루어진다. 이 에칭방법, 반도체장치의 제조뿐만 아니라, 성막용의 처리용기의 크리닝에도 응용할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1019960002526A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950016167

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시시구치세이이치 ,  하세베가즈히데 ,  시게마츠노부아키

IPC: H01L21/20

Abstract: 웨이퍼의 다수는 웨이퍼보트상의 반응관 내에 적재되고; 모노실란 가스, 포스핀 가스 및 N
2 O가스는 인을 도핑한 아몰파스 실리콘막을 형성하고; 다음에 웨이퍼를 예컨대, 폴리크리스탈화 아몰파스 실리콘막으로 다른 반응관 내에 어닐한다. N
2 O의 분해에 의해 생성된 O
S (산소)는 막 내로 주입된다. O
S 는 실리콘 결정의 핵으로 되고, 결정이 미소화되어 크기가 균일하게 된다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다. 폴리실리콘막의 저항치는 산소의 첨가에 의해 쉽게 제어될 수 있다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다.