公开(公告)号：DE102016216875A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102016216875

申请日：2016-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  HUBER JOCHEN ,  JOST FRANZ ,  KOLB STEFAN ,  THEUSS HORST ,  WÖLLENSTEIN JÜRGEN

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/3504 ,  G01R17/02

Abstract: Es wird eine Vorrichtung 2' für eine In-situ-Kalibrierung eines photoakustischen Sensors 4 gezeigt. Die Vorrichtung 2 umfasst einen Lichtemitter 6 zum Emittieren von Licht entlang eines Transmissionswegs zu einem Gas und ein akustisches Sensorelement 112, das konfiguriert ist zum Detektieren eines akustischen Signals, das von dem Gas emittiert wird, auf der Basis des empfangenen Lichts. Weiterhin umfasst die Vorrichtung eine Erfassungseinheit 8a, die konfiguriert ist zum Detektieren des Lichts, das entlang des Transmissionswegs transmittiert wird, und zum Liefern eines Ausgangssignals, und eine Kalibrierungseinheit 10 zum Empfangen des Ausgangssignals von der Erfassungseinheit 8a und zum Liefern einer Kalibrierungsinformation auf der Basis des Ausgangssignals von der Erfassungseinheit.

公开(公告)号：DE102015106373A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE102015106373

申请日：2015-04-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  DEHE ALFONS ,  KOLB STEFAN ,  SCHALLER RAINER ,  BEER GOTTFRIED ,  BEER SEBASTIAN ,  JOST FRANZ ,  RUHL GÜNTHER

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/3504

Abstract: Der photoakustische Gassensor umfasst eine Lichtemittereinheit, die einen Lichtemitter, der dazu konfiguriert ist, ein Lichtbündel aus Lichtpulsen mit einer vorbestimmten Wiederholungsfrequenz und einer Wellenlänge, die einem Absorptionsband eines zu erfassenden Gases entspricht, zu emittieren, und eine Detektoreinheit, die ein Mikrofon umfasst, umfasst, wobei die Lichtemittereinheit derart angeordnet ist, dass das Lichtbündel aus Lichtpulsen einen Bereich durchquert, der dazu konfiguriert ist, das Gas aufzunehmen, und die Detektoreinheit derart angeordnet ist, dass das Mikrofon ein Signal empfangen kann, das mit der Wiederholungsfrequenz oszilliert.

公开(公告)号：DE102012025750A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102012025750

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS ,  PRUEGL KLEMENS ,  KOLB STEFAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf MEMS-Bauelemente, insbesondere MEMS-Bauelemente, die mit verwandten elektrischen Bauelementen auf einem einzigen Wafer integriert sind. Ausführungsbeispiele verwenden ein Konzept eines modularen Prozessablaufs als Bestandteil eines MEMS-Zuerst-Lösungsansatzes, der die Verwendung eines neuartigen Hohlraumabdichtungsprozesses ermöglicht. Die Auswirkung und mögliche nachteilige Effekte der MEMS-Verarbeitung auf die elektrischen Bauelemente werden dadurch verringert oder eliminiert. Gleichzeitig wird eine äußerst flexible Lösung geschaffen, die eine Implementierung einer Vielzahl von Messprinzipien, einschließlich kapazitiver und piezoresistiver, ermöglicht. Deshalb können eine Vielzahl von Sensoranwendungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit und erhöhter Qualität anvisiert werden, die gleichzeitig kostenwirksam bleiben.

公开(公告)号：DE102014115071A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：DE102014115071

申请日：2014-10-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  ECKINGER MARKUS ,  KOLB STEFAN ,  RUHL GÜNTHER

IPC: H01L43/06 ,  H01L27/22

Abstract: Es werden ein Hall-Effekt-Sensor mit einer Graphendetektionsschicht, die in zahlreichen Geometrien ausgeführt ist, der die Möglichkeit eines sogenannten ”vollständigen 3D” Hall-Sensors enthält, mit der Option zur Integration in einen BiCMOS-Prozess, und ein Verfahren zur Herstellung des Hall-Effekt-Sensors offenbart.

公开(公告)号：DE102011084024A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102011084024

申请日：2011-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  MUELLER MARCO

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01L9/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur umfasst das Bilden einer Opferstruktur durch Ätzen einer Mehrzahl von Gräben von einer ersten Hauptoberfläche des Substrats. Das Verfahren umfasst ferner das Abdecken der Mehrzahl von Gräben an der ersten Hauptoberfläche mit einem Abdeckungsmaterial, um Hohlräume in dem Substrat zu definieren, das Entfernen eines Teils des Substrats von einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche bis zu einer Tiefe, an der die Mehrzahl von Gräben vorliegen, und das Wegätzen der Opferstruktur von der zweiten Hauptoberfläche des Substrats.

公开(公告)号：DE102011081460A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011081460

申请日：2011-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BJURSTROEM JOHAN ,  BLOM HANS-OLOF ,  KOLB STEFAN ,  RANGELOW IVO ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Bei einigen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Bilden einer Durchkontaktierung in einem Halbleiterelement das Bereitstellen eines Halbleiterelements mit einer elektronischen Schaltungsanordnung auf, die auf der Hauptseite desselben integriert ist; wobei das Halbleiterelement ferner eine Ätzstoppschicht und eine leitfähige Region aufweist, wobei die leitfähige Region zwischen der Ätzstoppschicht und der Hauptseite des Halbleiterelements angeordnet ist und ferner selektiv eine Durchkontaktierung von einer Rückseite des Halbleiterelements, gegenüberliegend zu der Hauptseite des Halbleiterelements, zu der Ätzstoppschicht ätzt und zumindest teilweise die Ätzstoppschicht entfernt, so dass die leitfähige Region zu der Rückseite freiliegend ist und die Durchkontaktierung zumindest teilweise mit einem leitfähigen Material füllt, wobei das leitfähige Material elektrisch von dem Halbleiterelement isoliert ist.

公开(公告)号：DE10206711B4

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE10206711

申请日：2002-02-18

Applicant: SIEMENS AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  KOLB STEFAN ,  BRUCHHAUS RAINER ,  WERSING WOLFRAM

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: Mikromechanisches Bauelement, umfassend ein Substrat (1), eine Membran (3, 4) und einen zwischen dem Substrat und der Membran angeordneten Hohlraum (7), dadurch gekennzeichnet, daß die Membran zumindest eine erste Schicht (3) und zumindest eine zweite Schicht (4) umfaßt, wobei die erste und die zweiengerichtete mechanische Spannung aufweisen, und daß die Membran weiterhin eine dritte Schicht (10) umfaßt, die eine der zweiten Schicht entgegengerichtete mechanische Spannung aufweist, und daß die Membran mit einer Verschlußschicht verschlossene Freiätzlöcher aufweist, und daß die erste Schicht Siliziumnitrid beinhaltet, und daß die zweite Schicht Siliziumoxid beinhaltet, und daß die Schichtdicknsation gewählt sind.

公开(公告)号：DE59911769D1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：DE59911769

申请日：1999-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AIGNER ROBERT ,  HIEROLD CHRISTOFER ,  KAPELS HERGEN ,  KOLB STEFAN ,  MAIER-SCHNEIDER DIETER ,  OPPERMANN KLAUS-GUENTER ,  TIMME HANS-JOERG ,  SCHEITER THOMAS ,  WERNER WOLFGANG

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84 ,  H04R7/10

公开(公告)号：DE10161953A1

公开(公告)日：2003-06-26

申请号：DE10161953

申请日：2001-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WITTMANN REINHARD ,  KOLB STEFAN ,  EICKHOFF MARTIN

IPC: B81B3/00 ,  G01J5/20 ,  G01P15/08 ,  B81C1/00

Abstract: Production of a microstructure comprises: preparing a raw structure consisting of a sacrificial layer (2) arranged between a structured layer (3) and a substrate (1); inserting a spacer (7) between the structured layer and the substrate; removing the sacrificial layer so that the spacer partially remains; and removing the spacer by dry etching. Preferred Features: The spacer is made from a nitride material. The spacer is inserted by producing a recess in the sacrificial layer. The sacrificial layer is removed by wet chemical etching. The thickness and the geometry of the spacer is selected so that it remains during removal of the sacrificial layer by wet chemical etching.

公开(公告)号：DE102020211401A1

公开(公告)日：2022-03-10

申请号：DE102020211401

申请日：2020-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EBERL MATTHIAS ,  JOST FRANZ ,  KOLB STEFAN

IPC: G01N29/34 ,  G01N29/024

Abstract: Beschrieben wird ein Gassensor mit einem Heizer, einem Empfänger, und einem zwischen dem Heizer und dem Empfänger angeordneten Raum, wobei der Heizer ausgelegt ist, um unter Verwendung eines Anregungssignals eine sich durch den Raum ausbreitende thermoakustische Schallwelle zu erzeugen. Der Empfänger ist dabei dazu ausgelegt, um die thermoakustische Schallwelle, die sich durch den Raum ausgebreitet hat, zu empfangen und in ein Empfangssignal umzuwandeln, das eine laufzeitabhängige Verschiebung zu dem Anregungssignal und somit Informationen über eine Gaskonzentration in dem Raum aufweist.