公开(公告)号：DE102017108738B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102017108738

申请日：2017-04-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

Abstract: Halbleitervorrichtung (1000), umfassend:einen Graben (102), der sich von einer ersten Oberfläche (104) in einen SiC-Halbleiterkörper (100) erstreckt, wobei der Graben (102) eine erste Seitenwand (106), eine der ersten Seitenwand (106) gegenüberliegende zweite Seitenwand (108) und einen Grabenboden (110) aufweist;eine Elektrode (112), die in dem Graben (102) angeordnet und durch ein Grabendielektrikum (114) von dem SiC-Halbleiterkörper (100) elektrisch isoliert ist;ein Bodygebiet (118) eines ersten Leitfähigkeitstyps, das an die erste Seitenwand (106) grenzt;eine Abschirmstruktur (120) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an das Grabendielektrikum (114) in zumindest einem Bereich der zweiten Seitenwand (108) und am Grabenboden (110) angrenzt; und wobeientlang einer vertikalen Richtung (y), die von der ersten Oberfläche (104) zu einer der ersten Oberfläche (104) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des SiC-Halbleiterkörpers (100) verläuft, ein erster Abschnitt des Grabenbodens (110) und ein zweiter Abschnitt des Grabenbodens (110) um einen vertikalen Versatz zueinander versetzt sind.

公开(公告)号：DE102019119020A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019119020

申请日：2019-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JELINEK MORIZ ,  LEENDERTZ CASPAR ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHUSTEREDER WERNER

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Erste Dotierstoffe werden durch eine größere Öffnung (411) einer ersten Prozessmaske (410) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) implantiert, wobei die größere Öffnung (411) einen ersten Oberflächenabschnitt des Siliziumcarbid-Körpers (100) freilegt. Ein Graben (800) wird im Siliziumcarbid-Körper (100) in einem zweiten Oberflächenabschnitt ausgebildet, der durch eine kleinere Öffnung (421) in einer zweiten Prozessmaske (420) freigelegt wird. Der zweite Oberflächenabschnitt ist ein Teilabschnitt des ersten Oberflächenabschnitts. Die größere Öffnung (411) und die kleinere Öffnung (421) werden zueinander selbstausgerichtet ausgebildet. Zumindest ein Teil der implantierten ersten Dotierstoffe bildet zumindest einen Kompensationsschichtbereich (181), der sich parallel zu einer Graben-Seitenwand (801) erstreckt.

公开(公告)号：DE102019129537A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102019129537

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ESTEVE ROMAIN ,  MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/07

Abstract: Ausführungsformen von SiC-Vorrichtungen und entsprechende Herstellungsverfahren werden bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung Abschirmgebiete (130) am Boden (106) einiger Gategräben (102) und nichtlineare Übergänge auf, die mit dem SiC-Material (100) am Boden (106) anderer Gategräben (102) ausgebildet sind. In anderen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung die Abschirmgebiete (130) am Boden (106) der Gategräben (102) und in Reihen angeordnet auf, welche in einer Richtung quer zu einer Längsausdehnung der Gräben (102) verlaufen. In noch anderen Ausführungsformen weist die SiC-Vorrichtung die Abschirmgebiete (130) und die nichtlinearen Übergänge auf, und wobei die Abschirmgebiete (130) in Reihen angeordnet sind, welche in einer Richtung quer zu einer Längsausdehnung der Gräben (102) verlaufen.

公开(公告)号：DE102018115728A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115728

申请日：2018-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  KUECK DANIEL ,  ZIPPELIUS BERND ,  PETERS DETHARD ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Siliziumcarbidkörper (100), der ein Transistorzellengebiet (600) und ein Transistorzellen-freies Gebiet (700) umfasst. Das Transistorzellengebiet (600) enthält Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) ist frei von Transistorzellen (TC). Das Transistorzellen-freie Gebiet (700) umfasst (i) ein Übergangsgebiet (790) zwischen dem Transistorzellengebiet (600) und einer seitlichen Oberfläche (103) des Siliziumcarbidkörpers (100), (ii) ein Gatepad-Gebiet (730) und (iii) eine Merged-PiN-Schottky- und/oder eine Merged-PiN-Heteroübergangs-Diodenstruktur (400) in zumindest einem des Übergangsgebiets (790) und des Gatepad-Gebiets (730).

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102017108568A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102017108568

申请日：2017-04-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KAHN MARKUS ,  UNEGG GERALD

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen einer Kontaktstruktur umfasst das Bereitstellen eines Siliziumkarbid-Substrats, welches ein stark dotiertes Siliziumkarbid-Kontaktgebiet, das in dem Substrat ausgebildet ist und sich zu einer Hauptoberfläche des Substrats erstreckt, aufweist. Es wird ein kohlenstoffbasiertes Kontaktgebiet erzeugt, das mit dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet in direktem Kontakt steht und das sich zu der Hauptoberfläche erstreckt. Auf dem kohlenstoffbasierten Kontaktgebiet wird ein Leiter so erzeugt, so dass sich das kohlenstoffbasierte Kontaktgebiet zwischen dem Leiter und dem stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiet befindet. Ein thermisches Budget zum Erzeugen des kohlenstoffbasierten Kontaktgebiets wird unter einem Level gehalten, der eine Silizidierung des stark dotierten Siliziumkarbid-Kontaktgebiets bewirkt.

公开(公告)号：DE102015103067B3

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE102015103067

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Trenchgatestrukturen (150) in einem Halbleiterkörper (100) mit hexagonalem Kristallgitter. Eine mittlere Oberflächenebene (101x) der ersten Oberfläche (101) ist zu einer -Kristallrichtung um einen Versetzungsachswinkel (α) geneigt, wobei ein Absolutwert des Versetzungsachswinkels (α) in einem Bereich von 2 Grad bis 12 Grad ist. Die Trenchgatestrukturen (150) erstrecken sich ausgerichtet längs der -Kristallrichtung. Teile des Halbleiterkörpers (100) zwischen benachbarten Trenchgatestrukturen (150) bilden Transistormesas (170). Seitenwände der Transistormesas (170) weichen von einer Normalen zu der mittleren Oberflächenebene (101x) um nicht mehr als 5 Grad ab.

公开(公告)号：DE102015121532A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：DE102015121532

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Siliziumkarbidhalbleitersubstrat mit einer Vielzahl erster dotierter Gebiete, die seitlich voneinander beabstandet und unterhalb einer Hauptoberfläche sind, und einem zweiten dotierten Gebiet gebildet, das sich von der Hauptoberfläche zu einem dritten dotierten Gebiet erstreckt, das oberhalb der ersten dotierten Gebiete ist. Es werden vierte dotierte Gebiete gebildet, die sich von der Hauptoberfläche zu den ersten dotierten Gebieten erstrecken. Es wird ein Gategraben mit einem Boden gebildet, der über einem Abschnitt eines der ersten dotierten Gebiete angeordnet ist. An dem Substrat wird ein Hochtemperaturschritt durchgeführt, um Siliziumkarbidatome entlang von Seitenwänden des Grabens neu auszurichten und abgerundete Ecken im Gategraben herzustellen. Eine Oberflächenschicht, die sich während des Hochtemperaturschritts entlang der Seitenwände des Gategrabens bildet, wird vom Substrat entfernt.